甬江实验室攻克大尺寸超薄碳化硅晶圆加工难题

甬江实验室异构集成研究中心聚焦第三代半导体核心基材加工难题，在6-8英寸大尺寸超薄单晶碳化硅晶圆研发领域取得重大技术突破，成功制备出厚度20-30微米的高品质单晶碳化硅晶圆，核心指标达行业领先水平，已具备向下游核心企业送样测试与工艺适配评估的坚实基础。

贴敷在玻璃衬底上的厚度30微米的8英寸碳化硅单晶晶圆

针对碳化硅材料硬度高、大尺寸超薄晶圆加工易翘曲碎裂、厚度均匀性控制难度大等行业共性痛点，研究中心创新开发独创的室温超平整临时键合与精密减薄技术，并与激光剥离技术深度融合形成一体化工艺路线，替代传统高温键合+机械研磨的加工模式。该技术体系实现碳化硅晶圆无高温应力下的键合与精密减薄，成功制备出6-8英寸规格超薄碳化硅晶圆，晶圆厚度偏差（TTV）精准控制在2微米以内，一举突破大尺寸超薄碳化硅晶圆加工的精度与良率瓶颈，为高端碳化硅基材国产化提供了核心工艺支撑。

在工程化落地层面，团队依托实验室异构集成核心技术平台，快速完成键合、减薄、剥离全工艺链路的参数调试与定型，实现了大尺寸超薄碳化硅晶圆的稳定制备，大幅缩短了技术从研发到产业化的转化周期。

这款超薄碳化硅晶圆兼具优异的厚度均匀性与结构完整性，可有效提升器件功率密度、散热效率与高频性能，在高性能功率芯片和国防军工大功率相控阵雷达等高端领域具有重大应用价值与市场潜力。

下一步，研究中心将围绕6-8英寸晶圆的批量稳定制备、长期可靠性验证、与下游器件制造工艺的协同优化持续开展攻关，同步启动12英寸超薄碳化硅晶圆加工技术的预研与工艺开发，完善原料配套体系与全流程质量控制标准，加速推进该技术的中试放大与产业化导入进程，助力我国第三代半导体产业核心基材的自主可控与技术迭代升级。

来源：DT半导体

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