西安3000亿产业目标核心：设50亿元基金，聚焦碳化硅与氮化镓

2026年4月30日，西安市人民政府办公厅正式印发《西安市促进半导体及光子产业高质量发展实施方案》（市政办发〔2026〕31号），提出到2030年产业产值总规模达到3000亿元，设立不低于50亿元半导体产业基金，并明确将第三代半导体作为重点布局领域，围绕碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）材料、器件和模组提升创新应用能力。

一、政策要点

产业规模目标：3000亿元。 到2030年，半导体及光子产业产值总规模达3000亿元，其中半导体2500亿元（设计业500亿元、晶圆制造业975亿元、封测业375亿元、支撑业440亿元、分立器件210亿元），光子产业500亿元。

产业链定位：设计引领、制造主导、封测支撑、材料设备配套。 重点发展功率半导体、存储芯片、通信芯片等特色领域，布局第三代半导体、先进封装、RISC-V等新兴赛道。

制造产线建设：8英寸功率半导体产线。 提出建成8英寸功率半导体、大功率电力半导体器件等制造产线，全力保障两个8英寸功率半导体晶圆制造项目尽早投产达效。

新技术产业化方向：第三代半导体抢占工程。 聚焦碳化硅、氮化镓材料、器件和模组，以及先进封装、RISC-V等方向提升创新应用能力。“第三代半导体抢占工程”被列为“五大工程”之一，着力破解“卡脖子”问题。

链内协同与链间配套。 突出“链内协同”与“链间配套”双轮机制，以整车、储能装备、航空航天、输配电等本地优势应用场景为牵引，推动半导体企业与终端整机企业联合开发、试用验证。

产业基金：不低于50亿元。 设立不低于50亿元的半导体产业基金。2025年12月，总规模50亿元的西安半导体产业链发展基金已率先在西安经开区完成注册，首期规模10亿元，采用“5+2”模式（5年投资期、2年退出期），聚焦半导体核心材料、关键器件、前沿制造等领域。

二、产业基础：高校科研与中试平台支撑

高校科研资源方面，西安电子科技大学是国内宽禁带半导体研究的核心力量之一，在SiC和GaN领域拥有深厚技术储备。依托西电第三代半导体技术，陕西半导体先导技术中心已成功研发基于SiC、GaN的近50款芯片、20款模块、10款模组，部分芯片可实现国产替代，少数产品填补国内空白。该中心成立于2018年，由央企、地方国企、政府出资平台和高校共同投资成立。

制造能力方面，西北首条8英寸高性能特色工艺半导体生产线已于2025年11月投产，超80%的设备可兼容第三代半导体的研发与生产。

光电子领域，8英寸硅光中试线已正式通线。 陕西光电子先导院建设的8英寸先进硅光集成技术创新平台于2025年11月通线，系西北地区首条硅光中试线。

三、联盟观点：第三代半导体已成为地方产业竞争的新焦点

从全国来看，第三代半导体已经成为地方政府产业竞争的新焦点。深圳宝安、龙华、龙岗等区分别规划第三代半导体产业园和集聚区；无锡设立规模50亿元的第三代半导体专项基金；合肥高新区对碳化硅、氮化镓等材料与芯片项目给予最高1亿元政策支持。

在各地密集出台政策的背景下，西安此次发布的《实施方案》呈现几个差异化特征：

一是半导体与光子两大产业同步推进。 依托陕西“追光计划”已有基础，形成协同效应。

二是依托本地优势应用场景推进产业链间配套。 西安在汽车制造和输配电装备领域拥有较完整的产业基础，为第三代半导体器件提供了就近的应用出口。

三是以“链主”带动集群化发展。 陕西半导体先导技术中心作为创新链主，已构建“6+N”全链条创新服务平台，推动20余项高校及科研院所技术成果产业化转化。

四是基金先行，政策与资本同步落地。 总规模50亿元的西安半导体产业链发展基金已率先完成注册，打通“技术转化—资本赋能—产业落地”的闭环生态。

西安科教资源富集，拥有西安交通大学、西安电子科技大学等多所电子信息领域重点高校，在SiC和GaN基础研究方面沉淀深厚。本次政策有望将这些科研优势加速转化为产业优势。方案中“第三代半导体抢占工程”等五大工程的实施效果，将在很大程度上决定西安能否在日趋激烈的城市半导体产业竞争中走出一条特色化突围之路。

信息来源：西安市人民政府

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