Modelithics与Guerrilla RF达成赞助型MVP合作，六款GaN-on-SiC HEMT非线性模型纳入COMPLETE Library

2026年5月13日，高精度射频与微波仿真模型领域的领先提供商Modelithics, Inc.宣布，来自Guerrilla RF, Inc.（OTCQX: GUER）的六款大功率氮化镓器件非线性模型已正式纳入Modelithics COMPLETE Library。这些模型通过Guerrilla RF以赞助型MVP（Modelithics Vendor Partner，即Modelithics供应商合作伙伴计划）身份与Modelithics合作开发完成，即日起向全球射频功率放大器设计工程师开放使用。

建模的意义：从“接近实际”到“直接可用”

在射频功率放大器设计流程中，晶体管模型的精度直接决定了首次设计成功率和整体开发周期。传统的器件数据手册通常仅提供有限偏置条件下的S参数，而实际工作状态下的非线性行为——包括增益压缩、谐波失真、AM-PM转换和热效应——往往依赖设计人员凭经验估算或通过大量流片迭代来补偿。这种不确定性在宽频带、高功率密度的GaN-on-SiC HEMT设计中尤为突出。

非线性模型的价值在于，它将器件的非线性行为用数学形式精确描述，使设计人员能够在仿真环境中提前评估电路在真实工作条件下的性能，从而减少原型迭代次数，缩短产品上市时间。

Modelithics COMPLETE Library正是基于这一行业需求而构建。该库集成了来自超过80家制造商的约29,000个组件的仿真模型，为射频和微波设计工程师提供了一个统一的、经过验证的建模环境。此次与Guerrilla RF的合作，是该库在大功率GaN器件模型领域的又一重要扩展。

从2025年底的规划到2026年5月的正式入库：一项持续半年的合作推进

本次合作并非一蹴而就，而是经过了一个完整的从规划到落地的过程。

最早可追溯至2025年11月，Modelithics宣布Guerrilla RF以赞助级别加入MVP计划，当时透露的信息是，六款GaN HEMT功率晶体管的非线性模型正在开发中，覆盖15W至150W功率范围和DC-8GHz频段。

根据Modelithics官网的介绍，MVP计划分为多个级别，赞助级别意味着供应商以付费方式获得模型开发服务，并可在入库后享受优先的技术支持、市场推广以及在COMPLETE Library库中建立专属产品页面等权益。作为赞助方，Guerrilla RF还向所有设计工程师提供了旗下组件全套Modelithics模型的90天免费使用权益。

经过约半年的建模与验证工作，2026年5月13日，首批六款模型的正式入库正式对外公布，标志着Guerrilla RF GaN-on-SiC HEMT产品线完成了从器件量产到设计支持基础设施的最后一块拼图。

六款模型的技术参数与应用覆盖

本次入库的首批模型对应Guerrilla RF的六款未匹配离散GaN-on-SiC HEMT器件，功率等级覆盖15W至150W：

所有六款器件均已量产并可供采购。Guerrilla RF方面表示，其GaN-on-SiC HEMT产品线实际上覆盖5W至150W，支持28V和50V工作电压，且全部符合EAR99出口分类标准。更高功率的变体型号将在未来几个月内陆续推出。

这些模型已在Keysight ADS和Cadence AWR Design Environment两大主流EDA仿真工具中得到全面验证，并支持跨宽频带S参数和大量程负载牵引条件下的性能仿真。模型采用经过增强的Angelov非线性模型拓扑结构——该模型拓扑专为GaN和GaAs HEMT器件的建模而优化，是业界公认的HEMT器件非线性行为描述的主流方法之一。模型经过了宽频带多频率S参数和大信号负载牵引实测数据的严格验证，使设计人员能够在宽范围的偏置、频率和热条件下进行射频功率放大器性能的仿真评估，进而显著降低原型迭代次数，加速设计导入流程。

在制造工艺层面，该系列器件基于SiC衬底的GaN HEMT工艺平台，支持包括脉冲操作在内的多种工作模式，在热管理和功率密度方面具备固有优势。SiC衬底的高导热系数使GaN-on-SiC HEMT在高温和高功率密度条件下相比GaN-on-Si方案表现出更优的散热性能和长期可靠性，使其成为航空航天、防务通信等要求高可靠性的射频功率放大器设计的首选工艺路线之一。

应用指向：航空航天、防务、无人机与宽带无线通信

Guerrilla RF首席执行官兼创始人Ryan Pratt在新闻稿中明确指出了公司在这一领域的定位。他表示：“市场整合和竞争对手的退出在高功率GaN领域留下了一个真正的空白——Guerrilla RF就是为填补这一空白而存在的。我们在无人机、反无人机和战术无线电台应用中看到的需求激增，要求超宽带功率放大器在不妥协的前提下实现高性能。”

从器件指标的设定来看，该系列产品的目标应用场景相当清晰：

• DC-8GHz的工作频段覆盖，涵盖了从VHF/UHF通信到C波段雷达的广泛频谱资源；
• 15W至150W的饱和功率（PSAT）等级，适合无人机通信链路、战术无线电台功率末级、电子对抗系统中的宽带功放模块等场景；
• 支持脉冲和线性两种操作模式，这意味着器件既能满足雷达系统的脉冲发射需求，也能适应通信系统的线性放大要求。

Modelithics总裁兼CEO Larry Dunleavy对此表示，与Guerrilla RF建立合作并开发GaN功率晶体管系列的非线性模型，是COMPLETE Library的一项重要扩展，这些模型将为射频设计工程师带来可靠的工具支撑。此次合作也表明，Modelithics在射频和微波建模领域的布局，正向大功率GaN-on-SiC HEMT方向持续深化。

联盟解读：EDA生态与GaN器件产业之间的桥梁

从更宽的行业视角来看，此次合作传递了一个值得关注的信号：高功率GaN器件正在从提供“硬件能力”向提供“完整设计工具链”转变。对于无人机、战术通信、航空航天等领域的射频系统设计团队而言，能够获得经过验证的非线性模型，意味着在设计阶段就能够对大功率放大器的效率、线性度和热性能进行系统性优化，从而减少后期硬件迭代的成本和时间损耗。

Modelithics的COMPLETE Library目前已累计覆盖超过80家制造商的产品，其作为EDA工具生态中的“中间件”角色日益重要。此次Guerrilla RF以赞助型MVP身份加入，既是对Modelithics建模能力的认可，也反映出射频半导体供应商在市场竞争中越来越重视设计工具链的完整性和易用性。

综合来看，此次Modelithics与Guerrilla RF的赞助型MVP合作，是大功率GaN-on-SiC HEMT器件迈向成熟商业化进程中一个重要且必要的环节。当器件本身已具备量产能力和性能优势，配套的设计支持工具是否完备，往往决定了这些器件能否真正进入主流射频系统设计的选型清单。

信息来源：businesswire

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