至信微发布650V碳化硅JFET，切入快充与数据中心电源市场

继年初发布1200V JFET产品后，至信微近日推出了第二款量产级碳化硅JFET器件——650V 140mΩ SiC JFET。

该产品具备650V耐压和低导通电阻，利用JFET特有的高速开关能力，可降低系统导通损耗，提升能效。供货方式上，至信微提供两种选择：一是晶圆销售，支持客户自定义封装与模块集成；二是采用TO-220封装的Cascode结构成品，便于直接使用。

碳化硅JFET的制造工艺在宽禁带半导体领域难度较高，至信微是为数不多掌握该技术量产能力的企业之一。此次650V产品的量产，主要面向适配器、PD快充、数据中心电源等对功率密度和转换效率要求较高的电源场景。

相比传统硅基器件，碳化硅JFET在高温、高频和高电压环境下稳定性更优，有助于提升电源系统的可靠性与能效。

#至信微 表示，接下来将继续推进更高电压等级、更低导通电阻的JFET产品研发，并与国内外电源厂商合作，推动碳化硅JFET在新能源、工业电源、车载充电等更多领域规模化应用。

信息来源：集邦化合物半导体

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