泰科天润打造成型高压SiC MOSFET矩阵化技术平台和产品系列

泰科天润 硬核发布

今年以来，泰科天润成功研制并全面推出高电压碳化硅（SiC）MOSFET全系列器件，实现高压碳化硅高性能、矩阵化布局的全面拓展。电压平台全面覆盖2000V、3300V、4500V、6500V，关键电性能指标达到国际先进、国内领先水平，其中4500V低阻系列更是填补了国内外高端超高压SiC器件的市场空白，为我国高端电力电子装备提供核心支撑。

随着碳化硅技术向高压领域全面突破发展，碳化硅产业将为中压配网、高压网侧的电力电子装置，提供坚实的国产化支撑。但是必将面对此类产品，对碳化硅器件鲁棒性、可靠性提出更为严苛的高求和标准。

各类电网装置的电力电子化，可靠性和高成本一直是两个拦路虎。比如近年来固态变压器的发展，给碳化硅提供了独特的产业发展机会，但是围绕10KV的电网应用，固态变压器在拓扑方案、架构优化、冗余策略、器件选型和性能都有着超高而独特的要求。2000V~4500V的国产碳化硅产品，将大幅降低固态变压器在系统的串联、冗余上的安全压力，充分提升系统的稳定性，同步降低系统复杂性和批量成本。随着国产碳化硅的发展，将有可能支撑固态变压器的兆瓦成本，推进到适合于大规模应用推广的20万上下。

同时在可靠性上，泰科天润在碳化硅器件上一直秉承高阈值、高浪涌、扛短路、耐雪崩的开发思路，为电力电子装置的稳定性提供高标准的性能保障。

高压MOSFET产品矩阵

2000V系列构建了完整的规格矩阵，导通电阻涵盖24mΩ、50mΩ、75mΩ、100mΩ四款核心型号，低比导通电阻，实测雪崩击穿电压高达2700V，安全裕量较标称值提升35%，运行可靠性大幅提升。该系列器件专为固态变压器（SST）、中压光伏逆变、高压直挂充电桩、智能电网能量路由器等场景优化设计，适配高频隔离DC/DC、三电平拓扑结构，可有效缩小磁性元件体积、提升系统功率密度，降低运行损耗，完美契合固态变压器轻量化、高效化、模块化的发展需求，助力电力电子化电网装备升级。

2000V 24mΩ 晶圆产品

3300V系列核心型号30mΩ器件实现重大技术突破，在与国际标杆同芯片面积的前提下，导通电阻较其同规格产品大幅降低，同时相较国内主流的40mΩ、80mΩ规格，导通电阻更优、电流密度更高，可显著减少器件并联数量、提升系统效率，综合性能领先优势突出，打破了国内高压SiC器件性能瓶颈。

3300V 30mΩ 晶圆产品

超高压领域，公司成功攻克核心技术难关，推出4500V系列低阻SiC MOSFET，涵盖40mΩ、50mΩ、60mΩ三款核心规格，该系列器件凭借低导通损耗、高耐压稳定性的优势，填补了国内外4500V低阻等级SiC MOSFET的高端市场空白，可广泛适配特高压电网、兆瓦级储能与充电 、SVG和特高功率固态变压器、特种电源等超高压场景。

4500V 55mΩ 晶圆产品

6500V系列产品是公司当前前瞻性技术储备的重点领域，综合3300V以及4500V低导通损耗及高耐压稳定性优势的技术基础，通过优化了高压及超高压领域的终端工艺，使得器件拥有更好的耐压裕量，将为10KV~35KV的超高压运用，打下坚实的工艺、测试、量产、封装的技术基础。

6500V 晶圆产品

信息来源：泰科天润

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