宽禁带半导体可靠性攻坚：从智能系统诊断到芯片精准筛选

在新能源汽车快速发展的今天，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体器件，凭借其高效、耐高温和高频特性，正逐步成为提升电驱动系统性能的关键。然而，这些优势也伴随着新的可靠性挑战，尤其是在实际车载工况下，器件长期运行的稳定性成为行业关注的焦点。

SiC和GaN器件通常工作在更高的开关频率、更高的结温和更陡峭的电压电流变化率下，这对器件本身的材料结构、封装工艺以及系统层面的散热、驱动和保护都提出了更严苛的要求。具体来看，目前常见的可靠性问题主要集中在以下几个方面：

栅氧可靠性：由于SiC MOSFET的栅氧层通常承受更高的电场强度，长时间运行后容易出现阈值电压漂移甚至栅氧损伤，影响开关一致性。

体二极管特性：在电机控制等需要反向续流的应用中，SiC MOSFET内置体二极管在反向恢复过程中可能产生较大的瞬态电流和损耗，对器件寿命构成挑战。

封装与连接可靠性：高结温工况下，键合线、芯片贴装和基板连接等部位容易因热膨胀系数不匹配引发疲劳老化，导致焊层开裂或接触失效。

热管理压力：尽管宽禁带器件耐高温能力强，但实际系统中散热设计若跟不上，持续高温仍会加速材料退化，影响整体寿命。

因此，如何让基于宽禁带半导体的电驱系统在追求极致性能的同时，具备极高的可靠性和长寿命，已成为整个行业能否真正迈入下一个发展阶段所必须攻克的技术制高点，需要研究者从器件选型、驱动设计、状态监测以及系统散热等多方面综合施策，提高系统性的可靠性。

在此背景下，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）将于2025年11月25日至27日在河南郑州隆重举办。本次会议以“芯联新世界，智启源未来”为主题，聚焦宽禁带半导体全产业链创新生态，汇聚全球顶尖专家学者、企业领袖及创新团队，共同探讨材料生长、器件设计、模块封装到系统应用的协同突破路径。届时，都灵理工大学终身研究员Fausto Stella、理想汽车于金英博士、上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理曹峻将带来三场重磅技术报告，分享宽禁带半导体在电动汽车领域的前沿研究成果与实践思考。

Fausto Stella终身研究员的报告《面向未来电动交通的可靠、高功率密度、高效宽禁带逆变器及其状态监测与寿命预测》将深入探讨宽禁带半导体在牵引逆变器中面临的可靠性挑战。本报告基于都灵理工大学与国家新能源汽车技术创新中心（NEVC）长达七年合作的研究项目，将介绍项目中所开发的集成了先进诊断与预测能力的可靠、高功率密度、高效率的宽禁带（WBG）牵引逆变器，并能够实时评估功率关键部件（如半导体、电容、电机与电池）的健康状态。研究团队聚焦于如何在保证精度的前提下，平衡诊断算法的实时性、成本与集成可行性，并将在现场展示多款经过验证的逆变器原型，为高可靠性电驱动系统的设计提供重要参考。

嘉宾介绍：

Fausto Stella博士是意大利都灵理工大学的终身研究员。主要研究电力电子转换器的设计和控制，特别关注SiC半导体器件，可靠性评估和嵌入式控制系统。

于金英博士的报告《车规级1200V SiC MOSFETS击穿电压离群芯片分析及筛选技术研究》则从产业化实践角度出发，直面碳化硅器件量产过程中的质量管控难题。针对车规级SiC MOSFET中偶尔出现的击穿电压异常器件，报告将系统介绍其失效机理分析、检测方法开发与筛选策略优化等方面的创新工作。

嘉宾介绍：

于金英博士自加入理想汽车功率芯片研发部后，便一直从事车规级SiC MOSFET功率芯片的自主研发工作，主要负责材料与工艺缺陷对芯片性能的影响分析，并开展功率器件的老化筛选及可靠性技术研究工作。

上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理曹峻先生，他的报告《新能源汽车用碳化硅MOSFET与可靠性研究》将从国内领先的芯片设计企业的视角，深入剖析车规级碳化硅MOSFET器件本身的设计优化、可靠性表征、测试方法以及失效模式分析。 作为国内首批专注于碳化硅功率半导体研发的企业之一，瞻芯电子的实践积累将为我们揭示如何从芯片设计的源头上提升固有可靠性，如何定义并满足严苛的车规级认证要求，以及如何在性能、成本与可靠性之间寻求最佳平衡点。这份来自产业链核心环节的分享，将为与会者提供一份珍贵的、源于中国实践的“碳化硅上车可靠性指南”。

嘉宾介绍

曹峻先生，主要分管瞻芯技术市场推广，战略客户销售服务和客户工程支持。拥有逾25年半导体行业技术、市场和销售管理经验，服务过上海贝岭、中芯国际和先进半导体在内的多家晶圆厂和芯片设计公司。善于从半导体材料特性、工艺器件平台开发、芯片设计和封装设计，以及电力电子拓扑图等多维度多领域，分析和研究碳化硅功率器件的新兴市场与应用。

会议信息

APCSCRM 2025 Information

一、会议名称/Conference

第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）

The 6th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025)

二、会议时间/Date

2025年11月25日——11月27日

November 25-27，2025

三、会议地点/Location

中国·河南省郑州市·中原国际会展中心-会议中心

Central China International Convention and Exhibition Centre (CCIEC)-Conference Center

四、会议官网/Website

https://apcscrm2025.casconf.cn

五、组织机构/Organization

六、会议安排/Schedule

七、报名参会/Register

请登录会议官网，完成注册报名：

https://apcscrm2025.casconf.cn

八、联系方式/Contact

商务合作 Business cooperation

陈老师 Ms. Chen：86-13155757628

E-mail：lianmeng@iawbs.com

征文投稿 Submission

刘老师Ms. Liu：86-18931699592

E-mail: mishuchu@iawbs.com

参会报名 Participant Registration

周老师 Ms. Zhou：86-17854177403

E-mail: apcscrm@iawbs.com

PART.02

部分报告嘉宾

Part of Speak guests

PART.03

参展及赞助

Business Cooperation

第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）同期设置宽禁带半导体产业专业展区，集中展示耗材、智能装备、先进材料、器件、封测、终端产品等领域的新技术、新成果、新产品，我们诚邀行业内企业、科研机构加入到此次盛会中，展示贵公司实力、扩大品牌影响力，共同推动碳化硅及相关材料领域的繁荣发展！

A professional wide bandgapsemiconductor industry exhibition will beheld concurrently with APCSCRM 2025 ltserves as a central platform to spotlightthe latest technologies, products, andinnovations in fields ranging fromconsumables and smart equipment toadvanced materials, devices, packaging &testing, and final applications. We warmlyinvite your participation! join industryleaders and research institutes at thispremier gathering to showcase yourcapabilities, amplify your brand, andcontribute to advancing the SiC and relatedmaterials industry.

展位图

Exhibit Booth Floor Plan

部分赞助单位

Partial List of Exhibitors

更多企业持续更新中...

More Exhibitors to Be Announced

更多赞助信息详情请点击下方链接：

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商务咨询/Contact ：

Ms. Chen/13155757628

E-mail：lianmeng@iawbs.com

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PART.04

01

成果征集

Call For Paper

我们期待您近一年内正式发表或未发表已有科学依据和可靠数据的技术报告，阶段性成果报告，以及属于前沿技术，并对宽禁带半导体学科发展有指导意义的展望评论性论文的，围绕宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）领域，在理论或应用实践上具有创新价值的前沿成果。

We look forward to your formal orunpublished technical reports withscientific basis and reliable data withinthe past year,interim achievementreports, as well as outlook and reviewpapers on cutting-edge technologiesthat have guiding significance for thedevelopment of the wide bandgapsemiconducter discipline, focusing on thefield of wide bandgap semiconductors (SiC,GaN, Ga2O3:, AlN, diamond, etc.) Cuttingedge achievements with innovative value intheory or practical application.

Click below to learn about the submission guidelines：

01

征集范围（包括但不限于）

材料与生长：晶体与外延生长、新型生长技术、基础材料研究、材料加工技术等。

缺陷和表征：材料特性、缺陷控制技术、表征技术等。

装备设计、工艺和特性

器件设计、工艺和测试：器件工艺及设计、新型器件和特性、建模和仿真、新型测试和表征技术等

封装与可靠性及其应用

02

成果形式：

学术论文、专利、专著、检测方法、技术报告、产品原型等。

03

征集要求

1. 成果需具备原创性、先进性和实用性，具有重要学术或应用推广价值。
2. 不存在知识产权争议或其它法律纠纷，不涉及国家秘密。
3. 请按要求填写中英双语成果征集表（见附件），如是未发表论文，请参照会议摘要模板提交，优秀稿件全文将有机会推荐至《Materials》《Molecules》《Electronics》《Crystals》等权威期刊。
4. 投稿截止日期：2025年11月5日
5. 请将填写好的征集表发送至邮箱：mishuchu@iawbs.com，邮件标题请注明“姓名+单位+APCSCRM 2025科研成果征集”。

报名参会

Registration

02

请登录会议官网，完成注册报名：

Please scan the following code to register through APCSCRM official website:

https://apcscrm2025.casconf.cn

路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋