在AI数据中心、电动汽车及新能源基础设施快速扩张的背景下，功率半导体的战略价值日益凸显。据韩媒《ETNEWS》报道，韩国政府正计划投入5000亿韩元（约合3.443亿美元）国家专项资金，启动下一代功率半导体国产化大型研发项目，以期降低目前高达90%至95%的功率半导体进口依赖。此举被视为韩国半导体政策的重大战略转向，标志着宽禁带半导体被正式提升至国家战略基础设施的高度。

从研发支持到系统布局：韩国功率半导体战略升维

长期以来，韩国半导体产业以存储芯片见长，在功率半导体领域的发展相对滞后。据韩国政府评估，当前韩国下一代功率半导体的技术自主率约为10%，产业链对外依存度较高，成为制约新能源汽车、工业电源及高端装备等关键领域发展的潜在瓶颈。

为改变这一局面，2026年3月5日，韩国产业通商资源部（MOTIE）正式宣布成立“下一代功率半导体推进小组”，由光云大学具相谟（Koo Sang-mo）教授领衔，发布了旨在强化国家竞争力的五年行动计划。

与以往“先研发技术、后寻找应用”的模式不同，本次战略采取了“需求导向型”的推进路径。推进小组计划在2026年上半年完成“下一代功率半导体技术发展路线图”的编制，系统梳理材料、工艺、设计及代工全产业链的性能指标。随后，政府将于2026年下半年启动大规模专项研发项目的规划，并同步开展相关法律修订的政策研讨。韩国政府正在研究通过法律修订，确保本土研发的功率半导体产品能够优先进入国家电网、高压直流输电（HVDC）、人工智能数据中心及尖端武器系统等公共关键领域。

在政策落地层面，韩国同时计划将碳化硅（SiC）功率半导体技术指定为国家战略技术，以提供税收优惠、补贴及监管支持。据业内人士分析，此次政府牵头的发展战略还有望撬动约2500亿韩元的民间配套资金，形成政府与市场协同发力的格局。项目总投资规模有望达到7500亿韩元。

8英寸晶圆厂先行：明确的技术路线与阶段性目标

根据韩国政府公布的详细路线图，2026年内将启动8英寸（200mm）化合物功率半导体晶圆厂基础设施的建设。当前全球功率半导体晶圆仍以6英寸为主，8英寸产能的规模化量产可提升单片晶圆芯片产出数量并降低单位成本，是韩国在宽禁带赛道提升竞争力的关键举措。

具体的技术节点目标是：到2027年，实现1200V级SiC MOSFET等关键功率器件的规模化量产，覆盖车规级及工业级高端应用场景。至2030年，韩国政府希望将功率半导体领域的技术与产能自给率在当前水平基础上提升一倍，即从目前的约10%提升至约20%。

该计划将同时以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为两大核心技术方向。其中，SiC适用于高压、高温、高频等严苛环境，是电动汽车动力系统、超高压电网及AI数据中心电源系统的关键选择；GaN则在高频开关应用中具备效率优势，被广泛用于快充电源与通信设备。

产业生态协同：企业布局加速推进

在政府战略的引导下，韩国主要企业正在加速宽禁带半导体领域的产能与技术布局。

三星电子计划于2026年第三季度生产SiC功率半导体样品，主要面向车规级和工业级应用，未来将进一步拓展至沟槽型SiC MOSFET及功率模块产品。

SK Keyfoundry作为核心企业之一，已加快推进SiC功率器件的生产进度，预计最早在2026年第一季度实现量产。该公司已完成1200V SiC MOSFET的研发，该器件在高电压应用中具有关键地位。

此外，ChipScale等企业专注于GaN功率半导体的规模化量产，现代汽车和起亚等汽车制造商则通过自主研发或与供应商合作，积极推进SiC技术在电动汽车中的落地应用。

该计划采取需求企业牵头的运行机制，将组建包含需求方、Fabless设计公司及晶圆代工厂在内的产业联盟，确保从材料研发到器件生产的全链条协同，并将研发成果快速导入实际应用场景。

结 语

从成立推进小组到专项研发资金落地，韩国正以系统性方式加速宽禁带功率半导体的本土化制造进程。随着全球功率半导体供应链格局加速重构，韩国此次战略布局将如何影响SiC与GaN产业的技术与产能竞争态势，值得行业持续关注。

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