斯莱克联手北科大，金刚石复合材料热沉样品进入测试阶段

2026年5月18日，斯莱克（300382.SZ）官微宣布，公司与北京科技大学联合研发的金刚石复合材料热沉样品已完成开发，即将进入测试阶段。 这一消息之所以引发业内关注，核心在于一个“快”字——从双方签约到完成样品开发，全程仅用了约一个半月。

一、研发进度：签约、出样、测试，节奏大幅超出市场预期

这一时间线本身释放了一个行业性信号：在产学研协同模式下，高端散热材料从图纸验证到实物落地的周期，正在被显著压缩。

2026年3月31日，斯莱克与北京科技大学正式签署《技术开发合同》，委托北科大研发《新一代高导热金属/金刚石复合材料制备装置研制开发》项目。合同约定研发周期约为1.5年。

2026年5月18日，斯莱克即官宣热沉样品已完成开发，即将进入测试阶段。从签约落地到样品出炉，从1.5年的既定周期缩短至一个半月就完成了关键样品的开发，实际进展远超最初的技术路线图安排。 斯莱克同步明确表示，后续将争取尽快完成从小试到量产的专用设备开发和相应的复合材料生产。

斯莱克在2025年12月便已出资2550万元设立斯莱克热控科技（常州）有限公司，持股85%，其经营范围涵盖数据处理服务、人工智能硬件销售和储能技术服务，提前卡位算力基础设施热控赛道。从战略布局到合作签约，再到高速产出样品，斯莱克在不到半年的时间内完成了关键材料领域的从零突破。

二、技术价值：宽禁带封装“卡脖子”材料的国产突围

金属/金刚石复合材料此前已被《瓦森纳协议》列为对华禁运产品，国内自主供给能力长期处于空白状态，严重威胁产业链安全。 宽禁带半导体器件的普及进一步放大了这一短板。

从物理极限来看，传统金属材料已触达散热的物理天花板。金刚石是自然界热导率最高的材料（约2200 W/m·K，远高于铜的401 W/m·K和铝的237 W/m·K），但脆性大、加工难，难以直接应用。金属/金刚石复合材料通过气压浸渗法将金刚石颗粒分散于金属基体中，兼顾超高导热与可加工性。

北科大团队在这一领域已深耕多年，截至2025年已累计获得相关专利10余项，涵盖材料制备、界面调控和表面处理等全流程核心技术。技术核心指标包括：热导率＞900 W/m·K；热膨胀系数4-8 ppm/K，与SiC和GaN芯片材料的热膨胀特性高度匹配；抗弯强度≥300 MPa，可满足复杂工况下的长期服役需求。

从宽禁带器件封装的视角来看，即使SiC本身拥有约370-490 W/m·K的较高热导率，多芯片集成产生的局部热点仍然对模块散热提出了严苛要求。金刚石复合材料约900 W/m·K的热导率，为SiC MOSFET模块、GaN功率IC封装及高功率激光器等场景，提供了超越器件自身散热极限的额外热传导通道。

斯莱克除高功率芯片器件外，其规划应用场景还覆盖大功率激光器、功率模块和雷达系统等领域，明确指向了AI算力基础设施和高端装备散热这一正处高速增长期的市场方向。

三、联盟解读：国产宽禁带封装散热材料的“产学研加速度”正在形成

从宽禁带半导体产业的演进方向来看，斯莱克此次“1.5个月从签约到出样”的进度，远不止是一个上市公司的研发效率公告，更是对我国第三代半导体封装产业链国产化能力的一次正向验证。 宽禁带功率模块的性能释放，不仅取决于SiC/GaN器件本身的电学指标，更取决于能否将热量高效导出。金刚石基散热材料正是突破这一瓶颈的关键技术路径。斯莱克以精密装备制造能力与高校前沿材料研发实力相结合的产学研模式，在关键材料国产替代的窗口期中展现出高度的敏捷性，对于正在加速追赶的宽禁带封装产业而言，具有积极的示范意义。

展望未来，金属/金刚石复合材料当前仍面临批量化生产工艺稳定性以及成本控制等多重工程化考验，但其技术逻辑已获得产业链的广泛认可。 随着AI算力中心的机柜功耗向MW级跃进、SiC/GaN功率模块的工作结温不断逼近材料极限，散热封装正在从“被动导热”的角色升级为决定系统整体性能的“主动协同”关键环节。

信息来源：斯莱克

注：本文综合自网络公开信息，仅供行业交流与科普参考。如因信息更新或理解偏差存在不准确之处，欢迎联系我们指正。本文不对内容完整性或时效性作任何保证，也不构成任何投资或商业决策建议，不对任何后果承担责任。感谢您的理解与支持。