ST推出7款700V PowerGaN增强型HEMT，覆盖AI服务器中高功率场景

5月26日，意法半导体宣布扩展其STPOWER PowerGaN产品组合，新增7款700V氮化镓功率晶体管，面向AI服务器、机器人、工业电源及智能电网转换器等中高功率应用场景。

7款新品覆盖6A-29A，导通电阻低至53mΩ

此次发布的产品系列为增强型高电子迁移率晶体管，全部采用700V耐压等级设计，旨在支持高可靠性大功率运行和高频拓扑结构。

7款器件覆盖6A至29A连续电流范围，典型导通电阻值介于53mΩ至270mΩ之间。

具体型号及参数如下：

• SGT350R70GTK（6A，270mΩ），采用DPAK封装；
• SGT070R70HTO（26A，53mΩ），采用无引脚TO-LL封装；
• SGT080R70ILB（29A，60mΩ），采用PowerFLAT 8×8封装；
• SGT105R70ILB（21.7A，80mΩ），采用PowerFLAT 8×8封装；
• SGT140R70ILB（17A，110mΩ），采用PowerFLAT 8×8封装；
• SGT190R70ILB（11.5A，165mΩ），采用PowerFLAT 8×8封装；
• SGT240R70ILB（10A，180mΩ），采用PowerFLAT 8×8封装；

意法半导体指出，7款器件均具备GaN宽禁带技术的固有优势，包括极低内部电容、低栅极电荷，以及零反向恢复电荷。其中，栅极电荷与导通电阻乘积优值指标显著优于传统硅器件。

在封装层面，TO-LL和PowerFLAT版本均配备开尔文源极连接，将栅极控制电路与主功率路径分离，以最大化抗噪能力、保护栅极驱动器并保留时序余量。所有封装均为业界成熟的表面贴装形式，已获主流电子设计自动化工具链广泛支持。

可直接替代MOSFET，实现更高频拓扑

意法半导体方面表示，新款PowerGaN器件既可作为现有功率转换电路中MOSFET的直接替代方案，也支持全新高频率拓扑设计。得益于GaN器件在更高开关频率下运行的能力，设计人员可显著缩减磁性元件和无源器件的尺寸，从而构建更紧凑的功率级并提升整体功率密度。

功率半导体设计人员评估新器件时，通常从以下关键指标入手：导通电阻决定导通损耗，栅极电荷影响开关损耗，反向恢复电荷则关系到体二极管行为。GaN器件在三个维度均展现出对硅基方案的系统性优势，这使其尤其适用于对效率、功率密度和散热有严格要求的场景。GaN器件在较高开关频率下可显著降低磁芯和铜损，同时因零反向恢复特性消除了硬开关阶段的额外功耗，设计人员得以采用更紧凑的磁性元件和更小的散热器。

在应用场景层面，这7款700V GaN器件面向正处于快速扩容期的市场。AI服务器单机柜功率已从传统数十kW级向MW级跃进，机器人关节驱动和工业电源模块对功率密度和热管理的要求持续提升，智能电网中分布式能源接入所需的双向转换器同样对高压、高频功率器件产生新的需求。

意法半导体电力与分立产品子部门执行副总裁Mario Aleo表示：“通过新增700V器件扩展PowerGaN产品组合，我们将氮化镓技术的优势延伸至中功率和高功率应用领域。”

他还进一步指出，公司将继续扩展该产品组合的电压等级和功能，“巩固ST对面向未来AI服务器、人形机器人、工业电源以及包括家电在内的高级消费电源应用的氮化镓技术承诺。”

联盟解读

意法半导体此次批量扩充700V GaN产品线，将氮化镓技术的应用边界从中低压快充、适配器等消费级市场，推进到AI服务器电源、机器人驱动、智能电网等中高功率工业领域。意法半导体此次统一推出覆盖6A至29A范围的700V GaN组合，在设计导入层面为电源工程师提供了完整的器件选型阶梯，降低了评估多供应商分散物料的门槛。

这一产品组合的宽度本身也向行业传递了信号：宽禁带功率半导体正处于从中压小功率向高压中高功率加速渗透的关键阶段，AI算力基础设施带来的供电架构变革正在为氮化镓器件开辟继消费快充之后的第二增长曲线。从需求侧看，数据中心供电从传统12V/48V向800V HVDC架构跃迁，使得100V-650V等级GaN器件获得系统性导入场景；从供给侧看，多家IDM和Fabless厂商已在该电压区间完成产品覆盖，市场竞争格局正在形成。

信息来源：www.st.com

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