回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。

为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，我们邀请了瑞能半导体SiC产品线负责人James、京航特碳KA客户总监李雪光，为大家带来深度洞见与前沿观点。

技术迭代驱动产业升级 SiC/GaN渗透多点开花

Q：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？

James：我会用“迭代”，完整的表述是技术迭代。我本来想用“降价”这个词，因为在2025年的产业热议话题中，“价格调整” 无疑是焦点之一，而SiC产业的产品价格降幅，不仅显著超出其他半导体品类，更持续突破业内普遍预期。不过，我想强调的是，价格变动仅为产业发展的外在表现，技术迭代才是驱动这一现象的核心内因。

2025 年堪称 SiC 产业全产业链技术突破与迭代升级的关键之年，其技术演进贯穿产业上下游：材料端衬底与外延制造技术的迭代优化大幅提升了晶圆材料性价比，Fab制造端完成了工艺节点的升级（包括平面SiC MOSFET普遍实现了3~4um cell pitch的量产、Trench MOSFET的工艺实现、8英寸SiC晶圆通线及量产），设计公司也纷纷利用新的制造技术，优化设计，推动功率器件及模块的产品迭代升级。

正是这些关键领域的技术迭代突破，促使 SiC 器件的性价比实现跨越式提升，进而推动其在功率器件市场的渗透率持续保持扩张优势，为SiC终端应用设计方案的普及提供了强劲支撑。

李雪光：我认为选用“规模化破局”总结2025年第三代半导体（SiC/GaN）产业发展最为精准。本年度产业完成从技术验证与产能爬坡阶段向规模化量产验证、成本曲线下行与供应链垂直整合并行的关键跃迁，车规级功率模块、数据中心高效能电源等核心场景实现商业化批量落地，相关耗材产品价格完成非理性下行后的触底企稳，行业正式迈入“技术成熟度-商业可行性”双向适配的健康成长周期，作为石墨耗材供应商也将跟随行业发展脚步企稳。

Q：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？

James：第三代半导体中，我关注SiC会比较多，2025年SiC在8英寸晶圆上完成了“衬底-外延-晶圆制造-装备”全链条的集体跃升，可以说是SiC的8英寸量产元年。2025年基于8英寸晶圆的器件设计也是纷纷展开，预计2026年占比会大幅提升。

应用端，2025年汽车，光储和数据中心应用对于SiC器件的需求继续放量。新能源汽车，SiC主驱渗透率首次突破30%；光伏，国内200kW以上组串逆变器采用 SiC 二极管和MOSFET渗透率已经超过60%；数据中心，英伟达800V直流架构刺激3kW以上钛金PSU批量导入SiC+GaN，渗透率达到24%。

李雪光：2025年第三代半导体（SiC/GaN）产业以“规模化破局”为核心主线，在石墨材料体系优化、产能集约化升级、高端场景渗透、供应链自主可控与产业生态协同五大维度实现系统性跃升，标志着产业全面完成从“技术可行性验证”向“商业价值规模化释放”的战略转型，为全球半导体产业结构升级提供石墨耗材的核心支撑。

SiC渗透率稳步攀升 融合普及成发展主线

Q：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？

李雪光：我认为行业当前主要面临以下几大问题：

一是同质化竞争激烈：石墨耗材等核心配套领域产品同质化严重，行业下行期企业为争夺订单陷入低价内卷，忽视技术升级与质量管控。

二是质量风险凸显：部分供应商以次充好，导致石墨耗材的颗粒释放量超标、抗溅射能力不足，间接造成半导体器件污染、工艺效率下降，破坏市场信任体系。

三是降本需求与质量保障矛盾：下游企业降本增效压力向上游传导，迫使耗材供应商压缩成本，进一步加剧偷工减料现象，形成“内卷 — 质量下滑 — 行业承压” 的恶性循环。

但是，未来行业有望通过以下路径去解决以上难题：

一是材料与工艺升级：推进 SiC 大尺寸（8 英寸及以上）衬底激光剥离、低缺陷外延技术，优化 GaN 多缓冲层异质外延工艺，降低晶体缺陷密度；开发 SiC/GaN 混合结构、三维异质集成器件，提升功率密度与能效。

二是设备与产能优化：搭建 8 英寸先进功率半导体开放共享平台，推广规模化生产；研发高温退火石墨炉、原位监测外延设备等核心装备，降低制造成本 20% 以上。

三是可靠性与标准化建设：建立器件热稳定性测试、质量控制统一标准，通过结构优化（如沟槽栅设计）、表面钝化技术提升极端环境可靠性；推动产学研协同制定耗材性能标准（如石墨耗材颗粒释放量、抗磨损指标）。

Q：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。

James：普及，展望未来五年，伴随SiC器件价格的进一步下行，其在功率系统中的应用将迎来规模化普及。

在相同耐压场景下，采用SiC器件相较于传统方案，可实现导通电阻与开关损耗的大幅降低，尤其在650V-3300V耐压区间内，SiC-MOSFET替代IGBT或超结MOSFET，能够显著达成系统效率提升、体积缩小及散热方案简化等多重价值。

据业内普遍预测，SiC功率器件的市场渗透率将从 2025 年的 7% 稳步提升至五年后的 22%，期间将维持约 30% 的年复合增长率，继续保持高速成长。这一趋势的背后，既是技术迭代持续释放的成本与性能的红利，也印证了SiC在功率半导体领域的核心替代价值。

李雪光：“融合普及”最为契合未来5年第三代半导体行业的发展主线。其核心内涵体现在三大维度：技术端实现材料体系-制造工艺-封装集成-系统应用的深度跨层级融合；市场端完成从高端领域试点应用向全场景规模化渗透的广度覆盖；同时我们也会配合市场，从石墨方面的供应链端建立自主可控与全球协同的生态共建格局。从石墨端推动产业完成从“规模化破局”到“高质量普及”的关键跨越，积极配合并且构建第三代半导体与新能源、智能制造、数字经济等战略性新兴产业与石墨端的深度绑定生态。

聚焦核心应用市场 两大厂商深耕长期价值

Q：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？

James：瑞能半导体在SiC领域的布局，是一场聚焦长期价值的产业长跑 —— 既要保持拓展市场的速度，更需坚守深耕技术的耐力。瑞能已经布局了650V~2300V SiC Diodes & SiC MOSFET器件和模块全系列产品：有工规产品系列，也有车规产品系列；有性能表现业界领先的产品系列，也有极具性价比的产品系列；有丰富的器件封装外形，包含直插，表贴，正面散热，内部绝缘等，配套客户多样化的系统需求；也有满足各类应用的功率模块产品，包括PCS，储能，光伏，SST等热门应用需求。2026年，瑞能将正式推出沟槽栅SiC MOSFET系列产品，给电源设计师们提供更优的功率器件选择，也将给当下超结MOSFET的应用市场带来强有力的竞争。

2023-2024-2025 年，瑞能半导体 SiC 业务连续两年实现高速增长：销售额年均增幅达50%，出货量年均增长超100%，尤其是 2025 年销售额成功突破亿元大关，达成阶段性关键目标。瑞能在消费电子、工业电源、光储充及新能源汽车四大核心应用领域，持续加大资源投入，在技术迭代深化、产品矩阵扩展、行业应用渗透等关键维度，均取得了令人瞩目的成果。

2026 年，瑞能半导体将持续聚焦工业电源、数据中心、光储充、新能源汽车等战略级应用市场，以“在保持超越行业平均增速的同时，维持正毛利率运营”为核心目标。公司秉持 “不卷价格、技术为先” 的发展理念，始终以技术迭代为核心驱动力，致力于与产业链上下游伙伴构建紧密合作生态，为客户提供高附加值的解决方案与支持，高可靠度的SiC功率器件及功率模块产品。

李雪光：今年，我们将在以下六大方面持续发力：

一是技术与产能：持续优化半导体级高纯、细颗粒等静压石墨等产品性能，保障产能弹性与交付周期，匹配 FAB 厂与离子注入厂商的扩产节奏。

二是服务体系：建立针对半导体客户的快速响应机制，提供定制化方案、工艺协同开发、售后技术支持等全流程服务，提升客户粘性。

三是成本与效率：通过规模化生产与供应链优化，保持价格竞争力，助力下游厂商降本增效，推动 “融合普及” 战略落地。

四是全力支撑 “融合普及” 战略，完成从 “规模化量产验证” 到 “高质量稳定交付” 的关键过渡，保障交付的一致性、可靠性与及时性。

五是与国内离子注入厂商深度协同，同步推进研发、中试、量产各阶段，解决其在设备与工艺适配中的石墨材料痛点，助力其快速上量。

六是抓住半导体价格企稳、厂商重启扩产的窗口期，扩大在国内半导体 FAB 厂的份额，提升国产高端石墨材料的渗透率。夯实全球高端第三代半导体供应链核心供应商地位，强化技术与交付优势，提升全球市场话语权，推动国产替代加速。

文章来源：行家说三代半

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。