近日，全球知名科技行业研究与咨询公司Mordor Intelligence发布《碳化硅功率半导体市场分析报告》。

▲全球市场规模预测 | 图源: Mordor Intelligence

根据Mordor Intelligence数据，2025年碳化硅功率半导体市场规模为27.3亿美元。预计2026年将达到34.1亿美元，预计到2031年将达到102.6亿美元。2026年至2031年的复合年增长率（CAGR）预计为24.68%。

这一增长曲线主要由碳化硅技术的优势所驱动——更高的击穿电压、更低的开关损耗以及优异的导热性能，这些特性使其能够突破传统硅基器件的性能极限。同时，强制性的电气化目标、350 kW以上超快充电设施的部署，以及政策支持下晶圆厂的产能扩张，也共同强化了市场需求的可预见性。

此外，汽车OEM厂商的垂直整合、晶圆尺寸的快速转型、以及美国《芯片法案》（CHIPS Act）和欧盟“创新制造和集成计划”（IPCEI）等地缘政治激励措施，也进一步影响着供需动态。

尽管缺陷密度和封装级热限制仍然是成本方面的阻力，但电动汽车牵引逆变器、数据中心电源架和高压可再生能源的产量增长使碳化硅功率半导体市场保持着快速增长的态势。

市场趋势及洞察

电动汽车牵引逆变器效率要求

欧洲和中国的法规压力迫使汽车制造商全力提升电驱动系统效率。基于SiC MOSFET的800V架构相比硅基方案可节省2-4%的能耗，从而实现更轻的电池包或更长的续航里程。比亚迪、特斯拉等电车头部厂商均将碳化硅器件视为长期战略资源。

全球碳化硅晶圆厂产能扩张

从6英寸向8英寸的过渡，使单次生产的芯片产出增加约2.2倍，同时单位成本降低高达40%。

全球宽禁带政策激励

美国《芯片法案》为其碳化硅衬底和外延生产线提供补贴，而欧洲的IPCEI框架则为端到端的宽禁带价值链整合跨国资金支持。

高压超快充电设施部署

运营商转向400-500 kW充电桩时发现，碳化硅技术可减小变流器体积和冷却负载，从而降低资本支出和运营成本。

▲市场驱动因素分析 | 图源: Mordor Intelligence

当前主要技术挑战

晶圆缺陷密度与成本溢价

螺纹位错和基面缺陷密度技术标准仍是成熟硅基方案的5-10倍，导致良率降低，并使芯片成本增高。晶体生长工艺的改进正在缩小这一成本差距。

封装热循环可靠性限制

碳化硅裸片与铝引线键合之间的热膨胀系数失配，在快速负载波动下易引发疲劳问题，尤其是在150°C的环境温度下。

▲市场挑战分析 | 图源: Mordor Intelligence

细分市场及应用

终端应用：汽车驱动市场主导

汽车领域贡献了2025年61.45%的收入，突显其在推动市场规模化中的核心作用。向800V系统迁移的电动汽车制造商将碳化硅作为满足效率和充电目标的首选技术。快充基础设施尽管2024年基数较小，但预计到2031年将以26.25%的复合年增长率成为增长最快的子领域。数据中心运营商日益增长的兴趣，使IT和电信成为第二大买家群体，其服务器电源柜采用碳化硅以减少转换损耗。可再生能源变流器和工业电机驱动器采用碳化硅以获得高频开关优势，从而缩小磁性元件体积；铁路和电动航空平台则看重其耐高温性能。

▲细分市场占比 | 图源: Mordor Intelligence

器件类型：分立式MOSFET领先

2025年，分立式MOSFET和JFET占据43.35%的份额，因其设计灵活性和成本优化能力而受工程师青睐。然而，预计年复合增长率为10.05%的功率模块正日益取代分立器件，因为集成商倾向于采用可简化散热路径和缩短认证周期的单封装解决方案。肖特基二极管在同步整流中发挥互补作用，通常集成在模块内部以最小化寄生效应。

额定电压：600-900V主导

600-900V级别在2025年占据51.12%份额，是800V电车电驱系统和工业驱动器的理想选择。此电压设计能充分利用碳化硅的优势——开关频率余量和降低的导通损耗——且不会导致芯片成本过高。预计年复合增长率为9.64%的>3.3kV级别，开启了电网级应用，如太阳能组串式逆变器和电池储能系统，更高的阻断能力可缩小变压器体积。

晶圆尺寸：8英寸晶圆需求激增

2025年，6英寸衬底占出货量的72.35%，反映了成熟的晶体拉制基础设施。然而，8英寸晶圆正以9.31%的复合年增长率发展，成为实现更广泛市场渗透的成本降低杠杆。每片8英寸晶圆的芯片产出是6英寸晶圆的两倍多，有助于分摊代工成本并加速规模学习效应。