Coherent 扩展碳化硅平台，300 毫米产能瞄准 AI 与数据中心散热需求

全球光学与半导体材料厂商 Coherent 高意（NYSE: COHR）近日宣布，其新一代 300 毫米碳化硅（SiC）平台取得重要进展。该平台面向人工智能（AI）与数据中心基础设施的高功率、高功率密度应用需求，重点提升散热效率与系统能效，标志着碳化硅材料在大尺寸化与工程化方面迈出关键一步。

作为大直径碳化硅衬底领域的先行者，Coherent 高意此前已在 200 毫米碳化硅平台上积累了较为成熟的技术与制造经验。基于此，公司进一步开发出 300 毫米碳化硅解决方案，以应对 AI 数据中心不断攀升的热负荷和功率密度挑战。随着算力规模持续扩张，数据中心对功率器件开关速度、能效水平及热管理能力提出了更高要求，更大尺寸碳化硅晶圆被认为是提升系统效率的重要路径之一。

从应用场景看，该 300 毫米平台的首要落地方向集中在数据中心散热与功率管理领域。在高功率、高频运行条件下，碳化硅材料具备更低损耗和更优热稳定性，有助于提升整体能源利用效率，缓解散热瓶颈。同时，Coherent 高意也在持续推进材料创新与产能扩充，探索碳化硅在 AR/VR 设备以及电力电子领域的进一步应用。

Coherent 高意高级副总裁兼总经理 Gary Ruland 表示，人工智能正在深刻改变数据中心的系统架构与散热管理方式，而碳化硅是支撑这一变化的关键材料之一。公司计划推进 300 毫米碳化硅平台的规模化量产，以在散热效率与系统能效方面实现进一步提升，从而支持 AI 数据中心实现更高运行速度与更优能耗表现。

从材料性能角度看，该平台所采用的导电型碳化硅衬底具备低电阻率、低缺陷密度和高均匀性等特征，可支持低功耗、高频工作状态，并保持良好的热稳定性。这些特性使其在 AI 与数据基础设施中具备明显优势，有助于提升下一代数据中心系统的整体能效与可靠性。

此外，该技术在其他领域同样具备拓展潜力。在 AR 智能眼镜和 VR 头显中，碳化硅材料可用于实现更薄、更高效的波导器件，提升紧凑型沉浸式显示模块的稳定性与集成度；在 电力电子领域，向 300 毫米晶圆的过渡将显著提高单片晶圆的器件集成数量，降低单位芯片成本，为电动汽车、可再生能源及工业自动化等应用提供更具性价比的解决方案。

总体来看，300 毫米碳化硅平台的推进，进一步强化了 Coherent 高意在宽禁带半导体材料领域的技术积累和产业布局，也反映出碳化硅材料正从“性能优势”走向“规模化与工程化应用”，在数据中心、光学与电力电子等多个方向持续释放价值。

来源：DT新材料

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