罗姆量产 TOLL 封装 SiC MOSFET：正在成为中高功率的“通用接口”

在电源系统全面走向高密度、高频化的时间节点上，

头部厂商产品发布的趋势远比“换个封装”更深刻。

2025 年 12 月 4 日，罗姆宣布 SCT40xxDLL 系列 SiC MOSFET 正式量产，并采用 TO-Leadless（TOLL）封装。

罗姆给出的关键数据很直接：与相同耐压和导通电阻的 TO-263-7L 产品相比，TOLL 封装的热性能提升约 39%。散热提升意味着在同样体积下能承受更高电流与更高开关应力，使其能够在服务器电源与储能系统中承担更高功率密度的任务——而器件本身的高度仅 2.3 mm，不到传统封装的一半，占板面积也减少 约 26%。

这类封装级改进在 AI 服务器与紧凑型逆变器场景中意义更为突出。随着 AI 服务器电源功率从 3 kW、6 kW 跨向 10 kW 级，组件厚度往往被限制在 4 mm 以内。图腾柱 PFC 等高频拓扑下，寄生电感、热阻、封装高度都直接决定系统能否实现超薄化。罗姆此轮产品均支持 750 V 漏源耐压（高于常规 TOLL 的 650 V），为浪涌裕度与开关损耗之间留出了更多调节空间，使其更适配高功率密度 PFC 设计。

该系列共 6 款器件，RDS(on) 覆盖 13–65 mΩ，并已于 2025 年 9 月开始量产，目前可在 DigiKey、MOUSER、Farnell 等分销渠道购买，同时提供官方仿真模型，用于加速电路评估。

TOLL 的演进路线：从“小范围试水”到“年度标配”

回到更大的技术视角会发现，罗姆此次发布正处于 TOLL 封装扩散的关键拐点。

2021–2023 年，Toshiba、Wolfspeed、onsemi、Infineon 等厂商每年仅发布 1–2 个 TOLL 版本，其重点依然在于对比 TO-247、D2PAK 等传统封装，验证“小型化 + 低寄生 + 散热稳定性”。

2024 年起，Innoscience、Navitas、Power Master 等陆续加入，将 TOLL 与 AI 服务器电源、通信 PSU、储能等应用直接绑定，封装开始从“创新选项”转向“应用侧问题的系统解法”。

2025 年出现明显加速：样本中有超过 8 条新品来自 ST、Infineon（第二轮）、ROHM（GaN + 750 V SiC）、TI、Renesas、Toshiba、Littelfuse 等多个头部厂商。TOLL 不再只是某系列下的一个补充型号，而是进入到 跨材料（SiC/GaN/硅）、跨电压段（650–1200 V）的标准封装平台阶段。

这意味着市场预期已经形成：在中高功率密度的电源系统里，TOLL 是一个“安全选择”。

厂商分布：从 IDM 到新锐公司，版图收敛正在加速

统计多个企业的产品可以看到一个清晰趋势：

• 13 家全球厂商已推出 TOLL 产品，其中 Toshiba、ROHM、Infineon 已形成持续的系列化布局，而并非一次性型号；
• Wolfspeed、onsemi、ST、Renesas、TI、Navitas、Littelfuse 等均至少发布 1 款器件，覆盖服务器 PSU、EV/OBC、储能、通信电源等高密度需求场景；
• 新锐企业如 Innoscience、Power Master 同样提供 TOLL 设备，说明 从 IDM 到无厂化 IDMs，再到分立器件与 GaN 厂商，都在主动适配 TOLL 接口。

当供应端主动在同一封装标准下收敛，意味着下游的电源厂商可以建立更加稳定、可替换性更高的设计平台，从而加速系统升级迭代。

材料格局：SiC 是主战场，GaN 聚焦高频场景，硅用于验证边界

材料分布同样体现趋势：

• SiC 条目数量最多，覆盖 650–750 V 乃至 1200 V 级别，集中在服务器电源、储能、光伏逆变器与快速充电。这意味着 TOLL 正在成为中高功率 SiC 的优先承载结构之一。
• GaN 产品主要由 ROHM、TI、Innoscience、Renesas 等贡献，聚焦图腾柱 PFC、高频 LLC 等高效率拓扑，小封装与低寄生电感使其具备天然优势。
• 硅器件数量虽少，但 Toshiba SJ、MCC 等厂商仍推出 TOLL 版本，用于验证电流承载能力与封装通用性，为未来材料切换提供平台化可能。

不同材料在同一封装体系下并行，强化了 TOLL 作为“系统级标准接口”的潜力。

系统价值：从封装缩小到体系迁移的现实推力

对比传统封装，TOLL 的优势被行业高度重复强调：

• 封装体积减少 30–80%
• 板级面积减少约 25%
• 更低寄生电感，开关损耗更低
• Kelvin 源极结构适配高频驱动
• 优化热阻，提高高频大电流场景下的可靠性

这些特性不再是单纯的“器件 miniaturization”，而是与高频拓扑、系统散热、整机厚度等指标直接联动。

在 AI 服务器、太阳能逆变器、EV/OBC、工业储能 等高密度应用中，TOLL 不仅让器件变薄，而是促使整个系统从工频/中频向高频高功率密度架构迁移。

阶段判断：TOLL 正在跨入“通用平台”时代

结合时间线与厂商布局，可以给出一个清晰判断：

2021–2022：封装试点阶段，市场仍在验证工程可行性；

2023–2024：多材料、多厂商并行进入，封装开始渗透多类应用；

2025：头部厂集中放量，耐压扩展到 750 V 甚至 1200 V，

TOLL 已从“创新封装”迈向“通用平台”。

对于下游客户而言，采用 TOLL 版本已经不再是冒险，而是与中高功率高密度电源技术演进保持同步的结构性选择。

随着罗姆将 750 V SiC 放入 TOLL 平台，整个市场正在释放一个明确信号：

在高功率密度时代，封装本身正在成为影响系统架构的关键变量。

来源：三代半食堂

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