士兰微：8吋SiC芯片项目一期通线，年产能42万片

1月4日，士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线开工典礼成功举办。多位企业核心管理层、技术专家及产业链伙伴出席现场，共同见证士兰微电子产线布局的重要里程碑。

活动伊始，由士兰微电子董事长陈向东、副董事长及制造事业总部总裁范伟宏等代表先后发表致辞。陈向东董事长在现场具体讲解了士兰微电子的发展历程、业务重点及未来规划。他表示，士兰微电子致力于成为全球卓越的半导体产品供应商，接下来将向更高的营收目标冲刺，并在功率半导体之外的多个产品与技术领域实现突破与成长。

图：士兰微电子董事长陈向东

范伟宏副董事长则介绍了8英寸碳化硅芯片产线及12英寸高端模拟集成电路芯片产线的建设背景、产能规划等重点信息。据其介绍，士兰微电子目前已布局3大生产基地，覆盖SiC&Si芯片生产制造，能有效满足下游应用市场的需求。

图：士兰微电子副董事长及制造事业总部总裁范伟宏

接下来，士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式正式启动，标志着该产线进入实质运营阶段，将有效填补国内大尺寸碳化硅芯片制造的产能缺口。与此同时，12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线开工典礼亦顺利举行，未来一期达产后，将形成年产24万片12吋高端模拟电路芯片的生产能力。

值得关注的是，士兰微电子8英寸碳化硅项目由旗下子公司士兰集宏负责，项目规划用地面积约205亩，主厂房核心面积1.5万平方米，总投资120亿元，总建筑面积达23.45万m2，分两期建设，其中一期投资70亿元，达产后年产能42万片8英寸碳化硅芯片；二期投产后，总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸碳化硅功率器件产线。

据报道，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目于2024年6月正式动工，项目推进高效，仅用一年时间即完成主体结构封顶，顺利转入装饰装修与设备安装阶段，并最终如期达成2025年底通线的建设目标：

图：厦门士兰制造基地规划

• 2024年6月，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目开工；

• 2025年2月，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）完成全面封顶；

• 2025年6月，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）提前搬入首台设备；

• 2025年9月，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）举行竣工仪式；

• 2025年11月：士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线全部设备已安装到位并完成调试，开始投片试生产；

• 2026年1月：士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）举行通线仪式，将迈入正式投产。

士兰微电子表示，该项目以碳化硅MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车主驱逆变器等高需求领域，可以较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、AI服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

来源：行家说三代半

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。