苏黎世联邦理工学院Kolar教授团队携手PowerAmerica,于2026年2月发布重磅报告,系统阐述基于单芯片双向开关的下一代电力电子技术,涵盖从器件革新到AI数据中心、电动汽车充电和固态变压器的完整应用图景。

报告背景:电力电子的“缺失元件”终于到来

苏黎世联邦理工学院(ETH Zurich)高级机电系统团队负责人Johann W. Kolar教授于2026年2月5日发布题为《下一代基于双向GaN/SiC开关的电力电子技术》的前瞻性报告。

报告开篇指出,电力电子作为未来100%可再生能源发电与使用的关键赋能技术,目前处理着全球70%的电力,这一比例还将持续上升。可再生能源、电动出行(2040年40%乘用车为电动车)、数字化(AI数据中心耗电激增)和工业自动化(45%电能被电机消耗)四大趋势正推动技术革新。

而电力电子领域长期存在一个“缺失元件”——具备双向电压阻断和双向电流导通/控制能力的开关。维也纳整流器、HERIC逆变器和直接矩阵变换器等经典拓扑都依赖这种开关实现功能。

如今,这一空白被单芯片双向开关填补。基于横向GaN功率晶体管的双栅极MBDS,相比分立方案可在相同导通电阻下减小50%芯片面积。2020年,团队已完成600V /140mΩ样片的连续四象限运行验证




非隔离三相PFC整流器:从基础到极致效率

在非隔离三相PFC整流器领域,报告系统对比了电压源型整流器和电流源型整流器。其中,MBDS的应用让CSR的控制复杂度大幅降低——新型“自反向阻断”MBDS使AC/DC CSR能像VSR一样仅用6个外部常关栅极信号控制。

报告重点介绍了两种高能效拓扑:

集成有源滤波器整流器采用“部分功率处理”概念,仅用一个小功率有源滤波器处理总功率的一小部分,实现对电网电流的谐波注入整形。8kW样机实测峰值效率超过99.1%,功率密度达4 kW/dm3

瑞士整流器进一步集成3次谐波注入与降压输出级,输出电压可控。8kW样机效率高达99.26%,电流THD仅约0.5%,成为数据中心和EV充电的理想选择。

MBDS作为工频工作的相选择开关,因其仅产生导通损耗且相比分立方案减少4倍芯片面积,成为这类整流器的理想器件。



隔离型单级三相AC/DC变换器:功能集成的革命

当需要电气隔离时,报告提出从两级式向单级式演进的趋势。核心创新包括两大拓扑方向:

Y形整流器采用相位模块化设计,三个单相全桥Y型连接输入,共享副边四臂全桥。其最大优势是在三相、单相或分相电网连接时均能保持全功率传输,无需降额。通过DAB或串联谐振模式工作,当移相角恒定时表现出“欧姆性”电网行为。

矩阵型隔离三相AC/DC变换器采用直接AC/AC矩阵变换器作为输入级,通过单个变压器连接后级,结构更简洁。8kW样机效率达98.9%,功率密度4 kW/dm3。但其MBDS需承受线电压(~560V),需要未来1200V GaN MBDS支持。

报告还分析了特斯拉Cybertruck车载充电器案例,其采用的矩阵型隔离双向AC/DC变换器集成高压和低压充电功能,功率密度高达1.6 kW/dm3,展现了单级式拓扑的产业化潜力。

工业应用:从电机驱动到AI数据中心

在工业应用领域,报告首先强调变频电机驱动的普及性——全球42%电能被电机消耗,使用VSD可将系统效率从28%提升至82%。对比评估显示,采用首个基于MBDS的电流源型变换器,在实际工况下损耗比传统电压源型变换器低20%

电动车充电领域,报告引用BNEF数据:到2040年全球40%乘用车为电动车。下一代车载充电器需要具备双向功率流(V2X)、三相/单相/分相无降额运行、孤岛模式供电等扩展功能。为此,团队提出隔离型相位解耦“X整流器”,实现对三相电流的完全解耦和独立控制,完美满足未来OBC需求。


AI数据中心与固态变压器:未来能源基础设施

报告最后聚焦于AI数据中心的爆发式增长。预计到2028年,美国7-12%的电力将用于数据中心,园区功率正迈向2.5GW至11GW级别。数据中心正与电力公司合作,作为“响应式负载”平衡可再生能源波动。

面对到2030年单个IT机柜功率可达1MW的挑战,电源架构正从400V/480V交流向中压直流演进。传统工频变压器交货周期已超100周,而固态变压器可大幅减少原材料用量、降低成本和碳足迹。

然而,目前两级式SST功率密度仅约0.1 MW/m3,效率98-98.5%。下一代SST目标是实现功率密度提升10倍(1 MW/m3),同时损耗降低30%。报告展示了基于矩阵型AC/DC变换器的“本地”SST拓扑,以及基于15kV IGBT的“真正”单芯片双向开关研发进展,为未来中压直流电网铺平道路。



MBDS开启电力电子新纪元

报告最后展示了多种由MBDS催生的新型拓扑——钳位开关DC/DC Boost变换器、真正无桥Cuk PFC整流器、新型多电平变换器等,表明MBDS的出现正在打开电力电子拓扑创新的全新空间

从器件革新到新拓扑创造,再到关键应用落地,Kolar教授团队的这份报告完整呈现了从400V低压到中压、从非隔离到隔离、从分立器件到功能集成的技术演进路径。随着GaN/SiC器件和MBDS技术的持续成熟,更高效率、更高功率密度、更强功能集成的下一代电力电子系统正加速走向现实。


报告来源:苏黎世联邦理工学院高级机电系统团队,Johann W. Kolar教授,2026年2月5日

*声明:本文基于报告内容整理。笔者水平有限,理解与转述可能存在不准确之处,欢迎各位读者留言指正,共同交流学习。感谢阅读!



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