第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）圆满闭幕

2025年11月27日，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2025）在郑州中原国际会展中心会议中心隆重闭幕。

本届会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟与中国科学院物理研究所共同主办，北京天科合达半导体股份有限公司、河南联合精密材料股份有限公司、郑州航空港经济综合实验区科技工信局联合承办，并得到郑州航空港经济综合实验区管理委员会、河南省人民政府驻北京办事处及河南省半导体行业协会的大力支持。大会以"芯联新世界，智启源未来（Wide Bandgap, Wider Future）"为主题，深入探讨了宽禁带半导体（SiC、GaN、Ga₂O₃、AlN及金刚石等）材料、器件及前沿应用的最新进展，成功吸引了海内外800余位专家学者与企业代表，以及近400家行业机构的广泛参与，与会代表通过深入交流研讨，在技术突破、产业协同与创新发展等方面取得丰硕成果，为大会画上圆满句号。

本次会议为期三天，议程安排紧凑而充实。11月25日下午，大会率先以“宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛”和“企创融通汇——金刚石专题论坛”拉开序幕。11月26日上午举行开幕式及主旨报告，下午则并行开展“材料与装备”、“器件与应用”及“超宽禁带半导体”三大专题论坛。11月27日上午，继续进行主旨报告并举行闭幕式，为本届盛会画上圆满句号。

11月25日

宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛

"宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛"由北京理工大学张楠教授与高端芯片产业创新发展联盟杨咪副秘书长共同主持。论坛主要面向宽禁带半导体领域的青年科研人员与学者，旨在展示前沿成果、激发创新思维，为青年人才的学术成长与合作交流搭建高水平平台。

四川大学雷云研究员、齐鲁工业大学张福生副教授、SOITEC公司产品设计经理Guiot、国防科技大学田野副教授、中国地质大学（北京）郑州研究院，科研部部长，助理研究员赵洪晨、西安电子科技大学任泽阳教授、北京量子信息科学研究院刘玉龙副研究员、中国科学院空天信息创新研究院苟广洋助理研究员、内蒙古工业大学刘欢、厦门大学叶晓芳、五矿证券研究所分析师金凯笛，等十余位海内外学者与业界专家先后发表报告，内容覆盖SiC粉体合成、单晶生长、衬底加工、超精密制造、金刚石加工、MEMS传感器、异质结光电性能、缺陷无损检测以及市场前景分析等多个前沿方向。论坛通过多领域、跨学科的深度交流，充分展现了青年学者的科研活力与创新潜力，为宽禁带半导体技术的学术研究与应用发展注入了新的动力。

11月25日

企创融通汇——金刚石专题论坛

本次活动由协创微半导体有限公司程丽娜总经理与中材人工晶体研究院有限公司杜洪兵副院长共同主持。本次论坛以“芯机遇促发展 解锁应用新市场”为主题，聚焦金刚石材料的科研前沿与产业应用，汇聚产学研力量，共同探讨金刚石半导体从材料到器件的全链条创新路径。美国国家发明家科学院院士蒋仕彬、上海征世科技股份有限公司教授级高工尹利君、河南省惠丰金刚石有限公司王志强总经理，分别就“金刚石的激光精密制造”、“金刚石在热管理领域应用进展与挑战”、“金刚石粉体的创新及应用”等前沿产业议题发表了主题报告。

活动现场，举办了成果签约仪式。由郑州航空港新材料（超硬材料）产业指挥部牵头，西安晟光硅研半导体科技有限公司、沃尔德半导体科技（嘉兴）有限公司、杭州晶驰机电有限公司等企业共同签订《郑州航空港区宽禁带半导体“芯”生态合作计划》，合作将立足郑州航空港区，依托金刚石材料既有优势，推进宽禁带半导体产业生态建设，聚焦相关研发制备，实现核心装备自主可控，共建平台、构建供应链助力产业发展。

成果签约仪式

现场还举行了优秀解决方案发布仪式，17家企业案例入选。其中，北京特思迪半导体设备有限公司刘泳沣总经理、深圳市纳设智能装备股份有限公司萧利台战略&海外营销总监、西安晟光硅研半导体科技有限公司杨森总经理、西湖仪器（杭州）技术有限公司刘东立总经理，分别就金刚石高质量磨抛、碳化硅外延炉双腔智造、水导激光分片、超快激光剥离等前沿解决方案进行了展示与讲解，集中展现了产业界的技术创新实力。

海报展板展示

优秀解决方案发布仪式

融通对接环节，上海征世科技股份有限公司、杭州银湖激光科技有限公司、北京特思迪半导体设备有限公司、河南省惠丰金刚石有限公司、武创芯研科技有限公司以及西安电子科技大学等单位嘉宾代表参与讨论与交流，探讨。

圆桌讨论

AM 11月26日

开幕式

11月26日，会议正式迎来开幕式。开幕式由中国科学院物理研究所研究员、北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙主持。本届大会荣幸邀请到原中国科学院副院长、中国科学院大学原党委书记、校长，中国科学院半导体研究所李树深研究员，河南省科学院院长、武汉大学徐红星教授，河南省政府副秘书长、航空港区管委会主任田海涛，河南省工业和信息化厅总经济师许新，大会联合主席、早稻田大学Kawarada教授，航空港区管委会副主任张红军，航空港区管委会二级巡视员徐大群等多位重量级嘉宾出席。来自政府机构、海内外科研院所及企业界的众多行业代表共同见证了这一重要时刻。

中国科学院物理研究所研究员

北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家

陈小龙 主持

河南省科学院院长

武汉大学教授

徐红星 致辞

河南省工业和信息化厅总经济师

许新 致辞

航空港区管委会副主任

张红军 致辞

联合大会主席 早稻田大学教授

Horish HAWARADA 致辞

本届会议共邀请来自德国、法国、瑞典、美国、日本、韩国、俄罗斯、菲律宾、中国以及中国台湾和香港地区等多个国家和地区，70余位行业专家、企业及高校代表进行分享。嘉宾们围绕SiC、GaN、Ga2O3及金刚石等宽禁带半导体材料，在材料生长、器件设计、封装测试及终端应用等全产业链环节，分享了最新技术突破与产业化路径，并就超宽禁带半导体材料、先进键合技术、集成架构等前沿方向展开了深度交流。交换产业前瞻性观点，展示企业先进成果，促进亚太地区宽禁带半导体领域产学研用的相互合作和交流，推动宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业高质量发展！

AM 11月26日

主旨报告

本次大会的主旨报告环节汇聚了全球宽禁带半导体领域的战略科学家与产业领军者，聚焦从材料突破、器件创新到系统应用的核心议题，描绘了产业发展的宏观蓝图与前沿路径。

中车科学家，功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任刘国友教授级高工、江苏第三代半导体研究院院长，中科院苏州纳米所研究员，博士生导师，苏州纳维科技有限公司 董事长徐科研究员、杭州富加镓业科技有限公司董事长，杭州光学精密机械研究所齐红基所长、北京天科合达半导体股份有限公司董事，副总经理，技术总监刘春俊、日本筑波大学Yano Hiroshi教授、意大利都灵理工大学Fausto Stella终身研究员、河南联合精密材料股份有限公司王森技术总监进行了高水平的学术与产业报告。报告内容涵盖功率半导体技术、氮化镓单晶与外延、氧化镓产业化通道、大尺寸碳化硅材料、MOSFET可靠性机理、高效车用逆变器以及衬底整体解决方案等多个战略方向，深度结合了全球技术趋势与本土产业实践，为宽禁带半导体的未来发展指明了协同创新思路。

PM 11月26日

专题一：材料与装备专题

材料与装备专题论坛深入产业链最上游，围绕宽禁带半导体核心的材料制备、加工技术与关键装备创新展开研讨，为产业底层技术的自主可控与迭代升级提供了重要见解。

北京晶格领域半导体有限公司张泽盛总经理、清华大学刘源教授、中科院苏州纳米所任国强研究员、苏州晶湛半导体有限公司向鹏高级研发经理、Resonac公司Hiroshi KANAZAWA研究员、青禾晶元半导体母凤文董事长、中国科学院半导体研究所林学春研究员、北京大学高鹏教授、应特格公司Niraj Mahadev新市场业务副总裁、有研稀土新材料股份有限公司董辰技术研发经理、创锐光谱科技有限公司陈俞忠总经理、无锡华瑛微电子技术有限公司温子瑛董事长、浙江星辉新材料科技股份有限公司刘民聪技术研发经理、北京中电科电子装备有限公司刘国敬副总经理，分别就碳化硅液相法生长、P型溶液法生长、氮化镓氨热法生长、大尺寸外延、外延片研发、先进键合集成、激光精密加工、界面声子输运探测、大尺寸衬底制造技术、稀土新材料、衬底无损检测、表面污染分析、热场材料以及全套切磨抛解决方案等前沿课题分享了最新进展。本论坛全面展示了从基础材料合成到高端装备制造的全链条创新能力，凸显了夯实产业基础对推动宽禁带半导体产业高质量发展的根本性作用。

PM 11月26日

专题二：器件与应用专题

器件与应用专题论坛由北方工业大学张旭芳副教授主持，聚焦宽禁带半导体功率器件、射频器件及模块集成技术的研发突破与产业化应用，深入探讨了从芯片设计、制造工艺到系统可靠性、市场趋势的全方位议题。

江南大学敖金平教授、日本福井大学Joel T. Asubar教授、北京大学魏进研究员、日本富山县立大学Tetsuo Hatakeyama教授、日本埼玉大学Yasuto HIJIKATA副教授、清纯半导体（宁波）有限公司首席科学家孙博韬、上海瞻芯电子科技股份有限公司曹峻副总经理、理想汽车于金英博士、VEROTERA创始人兼CEO Aly Mashaly、北京智慧能源研究院高级工程师郝夏敏、中国科学院上海微系统与信息技术研究所郑鹏程助理研究员、日本Toray Research Center助理研究员Seishi Akahori、TrendForce化合物半导体分析师龚瑞骄发表了报告。报告内容覆盖氮化镓电子器件、先进常关技术、功率集成、SiC MOSFET物理建模、量子光学色心、高性能SiC芯片产业化、车规级可靠性研究、先进封装技术、器件性能AI预测、射频滤波器、杂质表征以及市场趋势分析等多个前沿领域，全面展现了宽禁带半导体器件在电力电子、通信、汽车及AI等核心领域的最新进展与应用潜力，强调了器件性能优化与系统级可靠性对产业落地的关键作用。

PM 11月26日

专题三：超宽禁带半导体专题

超宽禁带半导体专题论坛由山东大学贾志泰教授主持，聚焦于以氧化镓、金刚石为代表的下一代超宽禁带半导体材料，深入探讨其在极端电子学、紫外光电子、量子信息和功率器件等前沿领域的突破性研究与产业化前景。

苏州镓和半导体有限公司董事长， 南京邮电大学唐为华教授、瑞典林雪平大学首席研究员Daniela Gogova、香港科技大学（广州）博士后胡国锋、奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人兼CEO吴亮、中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所主任解楠、苏州晶和半导体科技有限公司董事长，国家第三代半导体技术创新中心(苏州)首席科学家梁剑波、西安交通大学王宏兴教授、日本国立材料研究所首席研究员廖梅勇、元素六业务拓展经理肖骥、甬江实验室研究员邬苏东、苏州思体尔软件科技有限公司CEO MARIIA LAMBRINAKI、郑州航空工业管理学院张靖坤围绕氧化镓光电器件、材料生长与掺杂、氮化铝单晶制备与产业化、先进键合技术、金刚石半导体器件、量子传感材料、大尺寸晶圆制备、工艺建模以及表面金属化等关键方向分享了最新成果。本论坛系统呈现了超宽禁带半导体材料从基础物性研究、可控生长到颠覆性器件探索的创新链条，为抢占未来半导体技术制高点描绘了清晰的技术路径与协作蓝图。

AM 11月27日

主旨报告

11月27日的主旨报告环节由厦门大学张峰教授与河南省科学院江浩庆特聘研究员共同主持。作为大会的收官论坛，本场报告聚焦于超宽禁带半导体前沿探索与功率器件系统级应用，深入探讨了从新材料突破到产业化落地的关键技术挑战与未来趋势。

山东大学陶绪堂教授、国家电网中国电力科学研究院杨霏副总工程师、英飞凌公司陈立烽高级技术总监、甬江实验室张瓦利研究员、日本早稻田大学Hiroshi Kawarada教授、郑州大学单崇新副校长，分别就超宽禁带晶体材料、高压电力系统器件、碳化硅功率器件系统应用、AR/VR衍射光学器件、金刚石MOSFET以及金刚石光电器件等多个方向分享了最新研究进展与产业洞见。本场报告不仅从材料科学、器件物理到系统应用呈现了完整的技术链条，更结合了前沿学术探索与重大工程需求，为宽禁带及超宽禁带半导体技术在多领域的深度融合与创新发展提供了关键思路。

11月25-27日

宽禁带半导体产业专业展区

大会打造的2300平米宽禁带半导体产业专业展区吸引了超110家参展单位，涵盖企业、科研院所及高校，全面展示了宽禁带半导体耗材、智能装备、先进材料、器件、封测及AR显示、SiC新能源电车等前沿应用领域，集中呈现全球最新技术成果与解决方案。构建了“政-产-学-研-用-金”全链条开放创新生态。展区现场交流热烈，为宽禁带半导体领域的技术成果转化与商业合作提供了高效、精准的一站式平台，进一步推动了产业链的开放创新与融合发展。助力亚太地区宽禁带半导体事业迈向新高度。

大会还特别设置了海报展示区，为青年学者和科研人员提供了重要的学术交流平台。本次会议共收到来自海内外高校、科研院所及企事业单位的众多投稿，内容覆盖宽禁带半导体材料、器件及应用等多个前沿领域。经过组委会初选和专家复评，最终精选出14份优秀研究成果在会议期间进行现场展示。这一环节不仅展现了宽禁带半导体领域的最新研究动态，更激发了青年科研人员的创新热情，为产业创新发展注入了新的活力。

AM 11月27日

闭幕式

2025年11月27日上午，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）在郑州圆满结束。闭幕式由北京天科合达半导体股份有限公司董事，常务副总经理彭同华主持，他在闭幕致辞中首先回顾了本次会议取得的丰硕成果，随后大会隆重举行了优秀海报颁奖典礼和幸运抽奖环节。优秀海报奖旨在表彰青年学者在宽禁带半导体领域的创新研究成果，而抽奖活动则将现场气氛推向高潮，体现了大会对与会代表的诚挚感谢。在答谢环节中彭同华向所有参与会议的专家学者、企业代表以及所有参会人员表达了深深的谢意。他特别感谢了大会顾问委员会、程序委员会、组织委员会的专业指导，各参展商、赞助商的鼎力支持，以及会务团队的辛勤付出。展望未来，他表示宽禁带半导体产业正迎来重要发展机遇，8英寸SiC、氧化镓及金刚石等新材料新工艺将开启更广阔的应用前景，期待与业界同仁继续深化合作，共同推动产业创新发展！

北京天科合达半导体股份有限公司

董事、常务副总经理

彭同华主持

优秀海报奖颁奖

本届会议的圆满落幕，不仅让我们见证了宽禁带半导体领域最新的技术突破，更让我们深切感受到行业对创新突破与跨界合作的迫切期待。这场盛会已然成为了一个激发创新思维、促成国内外深度合作的重要交流平台。

宽禁带半导体凭借其卓越的材料特性和广阔的应用前景，正在重新定义电子器件的性能边界。从提升能源转换效率到突破高温高频工作极限，这些技术突破不仅推动着产业升级，更为实现绿色低碳发展目标提供了全新的技术路径。随着基础研究的持续深入和工程技术的日臻成熟，宽禁带半导体必将在未来的科技革新中发挥更为关键的作用。

在此，大会组委会向所有参会专家学者、行业领袖及各赞助单位致以最诚挚的谢意。正是各位的积极参与和鼎力支持，共同铸就了这场高水平行业盛会的成功。让我们携手同行，共同期待宽禁带半导体技术开创更加美好的明天，也热切期盼在下一届会议上与各位再度相聚！