报告分享| SiC MOSFETs非侵入式结温均衡与平滑方法研究

张擎昊 博士后

张擎昊，本博均毕业于清华大学电机工程与应用电子技术系，师从国家杰青张品佳教授，现为清华大学 “水木学者”博士后；研究方向为功率装备可靠性健康管理与智能感知。近年来，以第一作者、通讯作者在电气领域国际TOP期刊分别发表论文12、1篇，被引785次，H指数为16；授权/受理发明专利16件；获学会科技进步一等奖3项、IEEE计算智能协会亮点论文奖1项、IEEE最佳会议论文奖3项，获评清华大学、中国电工技术学会优秀博士论文奖，入选国家资助博士后研究人员计划；主持国家重点研发计划子课题2项、青年基金1项；担任IESES出版主席、多个TOP期刊审稿人。

信息来源：NE电气

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。