5月底，宽禁带半导体领域迎来了一波产品热潮，罗姆、Microchip、东芝、联动科技等公司相继公布了关于SiC和GaN的新产品，涵盖范围广泛——从功率半导体、功率模块到可靠性测试设备，这些新产品面向AI数据中心、固态变压器以及车规级场景，为业界释放出清晰的产业信号。

罗姆：750V SiC-MOSFET应用于AI服务器BBU

5月21日，罗姆宣布其750V耐压SiC MOSFET“SCT4013DLL，已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。集成于±400V架构的电源，该产品的最高结温为175℃，即使在因电压和功率密度提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。在下一代800VDC电源架构中，BBU中电池的电源电压约为560V，因此依然使用这款750V电压测试仪。罗姆表示，SiC功率器件具有高耐压、低损耗和高温工作的特点，作为电力控制核心的关键器件备受期待。

Microchip：3.3kV SiC模块加速固态变压器的部署

Microchip于5月26日推出3.3kV HV-D3 mSiC功率模块，在行业标准62mm封装中集成了SiC MOSFET和肖特基二极管，旨在简化和加速固态变压器（SST）在AI超大规模数据中心及其他高压电源应用中的部署。

5月26日，Microchip宣布推出3.3 kV HV-D3-MSiC功率模块，通过将SiC MOSFET和肖特基二极管集成到行业标准的62毫米封装中，该产品简化并加速了加速固态变压器（SST）在AI超大规模数据中心及其他高压电源应用中的部署。

Microchip高功率解决方案副总裁Clayton Pillion表示：“随着AI数据中心不断突破从电网向GPU供电的极限，与低压SiC解决方案相比，固态变压器的重要性变得越来越高。我们的3.3kV HV-D3 mSiC功率模块使设计人员在连接13.8kV或34.5kV电网时，能够将串联器件的数量比低压SiC方案减少约一半。”该模块填补了100-300A工业功率模块产品组合的空白，建立了SiC分立器件与更大功率模块之间的链接。

得益于Microchip的mSiC-MOSFET技术，，在温度范围内提供具有竞争力的RDS(on)稳定性，封装支持6kV隔离，采用氮化硅（Si₃N₄）基板，增强了导热性和功率循环能力，有助于设计人员在不过度依赖冷却系统的情况下，实现更高的功率密度。

东芝：1200V沟槽栅SiC MOSFET出样，性能大幅提升

5月21日，东芝宣布开始交付其1200V沟槽栅SiC MOSFET“TW007D120E”的测试样品，目标市场为下一代AI数据中心电源系统和可再生能源设备，随着生成式AI的快速普及，数据中心的能耗已成为一大挑战，特别是高性能AI服务器的引入和800V HDC配置的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。

与东芝第三代产品相比，TW007D120E将单位面积导通电阻降低了约58%，品质因数（RDS(on)×Qgd）提升了约52%。采用QDPAK顶部冷却封装，有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能。东芝计划在2026财年内实现量产，并将继续拓展产品线，包括开发面向汽车应用的产品。

与东芝第三代产品相比，TW007D120E将单位面积的导通电阻降低了约58%，品质因数（RDS（on）× Qgd）提高了约52%。此外，采用了顶部冷却的QDPAK外壳，提高功率密度并改善功率级散热性能。东芝计划于2026财年实现量产，并在未来扩大产品组合，考虑开白汽车领域的应用。

联动科技：SiC雪崩测试保护装置突破“炸芯”难题

国产SiC产业的技术突破不限于器件制造环节，测试设备同样在加速自主化。5月29日，联动科技宣布自研SiC晶圆CP/KGD雪崩测试防烧毁保护装置，成功攻克了测试过程中芯片击穿、针卡损伤及晶圆破片等行业痛点。

增加雪崩保护装置针卡完好

测试异常芯片微损伤

无保护装置针卡受损

芯片有破碎风险

雪崩参数测试是验证SiC器件可靠性的核心环节，但测试过程高能量、冲击大，极易造成芯片击穿烧毁，是长期困扰行业量产的难题。联动科技依托二十余年功率半导体测试技术积淀，构建了硬件限流、动态钳位、纳秒级关断三重防护体系。

该装置已全面搭载于联动科技的SiC晶圆CP测试系统和SiC KGD测试系统。落地量产后，可将SiC雪崩测试芯片损坏率控制在0.01%以内，显著提升良品率，同时支持多工位并行测试，适配车规级SiC芯片规模化量产需求。

联盟解读

五月底这一轮新品发布，虽然各企业切入角度不同——罗姆主攻器件应用落地、Microchip瞄准SST模块、东芝提升MOSFET性能、联动科技解决测试瓶颈——但最终都指向了AI数据中心这个共同的目标市场。从BBU中的SiC MOSFET，到SST中的3.3kV功率模块，再到测试环节的可靠性保障，产业链各个环节正在形成协同推进的态势。

当器件性能、模块集成和测试能力同步提升时，宽禁带半导体在AI算力基础设施和新能源汽车两大市场的渗透才会更加可靠。本批次新品的集中发布，表明宽禁带半导体产业正从单点突破走向系统化成熟。对于下游系统厂商而言，器件选型窗口正在拓宽，供应链的多样性也在增强。

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