国际首次！富加镓业12英寸氧化镓单晶震撼问世

“十五五”规划开局之年，富加镓业再次迎来历史性突破！

3月26日，富加镓业宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓（Ga₂O₃）单晶，这是继2025年12月成功制备8英寸氧化镓晶体后，再次取得的重大技术突破。这一突破不仅刷新了全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，更标志着我国在第四代半导体核心材料产业化进程中迈出了决定性一步，而富加镓业也成为国际上首家掌握12英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

富加镓业12英寸氧化镓单晶（直径305mm）

氧化镓是第四代半导体领域代表性材料，因其卓越的耐高压、低损耗、抗辐照等特性，在数据中心、新能源、6G通信、可控核聚变、智能电网、轨道交通、航空航天等领域具有广阔的应用前景。

国家“十五五”规划纲要明确提出要“推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。此次富加镓业12英寸氧化镓单晶制备技术的突破，正是对国家战略的有力回应，为我国发展"新质生产力"、抢占未来产业竞争制高点提供了坚实的材料基础，为全球半导体产业发展注入了强劲的“中国动力”。

晶圆尺寸是衡量半导体技术先进性和成本效益的核心指标。从8英寸到12英寸，并非简单的尺寸放大，而是一次产业层面的战略性飞跃。12英寸晶圆意味着单片晶圆可制造的芯片数量倍增，能够大幅摊薄生产成本，为氧化镓器件的大规模市场应用扫清了关键的成本障碍；也意味着未来氧化镓功率器件的制造可无缝导入现有成熟的12英寸硅基集成电路产线，极大地降低了下游厂商的设备投资和产线切换成本，从而能够以前所未有的速度推动产业化进程。

下一步富加镓业将与下游用户一起开展“衬底-外延-器件-模组”全链条协同攻关，助力我国高性能氧化镓功率器件的全产业链贯通，加速氧化镓高压大功率电力电子器件产业的快速落地，早日实现“让世界用上好材料”的愿景。

产品介绍

氧化镓设备：

公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备，可以满足2-6英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。公司自行研制了全自动 VB 晶体生长设备，并在国内率先突破了6英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸 VB 法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。

氧化镓单晶衬底：

作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商，我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖2-6英寸26种常规性氧化镓衬底产品，并能够提供尺寸，电学性能与晶向的定制化方案，满足高质量外延片研发及批量制备需求。

氧化镓外延片：

基于成熟的 MOCVD（金属有机化学气相沉积）与 MBE（分子束外延）技术平台，我们的产品线覆盖 2-6 英寸等15种常规性氧化镓外延片产品，及定制化 MBE 氧化镓外延片产品，为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系，可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数，能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。

来源：杭州富加镓业科技有限公司

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