Insemi数据 | 数说碳化硅2025，我们看到的变化与趋势

当我们关注的行业某上市公司2025年度财报落定，意识到其实中国碳化硅产业在2025年交出了一份相对令人满意的答卷：

国产衬底全球出货量占比历史性突破50%，首次反超海外巨头；新能源主驱逆变器使用的主驱芯片国产化率正式进入两位数占比，国产FAB企业晶圆三年产出量暴涨超过200%，器件端营收同比增长超过50%，碳化硅模组国产化率超过60%；

与此对应的，还有一组与上述充满矛盾的数字，国内衬底企业2023-2025三年营收总变化下降超过10%，Fabless企业出货器件颗数同比去年需要增长约4倍左右才能勉强保持去年的营收；产业链企业利润几乎全体为负...

这组充满矛盾的数字背后是什么？我们站在2026年的门槛上一起来回望一下产业的变化，将目光锁定在几个关键词上来总结一下这一年：

逆转

2023年38%,2024年43.7%,2025年53%——中国衬底全球市占率用三年时间完成了历史性逆转。国产衬底出货量首次反超Wolfspeed、Coherent等海外巨头,正式掠夺市场话语权。

这不是供应链的小波澜,而是地缘政治的大地震。海外巨头主导了10年,却在3年内被中国企业反超。天科合达等头部企业的产能释放+质量跃进,让中国企业从"追赶者"变成了"引领者"。

更重要的是,当上游材料的话语权被捏住，下游器件的国产化才真正有了底气。

2023-2025年,国产器件出货量暴涨224.9%,营收增长122%。更关键的是结构性逆转:MOS出货量从不足10万片产出爆发至接近45万片,已是SBD的1.8倍,彻底确立市场主导地位。

这标志着中国SiC产能，从低端二极管向高端MOSFET的代际跃迁。

MOS增长爆发源于下游对新能源汽车主逆变器、OBC及其他车用部分、高压快充等产品的旺盛需求，而国产器件正在此类领域中快速渗透，以高压快充市场为例，根据我们调研到的数据，当前在30KW以上逆变器中，几乎超过80%的碳化硅器件使用的是国产品牌的碳化硅产品。

汽车主驱产品中，以UNT及方正微为代表的企业国产芯片企业，也从车规的高壁垒中正式撕开了一个口子，拉开了国产芯片量产上车的大幕。

分化

2025年，营收角度看全球增速逐渐进入稳步增长阶段。但细分来看，中国SiC市场增速超过50%，海外增速却不足1%——剪刀差扩大至50个百分点,全球增量中心正在转移。

三年前海外还保持超过80%的爆发式增长,如今已跌入个位数,市场跨过早期爆发期,进入成熟调整阶段。

中国市场高增速源自以下几重驱动:新能源汽车800V平台加速渗透(华为问界M9、小鹏G9、理想L系列)、光储逆变器国产替代提速、数据中心等新增需求爆发，部分细分市场（如家电、工业电源、消费电子等）开始导入替代。

海外市场的停滞则暴露了结构性问题:EV增速放缓(欧洲补贴退坡、美国政策摇摆)、库存消化压力、中国供应链的竞争冲击。Wolfspeed破产重组、Q3营收指引仅1.4-1.6亿美元,ST等头部企业营收利润双双下滑，正是这种分化的缩影。

我们可以预见的是，全球SiC市场的重心将进一步向中国倾斜。中国功率半导体产品，不应只是"制造基地", 需要向着"创新中心"和"应用引领者"目标迈进。

自主

国产碳化硅产业链谈自主，已经不再像几年前那般不好意思了，我们以点带面的来看看碳化硅外延设备（8英寸外延设备国产化率）：

2025年,我们调研了国产TOP10外延厂商，统计到的新增用来生产8英寸碳化硅外延的超200个腔设备中,以Sicentury、Naura等国产设备为代表的企业，占比超过60%,正面对抗LPE、Aixtron。

设备自主不是简单的数量堆砌,而是产业安全的根基。当设备被卡脖子,产能就是空中楼阁;当设备实现国产,扩产成本和响应速度就成为竞争力。这些配置清单背后,是国产设备从"能用"到"好用"的跨越。2026年,随着国产设备在良率和稳定性上继续追赶,中国SiC产业链的自主可控有望再上台阶。

除此以外，我们也在更多的衬底和FAB企业中看到了国产设备的出现，如衬底加工的激光剥离环节、FAB的高温离子注入环节，此类以前国产化率极低的工艺设备，2025年也已经开始出现了国产替代的正式导入。

绞杀

2023-2025年,国内碳化硅衬底出货量暴增超过110%,营收却下跌超过10%——这意味着，碳化硅产品的单价断崖式下跌约60%。

为了实现上述文章内的几个关键词，以衬底为代表的产业链企业正在经历一场惨烈的生存战。在2022-2023年铺天盖地的投资涌入以后，远超需求的产能密集在2024-2025年逐步落地，但下游需求增长并不及预期，供需关系快速逆转，叠加日益加剧的竞争，库存出清的压力使得价格飞速下滑。

数据来源：Insemi Research

根据某衬底头部企业近期发布的财报，受SiC衬底价格战持续冲击，营收预计约14.65亿元，归母净利润亏损约-2.08亿元，再度陷入亏损，并且是2022年以来最大年度亏损额，反映出行业内卷已深度侵蚀利润空间。

这意味着即便出货量还在增长,却已陷入"增收不增利"甚至"增收反亏"的死亡陷阱。作为龙头企业尚且如此，后面的中小衬底厂商，在头部企业的产能、渠道、质量、价格等多个维度绞杀下，均难逃直面停产或等待并购的局面。

更残酷的是,这些企业的亏损不是因为技术落后,而是因为价格战把毛利率打穿了——当6英寸衬底从几千元跌至不足两千元,当固定成本无法摊薄,当折旧和研发费用压顶,亏损就成了必然。

外延环节也一样惊心动魄，2023-2024年，国内外延产品营收暴跌接近30%，因意法、英飞凌将外延收回自制,同期的产能利用率也曾暴跌到不足25%。2025年国内需求增长，加部分海外订单回流,国内营收才止跌,利用率勉强爬升至4成左右,与衬底一样，碳化硅外延环节的CR3份额超过50%，CR5份额超过75%，可以说腰部和尾部的外延企业竞争压力十分巨大。

器件端的情况更是如此，有Fabless企业回复我们的调研，出货量同比增长约4倍，营收才实现微增，且终端用户对碳化硅供应商的产能和品牌要求在变高的同时，对质量可靠性和系统方案能力的要求也在提升。可以说，对器件端腰尾部企业的绞杀来自于价格，却不止于价格。

拐点

2025年全球SiC市场规模282.1亿元,同比增长仅5.1%——这是三年来最低增速。2023年87.7%、2024年11.8%、2025年5.1%,断崖式下跌标志着市场从高速爆发转向常态化增长。出货量暴涨但营收增速放缓,单价压力巨大,基数抬升、供需平衡、价格下行综合作用。

拐点意味着行业进入"拼技术、拼成本、拼客户"的硬核竞争阶段。最直观的体现是，虽然国产晶圆出货量暴涨224.9%,但单价仍下跌31%——只有MOS占比从38%飙升至65%这种结构性升级,才撑住了总营收的增长。这揭示了残酷的真相:单纯的量的扩张已经接近走到尽头,只有向高价值产品攀登,才能逃脱价格战的绞杀。

器件端的分化正在加剧。一边是掌握车规级主驱MOS的头部企业——渠道稳定且有一定毛利率，另一边是停留在工业级的中小厂商,单价已被打到几元甚至更低,毛利率跌破15%甚至亏损。

有行业人员跟我们表示：“2026年以后,判断企业能否穿越周期,看三个关键指标，第一,MOS占比是否超过70%(代表高端应用渗透率);第二,车规级产品占比是否超过50%(代表客户结构);第三,毛利率能否守住20%以上(代表技术壁垒)。”

出货量大不代表赚钱多,只有掌握高价值量产品的企业,才能在价格战的废墟上建立护城河。拐点之后,是真正的优胜劣汰。

决战

2025年,中国6英寸SiC产能利用率全线回暖。衬底产能利用率爬升至6成,外延提升至4成,器件产能利用率逐步过半。这组数字背后,我们看到的是，或许这是价格战最黑暗时刻的结束。当衬底单价跌破成本线,当外延厂接受海外订单回流,当器件端MOS占比突破65%,产能终于开始被有效消化。

寒冬正在褪去,但春天还未到来。因为8英寸的趋势已不可逆转。

过去一年，随着全球头部企业的规模量产，8英寸的经济性优势逐渐显现。从成本角度看,8英寸晶圆可切割芯片颗数更多,单位芯片成本可下降30%-40%。这种成本优势一旦在规模化量产中体现,将显著改善企业的盈利能力。与此同时,8英寸产线也为更高性能器件的制造提供了空间——更大的晶圆面积意味着可以容纳更复杂的芯片设计,支持更高的电流密度和功率密度需求。

国际大厂已经走在前面:Wolfspeed早在2024年就完成了200mm(8英寸)产线的全面切换,新泽西Mohawk Valley工厂成为全球首个全8英寸SiC晶圆厂;Infineon在马来西亚Kulim的200mm工厂2025年已进入产能爬坡阶段,预计2026年达到满产;STMicroelectronics位于意大利Catania的8英寸产线计划2026年正式投产。

这些国际巨头的8英寸布局,不仅让他们在成本上抢得先机,更在客户验证和订单锁定上占据了时间优势——当国内企业还在为6英寸产能消化奔波时,海外大厂已经开始用8英寸产品抢夺高端市场份额。时间窗口正在收窄。

所以，国内企业正面临着一个关键的转折点。一方面,6英寸产能利用率刚刚回到相对健康的水平,价格竞争的压力依然存在;另一方面,8英寸产能需要巨大的前期投入。且转化为规模收益仍需时间。在这个阶段,企业需要在"巩固现有市场"与"布局未来技术"之间找到平衡，更审慎地规划产能释放节奏。

国际大厂用三年时间完成了从6英寸到8英寸的全面切换,而中国企业的窗口期只剩下18-24个月。这不仅是技术的比拼,也是战略定力的较量。

换道

根据我们的预测数据，到2030年,车载CAGR 8%、数据中心CAGR 57%、光储CAGR 21%。车载依然是基本盘,但增速已进入个位数的常态化阶段;光储是稳健增长的第二曲线;数据中心则以57%的复合增长率成为爆发性增量——从占比2%飙升至13%,六年增长13倍。当整个行业还在为EV销量波动焦虑时,碳化硅的增长引擎也在悄然换挡。

这场应用结构重组的背后,是三股力量的交汇。第一股力量是车载应用从"高速爆发"转向"稳健渗透"。欧美市场因补贴退坡和政策摇摆陷入增长停滞,中国市场虽保持55.9%高增速,但基数效应让绝对增量放缓。

更关键的是,800V平台渗透率已从2023年的不足5%提升至2025年的15%以上,主流车企(比亚迪、小鹏、理想、华为)基本完成SiC主驱逆变器的量产验证,下一阶段增长将依赖单车价值量提升(从主驱扩展到OBC、DC/DC)和销量规模放大,而非渗透率的跃升。车载从"爆炸式增长"进入"线性增长",天花板清晰可见。

第二股力量是AI数据中心需求的指数级爆发。

底层驱动来自算力军备竞赛:当单个GPU机柜功耗突破100kW、AI训练集群规模达到数万张卡,能源效率成为生死线。NVIDIA 800V HVDC架构的推广,让SiC从"可选项"变成"标配"。

Wolfspeed专为此推出TOLT封装(顶部散热,功率密度提升40%),ST与NVIDIA联合验证12kW供电方案,Infineon将2026年AI数据中心营收目标定在15亿欧元。算一笔账:一个100kW机柜年耗电87.6万度,电费按0.6元/度计算为52.6万元,SiC让转换效率从95%提升至97.5%,相当于每年省下2.6万元运营成本——当你管理的是数万个机柜,这笔钱足以支撑SiC方案的溢价。

数据中心不是车载的替代品,而是全新的增量市场。

第三股力量是光储应用的稳健扩张。

2024-2030年光储市场CAGR达21%,高于车载的8%但低于数据中心的57%,成为介于"基本盘"和"爆发点"之间的第二增长曲线。驱动因素有三:分布式光伏装机规模持续扩大(中国2025年新增装机超200GW),储能系统从"补充"转向"刚需"(电网调峰、削峰填谷),国产SiC逆变器加速替代(阳光电源、锦浪科技、固德威的SiC渗透率从20%提升至40%以上)。

光储的特点是单价敏感度高、可靠性要求严、生命周期长(20-25年),这让国产SiC企业有机会通过成本优势和本土服务抢占份额——当6英寸衬底价格跌至海外成本线以下,国产器件在光储市场的竞争力已不逊于国际大厂。

应用结构重组的本质,是SiC从"单一场景依赖"转向"多元场景支撑"。2024年车载占比82%,2030年降至64%,数据中心从2%升至13%,光储从16%升至25%——车载增速放缓不再致命,数据中心和光储将提供新增量,SiC产业的抗风险能力将显著增强。提前布局数据中心和光储市场,在车载"换挡期"中找到新的增长极。守住基本盘的同时,抢占新赛道的入场券。

未来

站在2026年的门槛上,中国碳化硅产业正从"生存战"走向"价值战"。过去三年的残酷洗牌,留下的不仅是一串冰冷的数字,更是一个清晰的分水岭。未来不属于出货量最大的企业,而属于那些掌握了成本优势、应用场景和系统方案能力的玩家。

第一个未来,是成本的未来。当价格战把衬底打到海外成本线以下,当国产设备占比超过六成,当产能利用率从谷底回暖,幸存者手中握着的不再是"便宜货",而是全球最具竞争力的制造成本。这不是暂时的价格优势,而是基于规模效应和产业链完整性的结构性护城河。

第二个未来,是场景的未来。车载应用已经从"爆炸式增长"进入"线性增长",天花板清晰可见。但AI数据中心和光储正在成为新的增长极,它们不是车载的替代品,而是全新的增量市场。谁能在车载"换挡期"提前卡位这些新场景,谁就能摆脱单一市场依赖,建立多元化的抗风险能力。

第三个未来,是方案的未来。产业链价值正在从"材料端"向"器件端和系统端"迁移。卖衬底的时代已经过去,卖芯片的空间也在收窄,只有卖方案的企业才能锁定高附加值市场。中国企业已经建立了从衬底、外延、设备到器件、模组的全产业链,下一步是向系统级方案延伸——谁能把碳化硅芯片嵌入整车电驱、数据中心供电、光储逆变器的完整解决方案,谁就能从价格战的泥潭中跳出来,站上价值链的顶端。

2026年,中国碳化硅产业站在了一个历史性的十字路口:从"规模取胜"转向"价值取胜",从"追赶者"变为"引领者",从"单一市场"走向"多元场景"。那些在价格最低谷时坚持投资、在利用率最低时保持定力、在技术迭代时敢于押注的企业,将在2026-2028年迎来真正的收获期。

来源：碳化硅芯观察

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