2025年是中国碳化硅产业的一道清晰分水岭。

这一年，国产碳化硅在车规主驱赛道出货量大幅攀升，国产器件上车占比显著提升——产业从“技术验证”迈入“规模化商用”的新阶段。但也是在这一年，价格战全面打响，8英寸良率爬坡不及预期，传统封装工艺成为性能释放的“新瓶颈”。繁荣与焦虑交织，突破与瓶颈并存。

近期，中天晶科、矽加半导体、积塔半导体、科瑞尔四家企业的负责人分别接受了产业媒体公开访谈。他们分别代表SiC衬底材料、衬底精密加工装备、车规晶圆代工、功率封测装备四个核心环节，从不同剖面分享了各自对2025年产业进展、当前瓶颈与未来路径的判断。本文综合这四篇公开访谈的核心观点，试图勾勒2026年碳化硅产业正在发生的深层变局。

从“规模化渗透”到“新三角难题”

在对2025年的总结中，上述企业负责人给出了三个高度趋同的关键词：规模化渗透、淬炼、工艺迭代。三个词指向同一个事实——碳化硅已走过“技术有没有”的验证期，正经历“产品好不好、成本贵不贵、交付稳不稳”的系统性大考。

成绩单是清晰的：碳化硅产业进入8英寸主流化与12英寸突破并行的阶段、AI数据中心与消费电子两大新增长极的形成、国产供应链在车规主驱赛道的整体性突破。但隐忧同样尖锐——成熟制程领域已现结构性过剩，碳化硅则面临更根本的制约。

这一制约被概括为“成本-性能-可靠性”三角难题：高品质衬底生长难、缺陷多，导致良率低、价格贵；芯片的理论性能被传统封装工艺“卡住”，散热与互联效率大打折扣；车规极端工况下的长期可靠性，则倒逼材料、设计、封装全链路深度协同。三者环环相扣，任何单点突破都无法独立解局。

三路并进：材料、器件、系统的协同工程

面对三角难题，产业共识已然形成：未来的技术突破不会是单点突进，而是材料、器件与工艺、系统集成三路并进的协同工程。

材料层的目标是“更大、更优、更便宜”。8英寸SiC衬底的量产良率与成本优势尚未完全释放，这是未来两年最确定的降本主线。与此同时，精密加工装备正在成为“释放材料潜力的倍增器”——通过高精密减薄与纹路控制减少材料损耗，通过纳米级面型控制提升平整度，切、磨、抛环节的效率直接决定单件成本与产能爬坡速度。公开访谈显示，半绝缘衬底量产TTV≤1μm、导电型衬底TTV 1–1.5μm的工艺精度已在头部企业实现稳定量产，这一能力并非硬件单点突破，而是设备与工艺深度耦合的系统性know-how积累。

器件与工艺层的核心任务是“更精、更专”。当“好材料”被“旧工艺”拖住后腿，针对碳化硅物理特性开发专属的精细制造工艺——高温工艺、高质量外延、优化的器件结构——已成为决定性能上限的关键。这一环节的竞争，正从“谁能做出来”转向“谁能做得更稳定、更一致”。

系统集成层被多位产业人士称为“关键一跃”。银烧结、双面散热、三维异构集成等先进封装技术，正在将芯片、驱动、电路从分立走向融合。国外车厂的差异化能力并非来自某颗芯片特别先进，而是器件、驱动、MCU在系统层面形成了方案化能力——碳化硅的开关速度需要与驱动能力精确匹配，MCU的控制逻辑必须围绕功率器件动态特性优化。这正是“系统级代工”与“方案化制造”的价值锚点。

竞争逻辑重构：从“能做”到“被信任”

当产能不再是稀缺资源，竞争的维度正在发生根本转移。

在代工端，客户痛点早已不是“能不能下单”，而是能否长期稳定交付、通过系统认证、支撑产品平台化演进。单点技术层面的pin-to-pin对标必然陷入同质化内卷——你能做的，别人也能做。真正的护城河，是更早介入整车厂或系统厂的方案设计阶段，把竞争从器件层面对标提升到系统层面的重新设计。

在装备端，竞争已从“谁的工具便宜稳定”升级为“谁的工具能帮客户实现新工艺”。通过全球头部企业严苛考核、导入量产产线的背后，是多年来在设备精度、工艺参数与材料特性之间的持续迭代。单一设备的出货量不再是终点，帮助客户成功量产高品质、低成本衬底才是使命。这种“设备与工艺深度融合”的能力，正在成为国产高端精密加工装备从追赶到并跑的关键筹码。

在市场端，两条新赛道释放了明确信号。一是出海。2024年全球导电型碳化硅衬底市场，中系厂商整体份额已逼近40%。更具标志意义的是日本市场破局——这个长期被视为准入门槛最高的成熟市场，中国企业已实现批量交付，推动多家日欧功率大厂启动供应链多元化切换。出海正从“可选项”变为“必答题”。

二是新兴高端应用。从新能源车主赛道向商业航天、AI散热、AR光学等高价值场景跃迁，正成为国产装备商寻求价值升维的明确路径。定制化需求倒逼精密加工从标准化走向高度定制，已有封测设备企业将商业航天及先进封装列为2026年战略性预研方向。这既是市场边界的拓展，更是产业层级的跃升。

未来五年：融合、破局与智能闭环

展望2026年乃至更长的周期，上述企业负责人给出了三个关键词，共同拼出碳化硅产业的未来图景。

第一个关键词是“融合”。

这不是技术路线层面的简单叠加，而是更深层的系统重构。技术融合层面，SiC与GaN的材料特性融合（如GaN-on-SiC）正在催生新型器件，器件与先进封装的融合将实现更高的功率密度，半导体技术与智能化的融合将赋能更精准的工艺控制。产业链融合层面，设计公司、制造厂、设备与材料供应商必须从“单点突破”走向“系统赋能”。应用融合层面，第三代半导体正在成为连接新能源汽车、AI数据中心、光伏储能、消费电子等万亿级市场的共性关键技术底座。

第二个关键词是“破局进阶”。

未来五年是行业的“深水区”。价格下降将带来市场爆发机遇，同时行业整合也将加速，并购重组或成为常态。只有具备全链条竞争力的企业，才能在洗牌中站稳脚跟。这不是对单点技术领先者的奖励，而是对系统能力建设者的筛选。

第三个关键词是“智能闭环”。

这是对下一代产线定义权的争夺。未来的整条生产线，将进化成一个能“自己管自己、越干越好”的智能系统：实时微调确保每道工序稳定在最优状态，快速换型将调试时间压缩到极致，提前预警实现接近零停机的连续生产。从提供一条快而准的生产线，到提供一个高稳定、高柔性、高可靠的智能生产系统——这将成为最核心的竞争力。