GaN与SiC作用前景凸显：高压直流供电架构落地路径渐明

近日，2026世界AI服务器电源大会在深圳举办。大会现场，800V HVDC电架构成为全场核心技术焦点。随着AI算力呈指数级增长，服务器电源正面临效率、功率密度与可靠性的极限挑战，需要补位直流安全技术、标准以及协同产业链生态共同发展和推动。宽禁带半导体以其高频、高效、耐高温等优势，已成为破解这一瓶颈的重要钥匙。

基本半导体携多款适配AI服务器电源的碳化硅功率器件亮相大会。以第三代半导体技术为支点，为AI算力基础设施的高效稳定运行注入强劲动力。基本半导体展示的针对AI服务器算力供电场景的高功率碳化硅MOSFET系列产品，具备低导通损耗、高热导率、高可靠性及高性价比等优势，吸引了众多行业人士的高度关注与深入交流。

高功率SiC MOSFET 赋能AI服务器算力供电

核心优势：低导通损耗、高热导率、高可靠性、高性价比

主推型号：650V/1200V 40mΩ/25mΩ，提供TOLT、T2PAK-7、QDPAK等顶部散热封装

全系列覆盖：650V / 750V / 1200V / 1700V 全阻值

典型应用：HVDC、AI服务器电源、数据中心供电、UPS、高压辅助电源

AOS 公司基于硅基与宽禁带半导体研发制造领域的技术积累，为 AI 服务器的电源革命注入强劲动力，公司产品从主流 AC/DC 5.5 kW 架构到新世代 AI 工厂 800 V 高压直流架构中的关键电源转换环节高度契合。

服务器电源架构及AOS解决方案

昕致科技分享了三大核心观点：

• SiC 器件是 AI 电源能效跃迁的关键：AI 服务器电源高频化、高效化趋势明确，SiC 器件凭借低导通损耗、高开关频率、耐高温等特性，可显著降低电源转换损耗与散热成本，是解决 AI 服务器电源能效问题的必然选择；
• 800V HVDC+SiC 方案成中短期最优解：垂直供电（VPD）是远期终局方向，但短期内 800V HVDC 架构结合 SiC 功率器件，可快速落地并有效解决传统供电瓶颈，具备高可行性与性价比；
• 国产功率半导体需强化协同创新：AI 电源产业链需构建 “芯片 - 器件 - 模块 - 整机” 协同生态，昕致科技将持续深耕 SiC 技术迭代，联合上下游伙伴优化器件性能、降低应用门槛，助力国产 AI 电源产业链自主可控。

昕致科技650V-1700V全系列碳化硅功率器件与800V高压直流配电及固态变压器SST技术方向高度契合。公司凭借覆盖主流电压平台的完备产品矩阵助力行业伙伴在AI数据中心供电架构中实现更高效率与更优成本。

纳微半导体围绕AI服务器供电架构演进、800V HVDC电源设计挑战，以及高功率GaN器件在HVDC砖块电源中的应用进行了系统分享。

HVDC砖块电源模块主要承担800V至50V、48V、12V或6V的高压直流转换，是连接高压母线与服务器内部低压供电系统的关键环节。在器件层面，纳微半导体重点强调了高功率氮化镓在HVDC砖块电源中的优势。相比传统硅器件，GaN在相同导通电阻下可以实现更小芯片面积，同时具备更低开关损耗和更低栅极电荷，尤其适合高频、高功率密度DC/DC模块。

芯朋微电子展示了多项面向AI数据中心的核心方案，包括面向800V HVDC架构的1700V SiC辅助电源方案、高性能隔离驱动与SiC/GaN驱动芯片、高频高效率数字电源控制器、面向AI GPU/CPU供电的多相VRM解决方案，以及高功率密度计算能源功率级产品。通过在高压、高频、高密度等方向持续推进技术布局，芯朋微电子正加速推动AI服务器供电向更高效率、更低损耗和更优热管理能力演进。从800V HVDC到1V VcoreAI 数据中心高压直流三级电源系统方案。

从800V HVDC到1V Vcore

AI 数据中心高压直流三级电源系统方案

结 语

可以看出，800V HVDC的技术方向已经明确。GaN与SiC在高压直流供电场景中的角色分工日益清晰： GaN凭借高频开关与低损耗特性，在800V的 HVDC架构发挥优势；SiC则凭借更高的击穿电压与耐高温性能，在电网侧SST、高压辅助电源等场景中提供可靠支撑。两种材料的协同发力，共同构筑了从电网到芯片的完整功率链路。当供应端多样性与下游验证同步推进时，宽禁带半导体在AI数据中心供电领域的规模化应用正在从方案验证走向量产导入阶段。

信息来源：世界服务器电源大会

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