2026年初，宽禁带半导体产业全面进入规模化应用新阶段：碳化硅加速上车，9款新车密集发布，8英寸产线通线；氮化镓向中高压与智能集成突破，5 kV开关、300mm Chiplet刷新性能边界；超宽禁带材料在散热、探测、光学等场景实现工程化落地。国产装备、标准、生态协同发力，全产业链自主可控能力显著增强，支撑新能源、AI、具身智能等国家战略需求。

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政策资讯

中国管制对日本两用物项出口，涉金刚石、第三代半导体等关键材料与技术

中国商务部于2026年1月6日发布公告，决定加强对日本的两用物项出口管制，以维护国家安全和履行国际防扩散义务。管制范围涵盖具有军民两用特性的高端材料、技术和设备，包括金刚石窗口材料、六面顶压机生产技术、高功率微波等离子体化学气相沉积设备，以及碳化硅、氮化镓和氧化镓等第三代半导体材料。这些物项在导弹制导、激光武器、雷达和电子战等军事领域具有关键作用。

联盟观点：此举以国家安全为由，实质是围绕高端半导体材料的战略博弈，将极大加速国内从材料、设备到制造的全自主产业链的构建需求与投资热度。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/omcuDxyr3YRc3Tmt_rHzPw

多省发布“十五五”规划或重点项目清单，密集布局第三代半导体

广州：《广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年）》，明确提出大力发展碳化硅、氮化镓、氧化镓等第三代半导体材料制造，目标打造国家集成电路第三极核心承载区。

浙江：《浙江省“十五五”新型工业化规划（征求意见稿）》，将氧化镓、金刚石、碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料列为打造新一代信息技术产业高地的关键突破方向之一。

江苏/浙江/广东/山西：2026年初，四省共公布多个宽禁带半导体相关重点项目，覆盖衬底、外延、芯片、模块等环节：

信息来源：

https://mp.weixin.qq.com/s/Yg-jyYhBPyl6Mvi6riPT2g、

https://mp.weixin.qq.com/s/aX3Lfybm7FxeGw3tf683DA、

https://mp.weixin.qq.com/s/m0bIQhezhbCKzQEJF458KA、

https://mp.weixin.qq.com/s/BhRScsKU176nrwrC2iIaVg

联盟动态

宽禁带联盟2026年度第一次团标评审会顺利召开

2026年1月21日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟召开2026年度第一次团体标准评审会。审议并通过以下标准：

宽禁带联盟现面向全行业开放合作，诚邀宽禁带半导体材料生产、设备制造、终端应用等领域企事业单位参与上述标准编制起草工作。有意者可通过以下方式联系联盟标委会，共同推动标准技术落地与产业升级！

邮箱：zhouziji@iawbs.com；电话：010-50875766转721

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/RxB-kvwvthtBYYtLLtDu7g

碳化硅领域资讯

本章提要

2026年1月，碳化硅产业在技术研发、产能建设、市场应用及资本运作等方面呈现全面活跃态势。

技术端，低温欧姆接触、沟槽工艺等取得突破；

制造端，8英寸产线通线、国产设备批量交付；

产业链协同显著增强，多家企业通过战略合作，推动SiC芯片、模块及系统级解决方案在车规、eVTOL、工业等场景快速落地；

应用端，9款SiC新车密集上市，并拓展至AR光波导等新场景；

资本与专利协同发力，全链条生态日趋成熟。

技术前沿:

铂（Pt）：一种适用于p型碳化硅(SiC)的低阻欧姆接触材料

京都大学提出一种用于p型SiC功率器件的低电阻率欧姆接触新工艺，使用铂作为接触材料，并仅在600°C的相对低温下进行退火。

方案优势：

表面更平滑：在600°C退火的铂电极表面粗糙度（1.41 nm）远低于传统1000°C退火的Ti/Al电极（10-40 nm）。

良好的电学性能：在600°C退火的铂接触呈现出欧姆型的电流-电压特性，并且接触电阻率低至3.2×10-5 Ω·cm2，与传统高温退火的Ti/Al接触相当。

较低的热预算：600°C的退火温度远低于传统方法，有助于保护器件。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/lEVm_kG70fYJl-p1NtbnqQ

深圳平湖实验室发表4H-SiC沟槽工艺研究成果

深圳平湖实验室胡钦博士聚焦4H-SiC沟槽器件后处理工艺，研究发现，氢气氛围1350℃退火5分钟，可显著降低沟槽粗糙度，而10 nm牺牲氧化可平滑表面，有效消除蚀刻缺陷。

方案优势：该成果为优化4H-SiC功率器件工艺、降低研发成本提供了关键技术支撑。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/A67UkMys01KKDW2OMzXc9w

深圳平湖实验室：面向特高压大电流功率器件的8英寸200μm4H-SiC厚膜同质外延研究

深圳平湖实验室研究团队成功开发出适用于特高压大电流功率器件的8英寸200μm厚4H-SiC同质外延技术。该技术解决了外延生长中的三大难题：缺陷控制、少子寿命提升和均匀性调控。通过优化CVD设备结构、精准调控工艺参数及引入HCl辅助刻蚀等方法，实现了外延层厚度不均匀性低于1%、掺杂浓度不均匀性约3.92%，少子寿命超过5μs，可用面积最高达96.9%。该成果为特高压SiC IGBT等器件的产业化提供了关键材料基础，有望推动新能源、智能电网等领域的技术升级。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/eQQUSv2pJKIGAiGw2zxXlg

北京大学合作团队在GaAs/SiC键合领域取得进展

北京大学高鹏团队与苏州晶瓯半导体科技有限公司合作，采用表面活化键合技术成功制备了6英寸GaAs/SiC键合晶圆，相比传统GaAs/Si结构，该GaAs/SiC键合结构散热效率提高66%，可有效缓解GaAs因低热导率引起的自热问题。

研究发现，界面处存在约2.4 nm的非晶过渡层，该非晶层可充当“声子桥梁”，提升热导能力，当该非晶层厚度为2 nm时，界面热导达到最优值114.7 MW/m2·K，比无中间层结构提升10.4%。该研究为大尺寸GaAs基高功率器件提供了有效的热管理解决方案和界面设计指导。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/NJshZxHU-BfbWBrOhsljng

企业合作:

天域半导体与青禾晶元共塑碳化硅新格局

2026年1月16日，天域半导体及青禾晶元签订战略合作协议。双方将共同推进 bonded SiC、SOI、POI、12英寸SiC复合散热基板及中介层等键合材料的工艺开发和量产导入。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/QSt5MI9dwWfgohg7TA3h_Q

芯合半导体与深向科技：达成SiC高压功率芯片合作

1月6日，芯合半导体与深向科技签署SiC高压功率芯片车芯协同产业化项目合作协议，共同攻克车规级SiC芯片的上车应用难题，推动国产SiC芯片在高端车型的规模化应用。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/uvYUgjRsB1v534q2cUdkAQ

联创汽车电子与扬杰科技：深化智能汽车功率半导体合作

近期，扬杰科技宣布与联创汽车电子正式签署战略合作协议，双方将聚焦智能汽车功率半导体领域，围绕底盘域、电驱系统等核心应用，共同开发750V/1200V SiC模块、双面散热IGBT等新封装器件，预计2026年第四季度实现批量搭载。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/rXHYGcgkuum3RSZ7OCNNOA

欣锐科技与小鹏汽车：联合研发SiC多合一平台量产落地

1月5日，欣锐科技与小鹏汽车联合研发的“小鹏混碳电控＋单级OBC全新多合一技术平台”产品下线，首次实现混碳技术、单级OBC和域控集成的融合，具备规模化交付能力。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/n4B7j-DyoyMbGzW-bAJ3bw

羿变电气与亿维特：推进eVTOL碳化硅应用

12月29日，羿变电气与亿维特签署战略协议，旨在推进eVTOL（电动垂直起降飞行器）碳化硅应用。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/D58og5H6R2uP90b70iQSaA

方正微电子、爱科赛博、邑文科技：共建第三代功率器件联合实验室

12月26日，方正微电子、爱科赛博与邑文科技正式达成战略合作，共同成立“第三代功率器件半导体装备应用产业链联合实验室”，形成“技术-应用-反馈”闭环生态，推动SiC技术的研发与产业化应用。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/wY4n1ICfJe_unM51DXz57Q

中联发展控股与龙腾半导体：合作设立功率半导体研发中心

中联发展控股与龙腾半导体计划在中国香港共建宽禁带功率半导体研发中心，聚焦SiC和GaN技术，覆盖产品设计、测试、应用开发及先进制造等方向。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/4tmlgSJzSVbXiWaqZceZdg

企业动态/新产品/新技术:

【产线提升】士兰微：8吋SiC芯片项目一期通线，年产能42万片

1月4日，士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片生产线一期正式通线，年产能达42万片，总投资120亿元，由子公司士兰集宏负责，主要生产用于新能源汽车、光伏等领域的高性能碳化硅芯片。划二期投产后总产能将提升至72万片/年。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/7io-bwhDIIslI2KAQKMYhQ

【国际竞争】国际巨头12寸SiC实现突破，加速大尺寸SiC普及

Wolfspeed：展示其12英寸SiC单晶衬底技术，该技术融合了大批量制造与先进衬底工艺，有助于提升系统性能，满足高压、散热及光子集成需求。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/gEMV08DS4yC1a7zov4-_EA

Coherent高意：新一代300mm SiC平台取得重要进展，主要面向AI和数据中心的高功率应用，旨在提升散热效率和系统能效，推动SiC材料的规模化应用。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/kKGQKf1EoQrw75J2nbDYIw

【应用普及】9款SiC新车相继发布

多家主流车企近期密集推出了搭载SiC技术的新一代车型，标志着SiC技术正在快速普及且价格持续下探。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/Nv5Mc5v-jHj5DJU2j3yHAw

https://mp.weixin.qq.com/s/Ph9W1qF18qO3ZKbimRrKLQ

【新兴应用】碳化硅光波导技术加速产业化，多家国内企业亮相SPIE 2026

2026年SPIE Photonics West展会，多家中国企业集中展示基于SiC的AR光波导技术成果，50°大视场角打破AR显示瓶颈，推动SiC从功率器件向高折射率光学材料拓展。

慕德微纳：展出全彩30°与50°碳化硅光波导样品；迭代版50°波导光效>1000 nits/lm，实测入眼亮度>3000 nits；计划2026年推出超轻薄、低成本SiC波导方案。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/ykSyR4fXML0_RHLL1QFZNQ

歌尔光学：发布F50Se光波导模组，视场角达50°；采用SiC高折射率材料+干法刻蚀工艺，有效抑制残影与彩虹纹；入眼亮度>1500 nits。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/mUi4Zv5wzBBX3mEZLReulQ

瑞声科技：首展50°FoV SiC光波导模组，采用单片式结构替代多片叠加；实现50°FOV+1500 nits亮度，改善色偏与伪影。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/vg0cb_PjUA6y0oFIjOFqEg

广纳四维：展出SiC全彩刻蚀样品；建立适用于SiC硬质材料的专用刻蚀与掩模工艺。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/5ca-vrv7aL-SNaozBvq1RQ

国产设备获得新突破

本月国产设备在多个环节取得市场突破，供应链自主可控能力稳步提升：

晶驰机电：自主研发的12英寸SiC单晶炉批量交付国际头部客户，该设备在晶体质量、工艺稳定性和量产能力等方面已达到国际先进水平。

6-12寸兼容的全自动腐蚀炉成功出口，该设备采用双工位、全封闭强排风及全流程自动化设计，在确保作业安全的同时显著提升生产效率，可稳定适配规模化量产需求。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/rHe3JsRafT0XArBAmhadow

https://mp.weixin.qq.com/s/udMEb8DjEC7pJxSqtyyZVA

思锐智能：高能及大束流离子注入机成功交付头部客户，并获得重复订单，标志着国产离子注入技术成熟度获市场认可。

信息来源：https://yuanbao.tencent.com/chat/naQivTmsDa/e779a7c6-c6a6-4fd6-93b9-501e43403d0e

晟光硅研：水导激光技术成功实现12英寸碳化硅晶锭一次性滚圆高效精密加工，加工后切割面光滑，外观完整无明显缺陷。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/Fkjy-1evJRL9SBxkjw6HOg

臻晶半导体：液相法长晶炉交付安徽大学，设备兼容6-12英寸晶体生长，配套工艺可稳定产出高质量碳化硅晶体。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/B41vxL9WkVpNaw8swbfaPA

芯湛半导体：晶圆减薄机通过华南大厂预验收，核心性能和稳定性获认可。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/2QeQI1JudvSqweRZdHUWxg

文德昌潍：首台碳化硅检测设备 Pacific-100 交付国内头部厂商，填补国产高端检测空白，针对6/8英寸SiC晶圆缺陷检测。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/3DYeAT5VHwhA7CWfde_vGA

京创先进：12英寸双轴全自动划片机 AR9000W 发往客户端，适配SiC等硬脆材料，划切效率接近国际头部品牌水平。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/ui8_hVm0GAMCnPazQjca2A

【1月新产品发布】

比亚迪：公开1500V SiC功率模块（型号：BME1400B15JE34U5N）完整规格书，具备对外供货能力，该模块采用碳化硅材料，额定漏极-源极电压为1500V，最高支持1000V电压平台，适配新能源汽车高压化应用需求。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/ueOIiutLb1DYwemNtJIasw

露笑科技：8英寸导电型SiC衬底研发取得重大突破，晶体质量达行业主流水平。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/OV9n3NshaR_wgypfeWDe5w

三菱电机：提供4款沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品，面向EV主驱、车载充电器以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统，适用于在各种功率器件中进行封装，与平面栅型SiC-MOSFET相比，功率损耗降低约50%，有助于降低功率器件功耗。

路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋