韩国投 5000 亿韩元攻关 SiC/GaN，日本设备销售额首破 5.5 万亿日元

6月14-15日，韩国与日本几乎同时释放宽禁带半导体领域的政策信号。韩国启动“超级创新经济项目”，计划投入 5000亿韩元（约22.3亿元人民币）攻关下一代功率半导体；日本半导体制造设备协会预测，日本产设备销售额本财年有望达 5.5万亿日元（约347亿美元），创历史新高，化合物半导体投资是主要驱动力。

韩国：5000亿韩元，押注功率半导体

6月14日，据Wccftech报道，韩国政府启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元攻关下一代功率半导体。加上民间配套，总规模预计达 7500亿韩元（约4.94亿美元）。

据《首尔经济日报》报道，韩国正将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业。紧急经济指挥部会议上，副总理兼经济财政部长官具允哲敲定了项目细则。政府计划本月内确定技术路线图，要求企业参与从材料到系统演示的全周期开发。会上，功率半导体与小型模块化反应堆、传感器AI一起被列为未来增长引擎。具允哲表示，要“发现第二、第三个半导体等未来增长引擎”。

攻关聚焦 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。韩国产业通商资源部已成立专项工作组，升级釜山、浦项等地的晶圆厂。政府要求所有使用功率半导体的企业都参与研发计划，意在构建完整生态。

据Sedaily报道，该项目明确将功率半导体培育为比肩DRAM的核心产业。项目聚焦高温、高压、高频下的器件性能。技术路线明确后，将推进 8英寸化合物功率半导体晶圆厂，计划 2027年实现1200V SiC MOSFET量产。应用覆盖AI数据中心、新能源汽车、电网、工业驱动、航空航天等。韩国政府提出到 2030年将功率半导体技术自主率从10%提升至20%。

产业协同上，韩国将构建 “需求企业+Fabless+晶圆代工”联盟，撬动2500亿韩元民间配套，目标2030年自给率翻倍。

日本：设备销售额首破5.5万亿日元

据日本半导体制造装置协会（SEAJ）预测，2026会计年度日本半导体设备全球出货额预计达 5.5万亿日元，首次突破5万亿。2025年度成长率仅3%，2026年度将达12%。增长主要由国内SiC、GaN等化合物半导体投资驱动。SEAJ会长、东京威力科创社长河合利树表示，AI、量子计算和机器人应用扩展将增加尖端设备需求。

此前SEAJ数据显示，2025年日本制芯片设备销售额年增14%至5.0585万亿日元，连续第2年创新高。日本将宽禁带半导体定位为下一代产业竞争核心赛道。AI驱动的先进制程（2纳米晶圆、HBM DRAM设备）是主因，但化合物半导体设备投资也是重要增长极。

联盟解读

韩日同时加码并非巧合。AI数据中心功耗暴增是直接导火索。工银瑞信基金6月研报指出，受成熟制程产能收缩、AI算力爆发驱动，全球功率半导体结构性紧缺，MOSFET、第三代半导体器件价格持续上涨，部分企业年内已二度调价。中信建投提到，AI服务器800V高压直流、固态变压器等新应用加速拉动高端器件需求，SiC/GaN进入高增长通道。

韩国试图复制存储芯片的成功路径，用国家意志推动全产业链突破。日本凭借设备领域传统优势，以化合物半导体巩固话语权。中国此前已出台多项政策支持宽禁带半导体，国内企业在衬底、外延、器件等环节已有初步布局。韩日的加速追赶验证了该赛道的高成长性，也意味着竞争将更激烈。

来源： 中国能源网

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