近日，成都天一晶能半导体有限公司研发团队，历经三年时间的潜心深耕，成功以液相法生长出6英寸立方碳化硅（3C-SiC）晶圆，为国产液相法SiC衬底规模化量产打下坚实的基础。

01 液相法生长技术的突破

碳化硅晶圆作为第三代半导体产业的核心基石，其生长工艺与晶型选择，直接关乎高端半导体器件的性能上限与产业发展的高度。当前，4H-SiC虽占据行业主流，但其应用局限已逐渐显现，而3C-SiC凭借独特的晶体结构，成为高端场景突破的关键方向。3C-SiC生长难度极高，易发生相变，难以实现单一晶型稳定生长，全球范围内尚未有成熟的规模化生长技术，其液相法生长更是处于前沿探索阶段，成为困扰整个行业的共性难题。
三年多来，天一晶能研发团队摒弃浮躁，深耕液相法生长技术，最终实现6英寸3C-SiC晶圆的成功生长。液相法生长技术的加持让晶圆纯度与结晶质量远超传统工艺，并破解了3C-SiC难以规模化生产的行业痛点。

02 3C-SiC的独特应用优势

6英寸3C-SiC晶圆

相较于当前主流的4H-SiC材料, 3C-SiC具有独特的应用优势。它更高的电子迁移率使其适配于高频、高压的高端应用场景，为5G通信、高端雷达等领域的性能升级提供新的可能；更优的衬底适配性可以兼容多种外延工艺，有效降低下游器件的研发与生产成本；在光伏逆变器、新能源汽车功率模块等应用领域，其更低的功耗(较4H-SiC降低15%-20%)更能助力节能降耗目标实现，彰显了技术的核心价值。
6英寸规格、液相法工艺和3C晶体型的有机融合，彰显了天一晶能的研发实力，是国产第三代半导体产业发展的重要里程碑。这不仅破解了全球3C-SiC规模化生产的行业痛点，还为3C-SiC规模化量产奠定了坚实基础，推动了国产第三代半导体从技术突破向产业落地稳步迈进提供了新的技术路径。

03 关于天一晶能

天一晶能创始人林洪峰博士，曾于2008年在浙江大学杨德仁教授（中国科学院院士）的指导下，从事“大直径直拉单晶硅的生长工艺与缺陷控制研究”的博士后课题研究，在液相法晶体生长技术方面积累了深厚的理论基础和实践经验。先后在天威新能源控股有限公司和隆基绿能科技股份有限公司等行业龙头担任研发负责人，持续深耕液相法长晶技术约十五年，积累了丰富的产业资源与技术沉淀。
成都天一晶能半导体有限公司成立于2022年。公司致力于将国际最前沿的液相法碳化硅晶体生长技术产业化，以加快推动碳化硅在新能源汽车、充电桩、逆变器、5G通讯、轨道交通、储能等领域的规模化应用，实现我国在第三代半导体相关领域的核心技术自主可控。公司自成立以来，已经获得多项国家级企业资质认定包括：国家高新技术企业、四川省科技型中小企业、四川省创新型中小企业、成都市高新区高层次“四派人才”企业、成都市高新区领先科技园区“种子期雏鹰企业”等。同时，公司在知识产权方面已经获得国家授权专利10项，取得国家软著登记7项，正在申请中的发明专利超过20项。这一系列权威认证和知识产权成果的获得，充分体现了公司在液相法碳化硅领域的技术创新能力、研发实力与强劲的发展潜力。

截至目前，天一晶能的投资方包括君子兰资本、泽禾投资等知名投资机构，以及宜欣科技等产业背景资本。

文章来源：君子兰资本

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