深圳平湖实验室建立 无损快速的Raman测量SiC微区载流子浓度能力

近日，深圳平湖实验室分析检测中心已成功构建“无损快速的Raman测量SiC微区载流子浓度”能力。该技术攻克LO声子-等离子体耦合（LOPC）精准利用、干扰排除等行业技术瓶颈，建立了完整的4H-SiC载流子浓度非破坏性测量体系。相关成果已在IFWS&SSL CHINA 2025会议上发表，为第三代半导体检测领域提供更高效的解决方案。

在第三代半导体产业加速发展的今天，4H-SiC作为核心材料，其载流子浓度的精准测量直接决定器件电学性能与可靠性。传统检测方法或需复杂制样、损伤样品，或测试范围受限、效率低下，难以满足高端器件研发与量产监控的核心需求。深圳平湖实验室针对这一痛点提供了基于Raman的无损、高效、低成本微区检测解决方案。

无损检测，全程守护高价值样品：无需裂片、制备电极或金属接触，完美适配前端工艺要求，避免样品损伤风险。对于高压、超压厚外延等高价值样品，检测后可继续用于后续工艺，大幅降低研发与生产成本。

无损检测，全程守护高价值样品：无需裂片、制备电极或金属接触，完美适配前端工艺要求，避免样品损伤风险。对于高压、超压厚外延等高价值样品，检测后可继续用于后续工艺，大幅降低研发与生产成本。

超微尺度，精准捕捉微观差异：最小测试面积低至1μm2，空间分辨率可达0.6μm。能清晰分辨超结、半超结、沟槽注入等复杂结构的微区掺杂差异，解决传统方法难以深入的检测痛点。

高效快速，赋能批量生产监控：单点测试仅需5分钟，较C-V、Hall等传统方法效率提升6倍以上。支持20-50000μm大范围 mapping测量，可实现CVD生长、离子注入等工艺的全程质量监控，助力工艺快速迭代。

宽域精准，覆盖全场景检测需求：载流子浓度测试范围覆盖 4H-SiC典型掺杂区间（1E14-1E20 cm-3），能准确区分N/P型掺杂区域，高浓度区间(>1E18 cm-3)实现定量表征，低浓度区间(<1E18 cm-3)支持半定量分析。

pattern区的OM照片和半定量载流子浓度成像

相较于第三方实验室在该领域的非标服务空白，深圳平湖实验室分析检测中心的技术不仅实现了“人无我有”的创新突破，更通过批量数据处理工具、激光功率调制等优化设计，解决了数据处理复杂、分析困难等实际问题。未来随着技术的持续迭代与应用场景的不断拓展，将为高频、高温、高功率器件的创新发展注入强劲动力，为我国第三代半导体核心技术自主可控再添关键支撑。

来源：深圳平湖实验室

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