最近，SK keyfoundry发布新闻称：宣布完成 SiC Planar MOSFET 工艺平台，电压覆盖 450V–2300V；并拿到新客户 1200V SiC MOSFET开发订单，标志其“全规模进入”SiC foundry。同时SK keyfoundry把良率>90%和 定制化工艺支持明确写出来，并且用客户订单把技术成熟度“钉死”在商业化语境里。

仿佛SiC 扩大到200mm之后，行业竞争的核心不再是“谁先把某个参数做到极致”，而是“谁能把工艺做成平台”：可复用、可定制、可交付、可爬坡。

是“工艺平台”，不是一颗器件

SK keyfoundry 称完成 SiC Planar MOSFET 工艺平台，覆盖 450V–2300V，并获得高压工况下的可靠性与稳定性数据。

这句话的含义是：它在对外定义一个“可扩展的工艺底座”。在SiC里，做出一颗样品不难，难的是把电压段、目标应用、客户版图差异，最终收敛到一套可以反复复制的“平台工艺包”。

同时还在公告中明确写道：通过整体工艺优化与关键工序精控，良率提升到90%以上并提升生产效率。在8英寸/200mm的语境里，“良率”不是一个制造部门KPI，而是客户是否敢导入的风险系数。

尤其对功率器件客户来说，良率背后对应三件事：成本结构、批次一致性、交付可预测性。所以 SK 这句“>90%”实际上是在回答客户最现实的问题：你把我从工程样品带到量产爬坡的概率有多高？

SK keyfoundry强调其提供差异化的“customized process support service”，可按客户需求微调电特性与规格。

这一步很关键：当SiC走向平台化竞争，赢的往往不是“最强器件”，而是“最快把客户设计变成可量产产品”的那家。定制化工艺支持，本质就是把客户工程（Customer Engineering）纳入平台能力。

SK keyfoundry 同时披露：获得一位新客户的 1200V SiC MOSFET 开发订单（客户为SiC设计公司），产品用于工业设备；在样品与可靠性验证后，计划于 2027年上半年进入全面量产。

行业二次报道直接点题：平台完成后立刻拿到商业订单，说明平台成熟度已具备“商业化就绪”的意味。

SK keyfoundry在2025年11月的公开稿里， 已明确给过节奏：目标 2025年底提供1200V SiC MOSFET工艺，并在 2026年上半年启动SiC代工业务，应用锚定 EV动力系统、工业电源转换、可再生能源逆变器等高压高效场景。

而2026年3月这条“Planar平台+良率>90%+新客户订单”，可以理解为：路线图里的“foundry化”终于到了可以对外用制造指标说话的阶段。

为什么“平台化”会在8英寸时代突然变成硬门槛？

碳化硅产品扩径后，单点优化不够用了，必须靠系统工程把波动压下去。200mm意味着更高的设备要求、更复杂的过程窗口、更敏感的批次一致性管理。于是竞争从“做出一颗好器件”转向“把波动管理成可预测的制造系统”。

平台化能把客户导入从“项目制”变成“产品制”。SK强调“电特性/规格可微调”的定制服务，本质是在把客户导入变成可复制流程。就像Infineon强调“虚拟工厂协同”，本质是在把爬坡与质量控制变成运营系统。

除此之外，平台化会把行业利润重新分配给“能交付”的人。当供给侧产能扩张后，市场会越来越现实：谁能稳定交付、谁的导入节奏快、谁的良率与一致性更可控，谁才能在价格压力下守住毛利。

除了代工平台化以外，如果把全球玩家按“平台化路径”拆开，大致是五种路线在竞速

路线A：垂直整合+200mm规模化（Wolfspeed）

Wolfspeed披露其Mohawk Valley 200mm SiC fab已到20% wafer start利用率，并指出Building 10材料工厂达到200mm晶圆生产目标以支持Mohawk Valley到2024年底约25%利用率，强调其“规模化的200mm垂直整合”。

此外，Wolfspeed在2025年宣布200mm SiC材料产品组合商业化发布，并称200mm外延可“立即导入认证”，以帮助客户提升MOSFET良率、加快上市，并强调厚度、掺杂与均匀性等材料层面的可规模质量。材料平台化，是它的“上游护城河”。

路线B：双厂协同的“虚拟工厂”+分阶段爬坡（Infineon）

Infineon明确表示在2025年一季度向客户交付首批基于200mm SiC的产品（Villach制造），并称Kulim从150mm向200mm转换“完全按计划推进”，新建Module 3“准备开始高产量生产”。

它还强调Villach与Kulim共享技术与流程（“One Virtual Fab”概念），以实现更快爬坡、成本效率与质量兼顾——这是一种典型的“平台化运营能力”。

路线C：一体化园区，把“从衬底到模块”做成规模系统（ST）

ST宣布在意大利Catania建设“Silicon Carbide Campus”，强调在同一园区内覆盖衬底、外延、200mm前道、封装测试到模块装配，目标2026年投产，到2033年满产可达15,000片/周，并明确“200mm技术用于提升良率与性能”。

同时，ST在更新中提到该园区进展“按计划推进”，并称200mm晶圆生产计划在2025年四季度开始——这把“平台化”从宏大规划落到了更明确的爬坡节点。

路线D：并购存量200mm产线，快速切入SiC（Bosch）

Bosch计划收购TSI（美国Roseville），并称未来几年投资超15亿美元将其转为SiC工艺，目标是2026年开始在200mm晶圆上生产SiC芯片。这是一种“买现成200mm制造能力，再转SiC”的路线，核心是时间窗口与产线改造能力。

路线E：欧洲本土“端到端”SiC供应链（onsemi）

onsemi宣布计划在捷克建设“垂直整合”的SiC制造基地，规划投资可达20亿美元，强调从晶体到先进封装的能力，服务电动化、可再生能源与AI数据中心需求。onsemi
随后欧洲媒体披露欧委会批准捷克对该项目的4.5亿欧元支持，并称项目目标是在当地建立“从晶体生长到成品器件”的全流程产线，商业化输出目标为2027年，并提到发展下一代200mm SiC技术等附带要求。

把上面几条路线放一起，你会发现所谓“8英寸SiC时代”，本质不是简单扩径，而是三种平台能力的叠加：

1）制造平台：良率、一致性、过程窗口、关键工序控制（SK把“>90%良率”公开化，就是把竞争焦点拉到这里）。

2）供应链平台：材料（衬底/外延）、前道、后道封装测试的协同与规模化（Wolfspeed的200mm材料商业化、ST的一体化园区、onsemi的端到端，都在抢这个制高点）。

3）客户工程平台：定制化工艺支持、可靠性验证体系、导入节奏管理（Infineon“虚拟工厂”式协同，SK强调“按客户需求微调电特性”，都在把foundry逻辑引入SiC）。

最后，我们想说的是，后续的规模市场里导入效率将越来越被重视。对于逐步进入8英寸时代国内企业而言，下一步需要更标准化的PDK/Design Enablement、清晰的可靠性验证流程，以及面向工业/新能源/数据中心等场景的“规格—工艺—封装—应用”联动打法。

或许8英寸SiC真正的分水岭，不是“有没有200mm产线”，而是“有没有可复用、可定制、可规模交付的工艺平台”。当越来越多巨头把筹码压在200mm与平台化上，国内厂商要问自己的问题也许是：我们要做的是下一条8英寸线，还是下一套能持续拿订单的工艺平台？

来源：碳化硅芯观察

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