氧化镓从有无到有用的关键——6英寸氧化镓垂直型SBD晶圆亮相APCSCRM 2025国际会议

2025 年 11 月 25 日，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）在郑州中原国际会展中心盛大启幕。作为亚太地区宽禁带半导体领域的顶级盛会，本次大会汇聚了中国中车、国家电网、英飞凌、筑波大学等全球113家产业链核心企业与科研机构，围绕 “材料突破-器件创新-系统集成-产业应用” 四大维度共探行业发展新路径。杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）董事长齐红基先生受邀做了“打通氧化镓科研到产业的通道——从有无到有用”的大会邀请报告，深入解析了氧化镓材料从实验室走向产业化过程中取得的一系列突破性进展，并在大会报告中重磅发布6英寸氧化镓垂直型SBD晶圆，引发行业广泛关注。大会报告环节由陈小龙院士主持。

富加镓业以“让世界用上好材料”为目标，在国内外积极推进氧化镓从单晶衬底、外延及器件的产业落地。此次发布的6英寸氧化镓垂直型SBD晶圆正是基于公司自主研发的高迁移率同质氧化镓外延片，与下游器件合作单位共同流片完成。该晶圆包括芯片尺寸有四种，分别为3.0×3.0mm2、1.0×1.0mm2、0.5×0.5mm2及φ0.1mm，流片过程中采用了行业常见的3mm边缘工艺边，同时预留切割道用于后续芯片切割。

6 英寸氧化镓垂直型SBD晶圆在大会报告现场发布，标志着富加镓业与下游器件客户合作，正在积极打通氧化镓从材料制备到器件规模化流片的全产业链技术通道，真正实现氧化镓‘从有无到有用’的产业化跨越。未来我们将持续以技术创新为核心，推动氧化镓器件在更多高端场景的规模化应用。

本次 APCSCRM 2025 大会吸引了多位行业顶尖专家发表主旨报告，富加镓业的新品发布成为氧化镓产业化赛道的重要里程碑。会议期间，众多下游客户围绕6英寸SBD器件流片的技术细节、合作模式展开深度洽谈，达成多项意向合作。

作为国际氧化镓领域领军企业，富加镓业始终以技术创新推动氧化镓材料的产业化。此次与合作单位联合推出的6英寸氧化镓垂直型SBD晶圆不仅彰显了公司在第四代半导体领域的技术领先地位，更响应了全球对高效节能半导体器件的迫切需求。随着我国新能源快速发展，功率器件在新能源产生、存储、传输及使用过程中将呈现爆发式增长，氧化镓作为第四代半导体材料的典型代表，市场规模预计将在未来三年实现指数级增长，6英寸垂直型SBD晶圆成为氧化镓器件在功率器件大赛道中规模化应用的方向标。

产品介绍

Fujia Gallium

氧化镓设备：

公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备，可以满足2-6英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。

公司自行研制了全自动VB晶体生长设备，并在国内率先突破了6英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸VB法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。

氧化镓单晶衬底：

作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商，我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖2-6英寸26种常规性氧化镓衬底产品，并能够提供尺寸，电学性能与晶向的定制化方案，满足高质量外延片研发及批量制备需求。

氧化镓外延片：

基于成熟的MOCVD（金属有机化学气相沉积）与 MBE（分子束外延）技术平台，我们的产品线覆盖2-6英寸等15种常规性氧化镓外延片产品，及定制化MBE氧化镓外延片产品，为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系，可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数，能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。

来源：亚洲氧化镓联盟

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