2026年宽禁带半导体地方政策密集落地，各地产业布局加速深化

进入2026年，宽禁带半导体产业的地方政策竞争明显提速。此前数年“国家定调、地方跟进”的节奏已经改变，各省市正以显著增强的政策密度和资金力度，将宽禁带导体深度嵌入各自的“十五五”发展蓝图。从广东针对设备投资和流片环节的专项激励，到浙江率先将氧化镓、金刚石写入省级新型工业化规划，再到湖北、安徽等省份在“十五五”规划纲要中明确落子，一场以碳化硅、氮化镓为核心，延伸至氧化镓、金刚石等超宽禁带材料的产业布局，正在大范围内加速铺开。

广东：市区两级多区启动项目申报，支持资金逐步兑现

广东依然是第三代半导体地方政策最为密集的省份。2026年3月以来，深圳各区正将半导体产业扶持从“市一级统筹”快速推进至“各区自主兑现”阶段。

2026年4月17日，深圳市宝安区发展和改革局正式启动半导体与集成电路产业集群支持项目申报，申报窗口期为4月20日至5月19日，企业可通过宝安区亲清政企服务直达平台在线提交材料。这一申报通道的开启，标志着宝安区在半导体领域的扶持措施从文件正式进入资金拨付环节。

更早前的3月，深圳市龙岗区工业和信息化局发布《2026年龙岗区半导体与集成电路产业政策扶持的申报指南》，明确扶持方向覆盖重大项目投资、平台建设与运营、芯片流片、测试验证、企业用人成本等八大领域。龙岗区作为深圳半导体制造业的重要承载地，此次大规模启动申报受理，显示出深圳各区正加速将半导体产业链的制造和封装测试环节稳定在本地。

湖北：宽禁带半导体材料写入“十五五”规划纲要，氧化镓器件技术取得突破

近期受到广泛关注的政策信号来自湖北。2026年4月下旬，经湖北省第十四届人民代表大会第四次会议表决通过，《湖北省国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》正式发布。

《纲要》在“培育壮大新兴产业和未来产业”章节中，明确将“先进化合物半导体材料”列为重点发展方向，提出重点发展先进化合物半导体材料、关键光刻材料、超高纯氢氟酸等，推进石墨基材料、超导与超构材料等前沿新材料技术研发与迭代应用。宽禁带半导体材料首次以独立条目形式出现在湖北省五年规划纲要当中，意味着化合物半导体已从产业培育对象跃升为省级战略性前沿新材料。

在技术攻关层面，湖北九峰山实验室近期成功研制出基于国产同质外延片的击穿电压超过9000V的氧化镓横向MOSFET，标志着其在超高压氧化镓功率器件技术领域达到国际先进水平。政策战略定位与技术前沿突破协同推进，使湖北正快速成长为中国中部化合物半导体领域的核心研发与产业化基地。

浙江：全国唯一将氧化镓、金刚石写入省级“十五五”规划的省份

浙江省在宽禁带半导体材料布局上展现了明显的前瞻性。2026年1月，《浙江省“十五五”新型工业化规划（征求意见稿）》正式发布，规划期限覆盖2026年至2030年。

《规划》明确将氧化镓、金刚石、碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料列为新一代半导体领域的重点发展方向，与先进制程工艺突破、半导体设备研发等任务并列推进，旨在构建具有全球竞争力的半导体产业生态，为建设全球先进制造业基地提供支撑。《规划》提出，到2030年浙江省集成电路产业营收目标将达4500亿元，氧化镓、金刚石等第四代半导体与碳化硅、氮化镓的协同推进，将成为实现该目标的重要增长极。

产业落地方面，士兰微电子投资120亿元建设的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线已于2026年1月正式通线，达产后将形成年产72万片芯片的产能。2026年3月，杭州钱塘区印发《关于加快半导体产业高质量发展的若干措施》，对晶圆制造、半导体材料等制造业项目，按实际完成固定资产投资额最高给予25%补助，单个项目补助总额不超过1亿元；洁净室装修补助最高50%，研发投入补助最高30%。

安徽：宽禁带半导体材料纳入前沿材料重点突破方向

安徽省在2026年3月下旬发布的《安徽省国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》中，将宽禁带半导体材料列为“前沿材料”板块重点突破方向。

《纲要》在“前瞻布局未来产业”章节中明确提出，重点发展新一代电子材料、新型能源材料、先进金属材料、高性能复合材料以及其他前沿材料产品，加速突破宽禁带半导体材料、钙钛矿、高纯铜等领域，布局纳米材料、石墨烯、超导材料等前沿方向。在“新一代半导体”独立条目下，《纲要》进一步提出加快发展新型半导体材料芯片以及芯粒、三维集成等先进封装芯片，重点突破存算一体、3D-DRAM等新架构芯片。

成都：化合物半导体特色工艺获专项支持

成都市在2026年4月发布的集成电路产业政策中，明确将化合物半导体列为重点支持方向。政策提出，重点支持集成电路线宽小于28纳米的12英寸先进生产线，以及化合物半导体、数模混合电路、IGBT等特色工艺生产线建设项目。成都高新区将流片补贴力度进一步提高——全掩膜首轮工程产品流片按重点方向费用50%给予补助，年度总额最高可达1000万元。

中部和西部其他地区同样有所动作。甘肃武威市在2026年4月发布新材料产业链投资机会清单，共71个项目，总投资413.90亿元，其中多个碳化硅项目入选，包括年产30000片6英寸N型4H-SiC单晶衬底及莫桑晶体生产线项目，预计可带动就业500人，中国西北地区正以碳化硅原材料为切入点，接入全球宽禁带半导体产业链。

结 语

回顾近期各地密集出台的政策，宽禁带半导体已从国家层面的战略性新兴产业，进一步落实为多个省份竞相推动的重点产业方向。这一轮政策推进具有几个突出特征：其一，“十五五”规划成为地方将宽禁带半导体制度化、长期化的核心平台，浙江、湖北、安徽、四川等省份均在省级规划中明确写入相关材料体系，政策的连续性和资金支持稳定性明显增强。其二，各地政策正从普惠式扶持走向精准化、差异化，广东着重以补贴力度促进制造落地，浙江侧重材料体系的前瞻布局，湖北强化平台驱动与技术突破，省份间依据自身产业基础选择不同发展路径的格局逐步清晰。其三，第四代超宽禁带半导体材料已正式进入地方政策安排，氧化镓、金刚石等体系被明确写入规划和攻关目录，这将可能在未来五年对中国宽禁带半导体产业的技术路线和空间格局产生深远影响。

注：本文综合自网络公开信息，仅供行业交流与科普参考。如因信息更新或理解偏差存在不准确之处，欢迎联系我们指正。本文不对内容完整性或时效性作任何保证，也不构成任何投资或商业决策建议，不对任何后果承担责任。感谢您的理解与支持。