国产SiC加速规模化：中车36万片/年晶圆线通线，比亚迪24万片/年芯片项目验收

国产碳化硅（SiC）产业近日迎来规模化落地的标志性进展。比亚迪与中车时代半导体两大龙头企业先后传出重磅消息：中车的8英寸SiC晶圆产线则成功通线，比亚迪的SiC芯片项目已正式通过验收，两者合计将带来超过60万片/年的新增产能，标志着中国在第三代半导体核心制造能力上迈出坚实一步。

中车8吋SiC晶圆线通线

年产能36万片

今日（12月26日），株洲中车举行中低压功率器件产业化（株洲）建设项目通线仪式，意味着其8英寸SiC产线实现投产，将新增年产36万片碳化硅功率器件产能。

据了解，作为湖南省2025年十大产业项目，中低压功率器件产业化建设项目总投资53亿元，新征用地约266亩，新建生产调度楼、生产厂房、动力厂房等建筑超8万平方米，达产后将新增年产36万片碳化硅功率器件产能。

该项目重点突破精细光刻、沟槽刻蚀、高温栅氧、高温离子注入、大尺寸SiC减薄五大核心工艺技术，不仅可满足第三代、第四代碳化硅产品的规模化量产需求，更前瞻布局第五代、第六代技术研发，持续引领行业技术创新。

据报道，该项目始于2022年，从开工建设到落地投产实际仅用了11个月，进展极快：

• 2022年10月：株洲市人民政府与株洲中车时代半导体签署合作协议，中低压功率器件产业化（株洲）建设项目正式落地。

• 2023年：中低压功率器件产业化（株洲）建设项目获国家发改委窗口指导批复。

• 2024年10月：中低压功率器件产业化（株洲）建设项目开工建设。

• 2025年5-7月：该项目实现主体厂房封顶及首台（套）设备搬入。
• 2025年9月：中低压功率器件产业化（株洲）建设项目第一片晶圆下线。

• 2025年12月：中低压功率器件产业化（株洲）建设项目举行通线仪式。

株洲中车时代电气股份有限公司（下称中车时代电气）是中国中车旗下股份制企业，成立于2005年，目前已形成了“基础器件+装置与系统+整机与工程”的完整产业链结构，产业涉及轨道交通、新能源发电、汽车电驱等领域。

聚焦SiC业务，株洲中车拥有600V-6500V SiC全系列工程化能力，其6英寸SiC芯片产线具备3万片/年产能且已实现满产运行，正推进8英寸SiC产线导入工作。目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET、1200V沟槽栅SiC MOSFET等，其中SiC TO器件、SiC车规模块等产品已实现批量出货。

比亚迪半导体：

宁波SiC芯片项目通过验收

近日，宁波比亚迪半导体有限公司对外公示了新型功率半导体芯片产业化及升级项目竣工环境保护验收相关文件。其中透露，该项目具备SiC新型功率半导体芯片及其它产品（含TVS、SBD、PD、CMOS等）24万片/年的产能，并已通过验收。

接下来，围绕比亚迪的SiC项目建设、SiC产业布局进展，本文将展开进一步报道。

文件披露，宁波比亚迪半导体有限公司成立于2008年10月，其新型功率半导体芯片产业化及升级项目属于技改项目，总投资约为7.44亿元，其建设历程及生产能力如下：

• 2021年-2022年：宁波比亚迪半导体利用位于宁波保税区的已建厂房（建筑面积3.43万m2）进行项目建设，并对原有的生产设备进行提升改造；

• 2024年11月：新型功率半导体芯片产业化及升级项目建设完成，并开始调试；

• 2025年11月：宁波比亚迪半导体组织项目竣工环境保护验收，经过验收组一致同意通过竣工环境保护验收。

该项目升级改造后，生产规模由原有的年产30万片IGBT芯片和30万片FRD芯片调整为年产7.8万片IGBT芯片、7.8 万片FRD芯片、24万片SiC新型功率半导体芯片及其它产品（含TVS、SBD、PD、CMOS等）。

文件进一步透露，该项目包括三层FAB生产厂房等主体工程及辅助工程，并购置碳化硅干法刻蚀机、栅氧氧化炉、高温退火炉等设备，主要原辅材料包括6吋碳化硅、6吋硅片等，目前项目主体设施和环保设施运行稳定。

据调研发现，早在2008年，比亚迪就以1.7亿元收购了原本隶属于台积电的宁波中纬半导体及其6吋晶圆厂，并同步成立宁波比亚迪半导体，开始聚焦IGBT等车规级功率芯片的研发生产。

而在2021年，比亚迪半导体在IPO招股书中透露，拟募资金额约26.86亿元，主要建设功率半导体等3个项目。其中，“新型功率半导体芯片产业化及升级项目”将以宁波半导体作为实施主体，将在宁波厂房建设SiC功率半导体晶圆制造产线，项目建成后，公司将拥有月产2万片SiC晶圆制造产能，项目建设期为5年。

目前来看，随着产线升级改造，宁波比亚迪半导体及其生产基地已逐渐释放产能，为比亚迪汽车提供SiC芯片：

• 2025年3月：比亚迪半导体推出1500V大功率SiC芯片，并装载汉L、唐L两款车型上市。据了解，此次比亚迪公布的1500V碳化硅芯片在其宁波生产基地进行生产。

• 2025年10月：据“宁波海关”官微透露，宁波比亚迪半导体于今年2月正式启动1200V沟槽栅SiC MOSFET晶圆的保税研发项目。据项目负责人介绍，“研发片一旦通过检测，就能迅速投入量产，搭载于比亚迪各款新能源车型中。目前配套的产线正在升级，完成后，预计能实现该晶圆月产超1万片。”

除了宁波SiC晶圆项目外，比亚迪还有一个新建SiC项目正在落地。2024年6月，据比亚迪品牌及公关处总经理李云飞公开透露，“比亚迪最新的碳化硅工厂将于2024年下半年投产，产能规模是全球第一，是第二名的10倍。”

他表示，2024年下半年起，比亚迪20万左右的车型也将搭载应用碳化硅智能化方案，从而实现智能驾驶等更大范围的搭载应用。据“行家说三代半”推测，此次比亚迪所投建的新SiC工厂，极有可能是模块厂。

盘点比亚迪SiC产业布局：

覆盖衬底到模块关键环节

除了加快SiC自有产能建设外，比亚迪正持续深化SiC产业链协同合作布局，同时不断推进技术创新，未来将进一步推动SiC在新能源汽车上的大规模应用：

• 衬底领域：

目前，比亚迪的SiC衬底主要通过战略投资及合作来保障供应。据“天科合达”官微透露，他们先后引入了如比亚迪等新能源车和新能源领域的龙头企业的战略投资，迎来了快速发展。目前，公司产品已成功应用于比亚迪等国内外主流车企的多款旗舰车型。

• 外延领域：

在SiC外延领域，比亚迪也参与了对天域半导体的战略投资，后者已成功上市，是全球SiC外延片的头部供应商之一，年产能将达到80万片。此外，比亚迪也在推进SiC外延技术自研，并已获得“碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置”等专利授权。

• 芯片及模块领域

在SiC芯片领域，比亚迪此前主要向博世等国内外厂商采购，但随着研发生产布局不断完善，比亚迪半导体的1500V大功率SiC芯片等产品已实现上车，未来自主供应能力将大幅提高。

模块方面，早在2020年，比亚迪半导体已实现SiC模块在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用，在比亚迪汉、唐四驱等旗舰车型上大批使用SiC模块。目前，比亚迪还推出1500V车规级SiC半桥模块、305A SiC MOSFET模块等创新产品。

• SiC其它关键材料领域

2024年7月，芯源新材料在官微宣布，他们完成了B轮融资，本轮融资由比亚迪独家投资。据介绍，芯源新材料是一家专注于纳米金属材料技术研发的公司，其核心业务主要集中在银烧结材料的生产和应用上，他们计划进行全面的产能扩张，届时产能将能够满足3000万辆车/年的需求。

综合来看，比亚迪通过“投资合作+自主研发”的方式，实现了对SiC产业链关键环节的覆盖，既保障了供应链稳定，也强化了核心技术掌控力，进一步巩固了其在SiC布局中的领先优势。

来源：行家说三代半

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