2-3月宽禁带半导体产业简报：从材料突破到应用“破圈” - 新闻通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

在国家“十五五”规划明确支持宽禁带半导体产业提质升级的背景下，2026年2-3月，我国产业界在大尺寸晶圆、关键装备国产化及前沿应用拓展等方面取得一系列突破性进展。

碳化硅（SiC）领域，8英寸晶圆实现量产与高良率（90%）爬坡，12英寸技术同步推进。两大应用突破标志性极强：比亚迪1500V模块量产下放，重塑车端高压基准；SiC成功切入AI数据中心与高压直流输电项目，打开万亿级新基建市场。

氮化镓（GaN）技术聚焦散热核心瓶颈，GaN-on-Diamond路线获关键进展。产业生态围绕英伟达定调的800V AI数据中心架构展开卡位，国内外企业加紧布局。

超宽禁带半导体迎来产业化前奏。氧化镓实现全球首块12英寸单晶制备，MOSFET器件耐压突破9kV；金刚石8英寸热沉片产线投产，并展现量子传感等颠覆性潜力；氮化铝衬底产线落地，瞄准高端射频市场。

当前，政策、资本、技术、市场形成强大合力，推动产业全链条迈向高质量发展。联盟愿与各位携手，共抓机遇，共促繁荣。

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政策资讯

1	“十五五”规划纲要：明确加快宽禁带半导体产业提质升级，推动超宽禁带半导体产业化发展

碳化硅领域资讯

【技术前沿】

【企业动态与合作】

1	比亚迪“惊蛰”发布：1500V SiC模块量产下放，定义1000V高压新基准
2	天域半导体与韩国EYEQ Lab签署SiC外延片战略供应协议
3	芯联集成与浩思动力合作定制开发高性能IGBT/SiC功率模组
4	英飞凌与DG Matrix携手，以碳化硅技术推动固态变压器在AI数据中心应用
5	三星电子：SiC样品年内量产，8英寸GaN产线就绪
6	凌锐半导体国产首款SiC MOS固态变压器实现批量供货
7	安海半导体国产超高压SiC芯片高良率量产
8	SiC成功切入高压直流输电市场

【新产品/新技术】

1	中科院电工所攻克高温高密难题，SiC控制器功率密度达47.8 kW/L
2	Wolfspeed发布全球首款10kV SiC MOSFET
3	Wolfspeed推出基于300mm碳化硅技术的新一代AI数据中心先进封装基础平台
4	东方日升首发全液冷碳化硅储能一体机
5	西湖仪器：发布12英寸SiC激光剥离系统
6	国产设备获得新突破

【项目建设/投融资信息】

1	SK启方半导体完成8英寸SiC工艺平台开发，良率90%
2	多家企业投融资信息

氮化镓领域资讯

【技术前沿】

1	北大&化合积电：GaN-on-Diamond直接异质外延重大突破
2	西电、武大、青禾晶元在GaN-on-Diamond技术获重要进展

【企业动态与合作】

1	英伟达GTC 2026定调：800VDC架构落地，GaN/SiC成AI电源链核心增量
2	英诺赛科GaN产品打入谷歌AI硬件供应链
3	ROHM携手台积电：强攻AI与EV用GaN
4	新风光电子与远山新材料达成氮化镓合作，聚焦高压氮化镓功率器件

【新产品/新技术/投融资信息】

1	汉骅半导体发布12英寸硅基GaN功率外延，打通大尺寸降本路径
2	瑞萨发布业界首款双向650V耗尽模式GaN开关
3	多家企业投融资信息

超宽禁带半导体领域资讯

【金刚石】

1	国内首条8英寸金刚石热沉片生产线投产

2	国创中心（苏州）成功研制2-8英寸晶圆的超高真空常温直接键合装备，助力金刚石散热工程化
3	北京大学开发“全金刚石-歧管微通道”散热器，突破传统散热技术极限
4	郑州大学首次合成毫米级高纯度块状六方金刚石
5	吉林大学邹广田院士团队攻克2英寸单晶金刚石制备核心技术
6	日本金泽大学金刚石NV色心埋层生长技术获突破，实现高取向阵列
7	德国柏林洪堡大学研究团队实现金刚石色心最快量子操控
8	中科大团队基于金刚石NV色心实现室温大气下界面“类冰”水层量子传感
9	香港大学发现柔性金刚石薄膜具备压电效应

【氧化镓】

1	进化半导体/苏州燎塬-无贵金属工艺制备全球首个直拉法3英寸(011)氧化镓单晶
2	富加镓业成功制备全球首块12英寸氧化镓单晶
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