住友金属：键合SiC衬底获采用

12月22日，住友金属矿业株式会社宣布，他们的键合SiC衬底 “SiCkrest®” 已被新电元工业株式会社用于开发MOSFET器件。

文章介绍，住友金属的“SiCkrest®”衬底采用专有键合技术，通过在低电阻多晶碳化硅支撑衬底上键合薄层高品质单晶碳化硅层，单块单晶衬底可用于制造50片以上键合衬底，其厚度不足1微米，既保留了单晶碳化硅的优异特性，又实现了整体低电阻，同时抑制了电流导通过程中的性能退化。

新电元工业株式会社新开发的SiC MOSFET目前已提供样品，其借助“SiCkrest®” 衬底的低导通电阻特性，并结合专有器件设计，即便在高温环境下也能降低功率损耗。因此，该器件非常适用于对大电流、高电压性能有要求的汽车应用场景。

据报道，住友金属的SiC键合衬底业务由旗下子公司Sicoxs负责，并且已完成6英寸产品量产以及8英寸产线布局，月产能将超过1万片/月：

• 2017年10月：住友金属矿业株式会社收购Sicoxs 51%的股权，后者成立于2012年，一直专注开发“SiCkrest”键合衬底技术；
• 2021年11月：Sicoxs计划把键合SiC衬底进行商业化，目标产能是12万片/年，据称可将SiC衬底成本降低50%；
• 2022年7月：住友金属宣布子公司Sicoxs将开建新的8吋SiC研发生产线，预计2024年3月完工；
• 2024年9月：住友金属发布公告称，Sicoxs将在大口工厂（位于鹿儿岛县伊佐市）建立8英寸 “SiCkrest®” 衬底量产线。此外，6英寸 “SiCkrest®” 衬底已启动销售，2022年投资建设的8英寸研发线已出货样品。此次投建8英寸量产线后，预计到2025年下半年， “SiCkrest®” 衬底的产能将突破1万片/月（折合6英寸计算）；
• 2025年1月：住友金属发布公告称，他们将对全资子公司Sicoxs株式会社实施吸收合并，以实现SiC键合衬底业务的快速启动与业务强化，其中Sicoxs负责SiC键合衬底的研发、生产与销售，住友金属则负责键合衬底原料 ——SiC 单晶及多晶的研发与生产。

来源：行家说三代半

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