Navitas募资1.22亿美元：双线推进GaN SiC在AI数据中心的应用拓展

2026年5月，Navitas Semiconductor完成了一轮市价增发，净募资约1.22亿美元，由Craig-Hallum Capital Group与瑞银证券共同担任销售代理。此次募资为公司此前已备案的2.5亿美元搁架注册计划的一部分，资金将用于补充营运资本及一般公司用途，同时不排除未来开展收购。

从宽禁带半导体产业发展的视角来看，此次融资发生在Navitas全面向AI数据中心、电网基础设施、高性能计算和工业电气化四大高功率市场转型的关键窗口期，资金将为公司在GaN和SiC两条技术路线上的产品开发和市场拓展提供持续支持。

一、技术双轮驱动：GaN与SiC协同推进

Navitas是目前少数同时布局氮化镓和碳化硅两条宽禁带技术路线的电源半导体企业之一。GaN凭借更高开关速度和更高效率在低电压、高频场景中优势显著，而SiC则以耐高压和热性能优异在更高功率等级的AC-DC转换中发挥关键作用。在AI数据中心电源架构不断演进的过程中，两种材料的互补性正在形成系统级的协同效应。

在GaN技术领域，Navitas在2026年初推出了一款10 kW全GaN DC-DC电源平台，采用650V和100V GaNFast FET构建三级半桥架构，实现800V到50V的电压转换。该平台峰值效率达98.5%，全负载效率98.1%，开关频率1 MHz，功率密度2.1 kW/in3，尺寸仅61mm×116mm×11mm（全砖型）。该平台正在主要数据中心客户中通过协同开发进行验证，并将支持下一代HVDC AI数据中心向800V配电架构的升级。

同年3月，Navitas在NVIDIA GTC大会上进一步推出了突破性的800V直接转6V DC-DC供电板（PDB） ，完全消除了传统48V中间总线转换器（IBC）级。该供电板采用16颗650V GaNFast FET，开关频率1 MHz，峰值效率96.5%，功率密度2100 W/in3。输出6V可使后级VRM的转换比减半，进一步降低损耗。这一架构专为英伟达Rubin等下一代AI加速器的超高密度机架设计（单机架功率达1 MW级）提供了紧凑高效的供电方案。

在SiC技术领域，Navitas于2026年2月发布了第五代GeneSiC沟槽辅助平面（TAP）1200V SiC MOSFET平台。相比上一代产品，该平台实现了35%的FoM（RDS(ON)×QGD）提升和约25%的QGD/QGS比值优化，开关损耗显著降低，支持更高频率和更低温度运行。该产品线还引入了顶部冷却QDPAK和薄型TO-247-4L两种新封装形式，前者通过顶部直接散热突破了传统PCB冷却的热限制，高度仅2.3mm；后者专为高密度AI电源机架中垂直空间受限的场景设计。

此外，Navitas与洛桑联邦理工学院（EPFL）合作开发了250 kW固态变压器（SST）演示方案，采用第四代3300V和第五代1200V GeneSiC SiC MOSFET，将3.3kV交流电直接转换为800V直流电，消除传统低频变压器，提升端到端系统效率与模块化水平。该SST平台为AI数据中心的800V直流配电提供了从电网到机架的完整电力架构方案。

二、战略转型：从消费电子到AI数据中心高功率市场

在“Navitas 2.0”战略框架下，公司正有意识地退出利润低且同质化的中国移动充电业务，全面转向AI数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算和工业电气化四大高功率市场。据公司分析，AI数据中心可服务市场空间预计达14亿至25亿美元，年复合增长率66%至87%。

此次1.22亿美元募资的完成，为这一转型战略提供了更充裕的资本储备。与此同时，公司还在供应链层面积极推进全球化布局。2025年11月，Navitas与GlobalFoundries达成长期战略合作，共同在美国佛蒙特州Fab 9建设GaN功率半导体制造中心，开发下一代GaN-on-Silicon技术，预计于2026年底前实现美国本土量产，为AI数据中心和关键电力应用提供安全可控的本地化供应链保障。

三、生态系统合作：技术赋能与市场拓展并行

在技术与产品布局之外，Navitas也在通过生态系统合作加快GaN技术的市场渗透。

2026年5月11日，合作伙伴Cyient Semiconductors推出印度首批商用650V GaN功率IC系列，采用Navitas授权技术开发，覆盖边缘AI计算、电动出行充电平台及数据中心电源等应用。同时，Cyient将作为Navitas部分已量产GaN器件的第二供应源以加强供应链韧性。此举不仅帮助Navitas拓展了印度市场渠道，也增强了全球供应链弹性。

四、宽禁带半导体产业视角的思考

从宽禁带半导体材料的发展趋势来看，Navitas的转型路径具有典型的产业样本价值。 早期的GaN应用主要集中在消费级快充等对成本高度敏感、技术壁垒相对较低的领域；而当AI算力需求的指数级增长对数据中心供电架构提出了超高功率密度、超高效率和超高热可靠性的要求时，宽禁带半导体真正的技术优势才开始在高端应用场景中释放。

AI数据中心的供电架构正在经历从传统54V配电向800V高压直流的深刻变革。在这一变革中，SiC和GaN两种材料在高频化、高耐压和高效热管理方面的技术价值正在从实验室走向规模化工程验证。GaN在800V/6V单级变换中的1 MHz高频化验证，SiC在固态变压器中从3.3kV到800V的单级转换，以及两项技术在同一系统架构中的协同部署，共同构成了宽禁带半导体在新型能源基础设施中系统性应用的早期范式。

与此同时，对Navitas而言，如何在GaN和SiC两条技术路线之间合理配置研发与制造资源，在快速扩张的AI电源市场中与英飞凌、德州仪器等传统功率半导体巨头展开差异化竞争，以及本轮募资之后是否通过并购补齐产品线短板以加速实现“Navitas 2.0”的完整闭环，都将是后续产业链持续关注的重点。

信息来源：TS2 Tech

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