英飞凌携手麦田能源，SMD全碳化硅方案率先落地户用光储

5月30日，英飞凌科技与麦田能源正式宣布深化双方合作关系。麦田能源成为首家在太阳能光伏及储能领域采用英飞凌SMD（表面贴装）全碳化硅解决方案的合作伙伴，并率先获得“英飞凌赋能（Enabled by Infineon）”标识授权。 双方将携手推动创新技术在户用储能领域的应用。

核心技术：Q-DPAK顶部散热封装

英飞凌率先在行业内推出了基于新二代CoolSiC™ MOSFET 1200V芯片、采用全新顶部散热Q-DPAK封装的贴片式产品系列。英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2产品通过沟槽栅设计和严苛的生产管控，有效降低了开关损耗；同时借助增强型.XT扩散焊技术提升散热效率，推动了系统整体效率和可靠性的双提升。

与传统底部散热方案相比，全新的顶部散热Q-DPAK封装可支持更优的PCB布局，有助于降低寄生参数和杂散电感的影响，提供更出色的热管理能力。该封装将器件的电气连接与热界面分离，旨在帮助设计师简化制造流程并提高功率密度。

英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2

Q-DPAK封装

应用成果：开关损耗降低70%，效率创纪录

通过采用英飞凌SMD全碳化硅解决方案，麦田能源率先在PQ3-Ultra系列中应用领先的Q-DPAK封装碳化硅器件。凭借极低的寄生电感和麦田能源优异的硬件电路设计，该方案大幅抑制了开关震荡，将开关损耗降低70%，实现了PV最高并网效率98.78%和电池充放电最高效率98.47%，取得了全球领先的全链路效率。

此外，麦田能源的PQ-H3-Ultra-10.0搭配EQ3300-5电池，2026年以97.0%的综合分数取得了德国HTW SPI（10kW）组第一名，并创下了自2018年该评测启动以来的历史最高纪录。

麦田能源PQ3-Ultra 户用储能逆变器

联盟解读

英飞凌将Q-DPAK封装SiC MOSFET定位为高功率密度与高温运行场景的优化方案，适用领域覆盖电动汽车充电、光伏、UPS、固态断路器、工业驱动及AI等多个方向。

从产业链演进的角度看，SMD封装碳化硅器件在户用储能系统中的率先落地，意味着宽禁带半导体正在从电动汽车、AI数据中心等高端应用领域，向光伏储能、户用逆变器等对成本和可靠性同样敏感的民用市场加速渗透。 当宽禁带半导体技术能够在户用储能这类规模化、长周期的应用场景中完成工程验证，其在整个功率电子产业链中的普及速度有望进一步加快。

信息来源：英飞凌工业半导体

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