Wolfspeed实现12英寸SiC突破

1月5日，据Power Electronics International官网报道，Wolfspeed已成功演示12英寸SiC单晶衬底，这代表着其向下一代计算平台、沉浸式 AR/VR 系统以及高效电源设备发展迈出了一大步。

Wolfspeed首席技术官Elif Balkas表示：“成功生产12英寸单晶碳化硅衬底是一项意义重大的技术成就，也是Wolfspeed多年来在晶锭生长和衬底加工领域专注创新的成果，这使Wolfspeed能够为业界创新提供支持，尤其是在人工智能生态系统、沉浸式虚拟现实系统以及其他高压器件应用等关键领域。”

文章进一步透露，Wolfspeed12英寸平台将用于电力电子器件的大批量碳化硅制造技术与用于光学和射频系统的半绝缘衬底先进技术相结合，这种融合将支持跨越光学、光子、热学和功率领域的新型晶圆级集成。

Wolfspeed 表示，他们的12英寸碳化硅方案能够实现高压供电系统、先进散热解决方案和光子互连在晶圆级的集成，从而将系统性能提升到超越传统晶体管尺寸缩放的水平。

文章表示，从应用端需求来看，碳化硅的材料特性与12英寸平台的技术优势形成了精准适配。在人工智能领域，随着工作负载持续攀升，数据中心电力负荷同步激增，对更高功率密度、更优散热性能及能源效率的需求日益迫切，而碳化硅具备的优异导热性与机械强度，可有效匹配这一需求升级。

在下一代AR/VR领域，紧凑轻巧的设备结构需求与高亮度显示、广视野、高效散热管理的功能诉求并存，碳化硅在导热性、光学折射控制方面的特性，使其成为构建多功能光学架构的理想材料。

除了人工智能基础设施与AR/VR领域，12英寸碳化硅平台的落地还将进一步拓展先进功率器件的应用边界，其不仅能为电网级高压能量传输、下一代工业系统等场景提供核心支撑，更可凭借技术优势推动相关组件向更小体积、更优性能、更低发热量的方向升级。

据调研，近年来12英寸n型4H-SiC单晶研发和量产成为了衬底厂商“竞赛”焦点，2024年仅3家厂商实现SiC晶锭10-12英寸扩径，截至目前国内外合计有15家企业成功制备12英寸SiC晶体或衬底。

图（有更新）：《2025碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》

然而，现阶段12英寸SiC晶体生长仍处于技术突破的早期阶段，生长过程中的各种不确定性因素众多，导致其整体良率处于一个非常低下的状态。这一巨大的良率差距，是当前12英寸SiC成本高昂、难以普及的核心原因之一。

不过，随着头部厂商持续加码12英寸技术研发迭代，加之下游AR眼镜、先进封装等新兴领域对大尺寸衬底的需求持续攀升，12英寸SiC衬底的技术成熟与成本优化进程有望加速推进。

来源：行家说三代半

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