武汉大学招收半导体材料和先进封装协同设计方向博士后等研究人员

武汉大学动力与机械学院、集成电路学院郭宇铮教授、张召富教授团队招收电子封装、先进封装工艺、集成电路微纳制造、人工智能/AI4S等方向的博士后等研究人员。课题组团队已获得基金委、中组部与武汉大学重点资助。团队具有雄厚的计算资源、实验资源、技术资源及充足的科研经费支持，可为青年科研人员提供自由的科研氛围与优越的发展前景。

一、招聘要求

1. 获得（或即将获得）封装、微纳制造、力学、微电子工程等相关专业博士学位，年龄35周岁以下，有同行认可的学术成果（博士期间以第一作者在国际知名期刊发表论文）；
2. 具有独立的科研能力和创新意识，自律的科研心态；
3. 具有电子封装、先进封装工艺、集成电路微纳制造相关的实验能力（制备或者表征），或者具有上述领域的多场多尺度仿真能力（基于第一性原理、分子动力学、有限元、机器学习中至少两个技能，掌握VASP/ATK/QE GPUMD/ DeepMD/ Lammps、Ansys/Comsol/Abaqus等两种软件以上）；
4. 具备良好的学术发展潜力，有志于在课题组现有研究方向上继续深入；有较强的英文阅读、写作、听说能力，有国外研究经历者优先考虑；
5. 身心健康，为人认真负责，有创新意识和良好的团队协作精神；工作勤奋主动，严谨负责，能独立或协助指导研究生开展相关实验或仿真研究。
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二、薪酬待遇

1. 对优秀的博士后，可以通过申请赴剑桥大学等世界顶级学校进行交流、交换和深入合作交流;
2. 薪酬根据个人在相关领域的研究积累和博士后管理有关规定从优发放，视申请者资历确定具体职位（博士后、助理教授、副研究员）和薪水，其中博士后年收入30万元起(税前: 经含校发、合作导师奖励)，特别优秀者具薪资待遇面议，3-6年可转长聘副教授；提供五险一金、住房补贴或博士后公寓，并享受子女入托入学、医疗等待遇；
3. 优秀的博士后申请人可以申请武汉大学“卓越博士后”，校发年薪30万元，导师根据申请人的综合情况给予额外资助。详情参考官方宣传《武汉大学“弘毅博士后”计划2025年全球招募公告》https://rsb.whu.edu.cn/info/1182/28151.htm；
4. 提供优良的实验科研条件或超算计算资源；
5. 积极支持并优先推荐申请者申报武汉大学“弘毅博士后”计划等各类博士后人才资助、中国博士后科学基金和国家自然科学基金青年项目等；鼓励申请者在感兴趣的研究方向深入探索。

课题组导师简介

郭宇铮：武汉大学动力与机械学院院长，教授/博导，集成电路学院、电气与自动化学院、中南医院教授，刘胜院士团队核心成员。基金委青A项目、国家级青年人才项目获得者。剑桥大学博士、博士后。本科毕业于北京大学物理学院，硕士毕业于美国佐治亚理工学院材料科学与技术系，博士毕业于英国剑桥大学工程系（导师英国皇家科学院与工程院双院院士John Robertson教授），曾先后在剑桥大学、哈佛大学担任研究员。致力于微纳制造、半导体器件与器件协同设计、宽禁带半导体、陶瓷封装、高熵合金等领域的理论计算与实验研究等方面的研究，发表SCI检索200论文余篇，通讯作者发表包括Nature、Nature Materials、Nature Communications、Science Advances等国际一流刊物，被引用万余次。主持中组部、科技部、国家自然科学基金委重点项目、南方电网、国家电网等多项基金。获得武汉大学“我心目中的好导师”等荣誉称号，多名学生获得国家奖学金、“十大学术之星”、学术创新一等奖等奖项。

个人主页链接：http://jszy.whu.edu.cn/guoyuzheng/zh_CN/index.htm

邮箱：yguo@whu.edu.cn

张召富：武汉大学集成电路学院教授、博导，刘胜院士团队核心成员，获得国家级青年人才项目支持。香港科技大学博士（导师Kevin J. Chen教授，IEEE Fellow），剑桥大学博士后（导师英国皇家科学院与工程院双院院士John Robertson教授）。一作/通讯作者身份在Acta Materialia, APL, IEEE TED, IEEE EDL, AFM等期刊发表论文100余篇。做会议特邀报告20余次；谷歌学术h-index为43，引用6500余次。担任《武汉大学学报》、Fundamental Research、InfoMat、J. Mater. Sci. Technol.等多个期刊编委。主要研究方向：（1）集成电路半导体材料、器件与工艺协同设计（基于第一性原理计算、分子动力学、有限元和机器学习/AI4S等多场多尺度仿真）；（2）先进封装工艺的多物理场多尺度仿真与集成（2.5D/3D封装、Chiplet、Interposer、TSV等）；（3）半导体材料、缺陷、界面、器件、制备工艺、封装工艺的多尺度建模仿真，及其对器件性能影响（围绕GaN, SiC, Diamond, Ga2O3等）；（4）宽禁带器件制备与材料表征，半导体器件物理。

个人主页链接：https://ic.whu.edu.cn/info/1531/1241.htm

邮箱：zhaofuzhang@whu.edu.cn

Prof. John Robertson：剑桥大学电子工程系教授，英国皇家皇家科学院院士（FRS）、皇家工程院院士（FREng）、APS Fellow、MRS Fellow、IEEE Fellow，主要研究方向包括材料物理学、界面科学以及表界面电子学，长期从事类金刚石薄膜材料、碳纳米管、陶瓷薄膜材料，以及硅基、锗基、III-V族半导体电子材料与器件等领域研究，并取得了大量重要研究成果，谷歌学术h-index 高达150。

来源：课题组投稿

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