日本Oxide、名古屋大学等：利用液相法成功制备6英寸P型衬底

12月16日，援引日刊工业新闻消息，由日本Oxide Power Crystal 株式会社携手名古屋大学等产学研单位组建的联合研发团队，依托名古屋大学在溶液生长法领域积淀的成熟技术经验，成功研制出6英寸P型碳化硅衬底，同时在6 英寸及8英寸N 型碳化硅衬底的制备技术上取得关键性突破。

据该报道进一步披露，名古屋大学此前已借助溶液生长法，厘清了6英寸碳化硅晶体生长所需的核心工艺条件。研发团队以溶液生长法作为核心技术路径，融合 “数字孪生” 仿真模拟技术，顺利完成6英寸P型碳化硅衬底与6英寸、8英寸 N型碳化硅衬底的试制工作。具体而言，名古屋大学与Ai Crystal公司通过模拟技术手段，针对晶体生长过程中的温度场、浓度场及流场调控方案开展优化研究，最终确定了各项参数的最优配置。在此基础上，研发团队整合 UJ-Crysta 公司的技术积累，构建起一套完整的晶体生长基础工艺体系。后续，Oxide Power Crystal 株式会社调配多台晶体生长设备，完成相关工艺的实验验证，并同步推进面向产业化应用的量产工艺开发。

资料显示，Oxide 株式会社成立于2000年，是由日本国立材料科学研究所（NIMS）孵化的高新技术创业企业。而Oxide Power Crystal 株式会社作为 Oxide 株式会社的全资子公司，于 2024年10 月正式组建，其业务范围聚焦于功率半导体材料的研发与产业化布局。

来源：半导体材料行业分会

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