张清纯博士：SiC器件产业化才刚刚起步

为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，我们邀请到了为清纯半导体董事长、复旦大学特聘教授张清纯博士。为大家带来关于产业发展逻辑与未来趋势的独家前沿洞察。

对于清纯半导体而言，2025年是他们“在激流中勇进、于变局中开拓的一年”，主流SiC MOSFET出货量同比增长160%，销售额持续突破1亿元。

作为从事SiC半导体领域29年的“探索者”，以及创业第五个年头的“实践者”，张清纯博士在采访中认为，中国SiC半导体产业已经完成了三个重要“升级”，并且认为SiC器件的产业化之路才刚刚起步。

SiC营收过亿，出货增长1.6倍

获得多家汽车主驱项目定点

Q：2025年清纯半导体的SiC业务在市场开拓方面取得了哪些成绩？

张清纯博士：2025年是我们公司在激流中勇进、于变局中开拓的一年。总体来说，我们在多个方面取得了新的突破：

首先是出货量和营收。自2021年成立以来，清纯半导体的SiC器件年销售额逐年呈阶梯式增长，今年销售额继续超过1亿元，其中90%以上来自SiC MOSFET。2025年我们主流SiC MOSFET出货是2024年的近2.6倍。

其次是市场拓展方面，公司的业务已从早期的充电桩领域成功延伸至消费类、光伏储能、数据中心及新能源汽车等多个重要领域。公司在充电桩、光伏、储能等基本盘客户群体持续扩大，并已成为多家国内外头部数据中心电源客户的SiC芯片供应商。在新能源汽车领域，公司SiC MOSFET不仅成功进入欧洲头部车企主驱研发和量产项目定点，还在国内多家头部车企实现主驱、OBC、空压机、换电站的定点和出货。

Q：在过去一年，贵公司SiC业务主要做了哪些关键工作？

张清纯博士：2025年清纯半导体的重点工作主要包括4个方面：

首先是8英寸SiC晶圆产能拓展取得显著突破。在现有6英寸SiC产能基础上，公司重点推进8英寸SiC产能布局，2026年将有8英寸产线开始起量，目前已具备充足的8英寸产能，后续公司还将持续和产业同行携手共进，共同推进国产 SiC 器件的高质量、规模化发展。

其次是运营模式完成转型。2025年我们自有晶圆厂的通线标志着公司从“Fabless”转型成为“Fab-lite”模式。惟清半导体聚焦前沿设计、工艺开发验证、新型SiC 器件的开发和量产，同时与国内领先的晶圆代工企业达成战略合作，在产能、成本和质量控制等方面实现产品的保质保量，为即将到来的SiC需求大爆发做好了充足的准备。

第三是技术突破。一方面，第三代SiC MOSFET以更高的效率和更高的可靠性给客户提供更优质的选择，目前该主驱芯片正在交付国外龙头车企。另一方面，我们第四代SiC MOSFET技术平台成功开发，首批采用第四代设计和工艺的大尺寸主驱芯片下线，首次流片平均良率和电阻达到国际领先水平。新一代制造技术也同时全面提升 SiC 器件的动态可靠性到更高水平。

第四是大客户战略取得显著成效。一方面在充电桩领域，车规级SiC MOSFET已交付超2000万颗，成为头部充电桩企业核心供应商。同时大规模市场应用数据表明我们的SiC MOSFET终端失效率远低于国际龙头同类产品，奠定了客户对我们技术和产品质量的充分信心。另一方面在数据中心和汽车主驱领域，与多家龙头企业达成项目定点或上量合作，同时在与国际、国内头部企业的合作中，逐步建立起完善的质量管理体系。

因应更好服务各行业大客户的要求，2026年公司对内部架构进行了重大调整，强化面向大客户的服务职能，今年大客户开拓和服务将进入快速发展阶段。保质量、保交付、建体系将成为今年业务的主弦律。

中国SiC器件完成3大“升级”

8吋产能与车规定点将是生存关键

Q：如果用一个关键词总结2025年中国SiC器件行业的发展，您会用哪个词？

张清纯博士：我的关键词是3个“升级”，中国SiC器件行业从8吋产能到SiC MOSFET技术和产业生态三个层面经历了系统性的升级，将迈入了一个全新的发展阶段。

首先是8吋SiC产能升级。中国已经有十几条6/8英寸兼容或8英寸SiC产线，尽管大部分产能尚未被充分利用，只有少数产线实现小规模出货，但已经实现了与国际同步的6英寸向8英寸的产能跨越，这个跨越的意义重大，因为这是服务车规级大客户、实现规模化发展的关键。

由于8英寸产线自动化程度高，工艺可追溯性强，晶圆参数均匀性更好，更能满足车规级大客户对SiC MOSFET一致性、可靠性与大规模供应的严苛要求，而且长期来看8英寸产线的降本潜力更大。

其次是SiC MOSFET技术升级。一方面，国内领先企业的SiC MOSFET产品在电参数与可靠性方面已与国际先进水平持平，进步显著，尤其是在高温动态可靠性上，今年几家主要代工线的产品已展现出非常稳定的水准。另一方面，国产SiC MOSFET芯片初步实现了主驱应用突破，预计将在2027年实现规模上量。

第三是产业生态实现升级。由于在产业快速发展的背景下，早期涌现的众多初创企业正面临巨大的生存挑战，“出清”或整合将是产业升级的必然过程，因此接下来，企业发展模式的选择可能比产品迭代更关键，产品质量、交付、服务将成为制约企业进一步发展的关键。

“Fab-lite”模式顺应功率半导体产业发展趋势，可能是当前公司发展阶段和产业环境下更现实的选择，因为它结合了自主研发与外部代工，兼具灵活性与韧性，给客户，特别是国外客户提供更好的供应链安全保障。未来SiC 企业要留在“牌桌上”，必须同时拥有可靠、充足的8英寸产能保障及获得主流车企的定点项目。

Q：展望未来5年，您对SiC行业的发展有怎样判断？

张清纯博士：五年后，我认为国内SiC产业将走向高度成熟，其成熟度可类比于如今的硅基IGBT产业，新应用市场将持续突破，而且产业将通过吸收合并诞生3-5家龙头企业，并深度参与国际竞争，有望实现弯道超车的主导地位。

行业亟须健康竞争环境

SiC产业化才刚起步

Q：您认为，当前SiC行业面临的主要问题是什么？

张清纯博士：当前SiC行业面临的核心挑战在于尽快形成一个有序、公平的健康竞争环境。

经过三四年激烈竞争，SiC行业已接近格局初步稳定的阶段，产业价格和成本持续下降。然而产业的健康发展需要企业可持续经营，从而持续进行技术研发和产品迭代，健康的营商环境应尽力避免采取非常规的市场策略进一步激化恶性竞争。

Q：目前SiC行业“内卷”严重，您认为接下来SiC 的投资方向或者竞争重点应该放在哪些地方？

张清纯博士：从技术上来看，通过优化制造技术实现SiC MOSFET的技术迭代已接近定型，技术路线发展至今已相当成熟，尽管超级结、沟槽栅等SiC MOSFET结构改进能够带来一定性能提升，但已不足以对整个行业的竞争格局形成颠覆性变革。

因此，如今产业界、投资界有人认为SiC器件技术已经到了大众化的地步，甚至认为SiC技术已经比较低端，或者已经到头了，这是非常短视的看法。

客观来说，整个SiC器件行业只是解决了“有没有”的基本问题，SiC 技术的发展还处于初级发展阶段。我认为，下一阶段SiC产业的核心任务需要转向攻克深层次的基础科学问题，聚焦解决SiC器件“好不好”的根本性问题，SiC技术的发展至今只是“万里长征走出了第一步”。

下一代SiC器件技术的突破将取决于两个关键基础科学问题：一是沟道迁移率的根本性提升，二是SiC IGBT的少子寿命的均匀性控制。解决这两大基础科学挑战，将可能催生下一代具有里程碑意义的SiC 产品，也将能打开未来超高压功率芯片的海量市场。

在SiC基础科学问题的突破方面，我认为国内的政府和产学研用机构，需要注意可能面临新的“卡脖子”风险。据我了解，国外已经在这些基础研究上开始取得突破，因此我呼吁产业界、协会及各级政府的资源和投资，应该向这些方面倾斜，聚焦攻克核心科学问题，而不是继续进行低维度的产能建设。

工业界基本的共识是，SiC器件生命周期是很长的，SiC在未来几十年内都是做功率芯片的非常理想的材料。我们要进一步夯实产业发展基础，面向前沿、面向国际、面向经济主战场，我对SiC行业充满信心。

Q：未来贵公司有哪些发展规划？

张清纯博士：2026年我们公司发展的关键词仍然是“稳健”和“跨越式”。

在基本盘业务，今年的销售策略将侧重于追求稳健且可持续的经营，同时将增长动力逐步倾斜到正在培育的新业务，包括加快在数据中心、车载主驱芯片等领域的客户导入与规模上量。

产品开发策略角度，今年我们的产品与技术开发将紧密围绕大客户的具体需求展开，进行有针对性的研发，目前已经启动了多个定向研发项目，旨在为大客户提供更贴合实际应用的解决方案。

展望未来三到五年，我们希望成为国内领先的Fab-lite模式SiC企业。我们将致力于将公司打造成一个国际化的综合性功率半导体技术大平台，并为客户提供从芯片到差异化模块，乃至整体解决方案的全方位服务。

我们公司的核心理念是“与产业同步前行”。SiC 产业好比高速行驶的高铁，我们企业不应在站台上等待，而是要主动帮助合作伙伴发展，通过赋能合作伙伴实现产业规模扩大，进而依托产业成长带动企业自身的发展，也就是俗语所说的“大河有水，小河满”。唯有产业整体崛起、市场持续扩大，单个企业才能获得长远发展空间。

来源：行家说三代半

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