杭州富加镓业科技有限公司(以下简称“富加镓业”)联合上海功成半导体科技有限公司(以下简称“功成半导体”),围绕第四代半导体氧化镓产业化核心技术开展 “材料-器件-应用” 全产业链协同攻关,目前已进入器件验证阶段。

据悉,这是我国实现氧化镓全产业链贯通的首次尝试。就在刚刚发布的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》中,我国明确提出“加快宽禁带半导体产业提质升级,推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。本次攻关精准锚定新能源储能和数据中心液冷系统的核心应用需求,同时匹配功成半导体400V电机驱动平台的产品开发要求,实现多项关键技术突破。依托富加镓业自主研发的高质量 MOCVD 氧化镓外延片及制备出高性能氧化镓垂直肖特基二极管器件,功成半导体开展器件的封装和应用验证工作。

目前,该款氧化镓二极管器件已通过芯片级测试和封测环节,正由功成半导体推进器件在液冷模块的验证工作,为后续规模化商用筑牢技术基础,也为我国第四代半导体核心技术自主可控提供坚实的实践支撑。

基于富加镓业MOCVD外延片的氧化镓SBD封装器件


来源:亚洲氧化镓联盟

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