2026年4-5月，碳化硅（SiC）领域，呈现从地方政策、前沿技术到产业应用的全面进展。

技术攻坚：浙大科创中心突破300μm超厚外延薄膜；国创中心（苏州）激光切割效率提升20倍；上海电机学院验证12英寸生长兼容性。

装备国产化：昂坤/中电科交付12英寸检测/减薄设备；中微精仪实现8英寸激光剥离量产（损耗<40μm）。

应用落地：高压平台与AI算力并行。泰科天润/Wolfspeed/Microchip发布3.3kV功率模块应对AI数据中心电力瓶颈；问界M9全系首发华为800V高压双碳化硅平台；博世发布第三代芯片；安森美深化与吉利/蔚来900V合作。

产业布局：韩国投5000亿韩元推进国产化；日本罗姆/东芝/三菱电机重组联盟。

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政策资讯

本章提要

进入“十五五”（2026-2030年）规划周期，宽禁带半导体产业的政策驱动模式从“国家定调、地方跟进”转变为地方主动、深度竞争。各省市正通过增强政策密度和资金力度，将碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）以及氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石等宽禁带材料明确纳入各自的省级发展规划和产业扶持政策中，旨在抢占未来产业制高点。

广东（深圳）：政策快速兑现，聚焦制造环节

龙岗区：2026年3月发布产业扶持申报指南，覆盖重大项目投资、平台建设、芯片流片、测试验证、降低用人成本等八大领域，旨在稳定本地制造和封测产业链。

安徽：宽禁带半导体材料纳入重点突破方向

安徽省在“十五五”规划中，将宽禁带半导体材料列为“前沿材料”板块的重点突破方向，同时在新一代半导体部分强调发展新型材料芯片和先进封装。

成都：专项化合物半导体支持特色工艺

成都在2026年发布的集成电路政策中，明确将化合物半导体特色工艺生产线列为重点支持方向，并提高了流片补贴力度（首轮流片最高补助1000万元）。

甘肃：发布投资清单,包含多个碳化硅衬底项目

甘肃武威发布投资清单，包含多个碳化硅衬底项目，显示西北地区正以原材料切入产业链。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/X8dkTdV3e6-S-zNiTZh03g

上海：出台三年行动方案，提供MCU、碳化硅功率芯片云制造服务

上海市经济和信息化委员会、上海市商务委员会等7部门印发《上海市推动产业互联网平台赋能产业发展行动方案（2026—2028年）》。

1、围绕人形机器人、低空无人机等领域芯片小批量试产需求，推动企业建设电子元器件在线采购交易平台，开发智能选型工具，提供MCU、碳化硅功率级芯片等产品云制造解决方案。

2、激活新赛道互联网平台发展潜力。引导企业打造芯片设计服务平台，输出“半导体IP授权+芯片定制”服务。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/YEai7fOjHLjcl1zQworSEg

郑州：将第三代半导体列为未来材料重点方向

郑州规划将第三代半导体材料列为未来材料的核心方向之一，目标是在集成电路、新能源、航天航空等领域应用，打造全国竞争力的产业高地。同时，规划也提及了鼓励新一代半导体材料的研发和产业化，并同步推进氢能、固态电池等技术。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/JRYNcxoNvbmwkBjkjMTj_g

吉林：投入881万元建设宽禁带半导体重点实验室，地方科研基建加速布局第三代半导体

吉林省投入881万元财政资金，启动“吉林省宽禁带半导体重点实验室”建设，旨在覆盖从材料生长到器件应用的全链条研究，以服务本地新能源汽车、LED等产业需求。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/uc_7y12Z2knZoxiDVw69xw

西安：设50亿元基金，聚焦碳化硅与氮化镓

西安市发布半导体及光子产业发展政策，将设立不低于50亿元的产业基金，并实施“第三代半导体抢占工程”，围绕设计、制造、封测和应用等环节发力，以抢占新兴产业制高点。政策还强调利用本地汽车制造、输配电等应用场景，并依托西安电子科技大学等高校的科研优势，推动产学研结合，力争在激烈的区域产业竞争中实现特色化发展。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/JJDvnQVcTzv8-ExDqX0YAA

河北：推进68个亿元以上电子信息项目建设

河北计划推进68个亿元以上项目建设，其中包含10个国产化替代、强链补链和高市场占有率项目；将组织实施2个国家专项和3个省级科技专项，重点聚焦第三代半导体、空天信息、消费电子等领域的关键技术攻关；推动京津冀集成电路、新一代信息技术应用创新等2个国家先进制造业集群建设，并发展3个特色产业集群；实施“人工智能+制造”专项行动，推动软件产业、开源生态建设和算力产业发展，以促进制造业数智化转型。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/jMxfykX3zL0rPWvmNbwTBQ

联盟动态

团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》正式发布

2026年5月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》。

本文件规定了碳化硅长晶用多孔石墨材料的分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等。其中对块状坯材和加工制品的体积密度、抗折强度、电阻率、孔隙率、平均孔径、孔径分布、透气率及杂质含量等关键指标提出了明确要求，填补了国内该领域团体标准的空白。

宽禁带联盟现面向全行业开放合作，诚邀宽禁带半导体材料生产、设备制造、终端应用等领域企事业单位参与上述标准编制起草工作。有意者可通过以下方式联系联盟标委会，共同推动标准技术落地与产业升级！

邮箱：zhouziji@iawbs.com；电话：010-50875766转721

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/7f6L0dXa1XJnvAYNVUhu-w

技术前沿

上海电机学院发表12英寸SiC晶体生长重要研究成果

上海电机学院超宽禁带半导体团队通过数值模拟，优化了在一种新型国产电阻加热炉中生长12英寸SiC晶体的热场和工艺参数，并成功制备出直径300毫米，厚度约20 mm的SiC多晶晶锭，验证了该设备对8至12英寸晶体生长的兼容性。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/Nv8QKWwETOY-CILAI_GrpQ

浙大科创中心研制出超过300微米厚碳化硅外延薄膜

浙江大学杭州国际科创中心研究团队成功制备出厚度超过300微米的碳化硅超厚外延薄膜，这是国际上首次实现该厚度级别的稳定制备。这项进展解决了厚度增加带来的缺陷和应力累积难题，并创新性地利用低功率紫外光结合高温处理消除了材料内部的微观缺陷，为3万伏级高压器件的研发提供了材料基础。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/xQPR4idY6zupx50sAjSB_g

北京大学程哲团队攻克3C-SiC散热与集成难题

北京大学程哲研究员团队在立方碳化硅（3C-SiC）材料领域取得的一系列系统性突破，解决了其在热管理和功率半导体应用中的核心难题。团队在2022年通过高质量晶圆级单晶制备，将3C-SiC的热导率提升至超过500 W·m⁻1·K⁻1，使其成为体块晶体中仅次于金刚石的高导热材料。这一系列从材料制备、异质集成到微观机理的闭环研究，为3C-SiC在3D-IC和大功率器件中的实际产业化应用铺平了道路。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/XRvwQV8GwBDB5yxcn8SIfQ

国创中心（苏州）大尺寸碳化硅激光隐形切割技术取得重大技术突破

国创中心（苏州）大尺寸碳化硅激光隐形切割技术在切割效率、良率和材料损耗控制上取得多项关键进展，预计可降低大尺寸碳化硅衬底加工成本50%以上：

效率大幅提升：切割6英寸碳化硅晶锭，单片时间小于9.5分钟，效率比线切割提升近20倍；切割8英寸晶锭，单片时间小于17-23分钟，效率提升近15倍。

性能指标突出：切割后改质层剥离分片时间平均小于30秒，材料损耗小，损伤层薄（6英寸<40μm，8英寸<50μm），切割良率达99%。

加工能力全面：可高效批量切割厚度范围从120-150μm到1030μm的晶片，并具备高精密减薄技术，使晶片达到极高的平坦度、均匀性和表面光洁度（如TTV<1μm，Ra<1.50nm）。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/S5xYiKL5BapToO3Vdv4mJw

企业动态与合作

企业合作:

光储合作：英飞凌与麦田能源，SMD全碳化硅方案率先落地户用光储

5月30日，英飞凌科技与麦田能源宣布深化合作，麦田能源成为首家在太阳能光伏及储能领域采用英飞凌SMD（表面贴装）全碳化硅解决方案的合作伙伴，并率先获得“英飞凌赋能（Enabled by Infineon）”标识授权。此举标志着宽禁带半导体技术正加速向户用光储等民用市场渗透，推动系统向更高能效与更高功率密度升级。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/INiFcEtB53viU9s4nCeslQ

光储合作：安森美与上能电气达成SiC合作

上能电气将在其下一代430kW液冷储能系统（ESS）和320kW公用事业级光伏组串式逆变器中，采用安森美集成FS7 IGBT与EliteSiC技术的混合功率集成模块（PIM）。该合作提升了系统效率与功率密度，在基准测试中，新模块为320kW光伏逆变器提升了0.07%的能效；在430kW储能系统中，将往返效率（RTE）提升了0.75%。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/7PFygaOZkzEAcbYW_QCZqA

车规合作：东微半导体&英搏尔：SiC器件已用于主流车企

东微半导体的GreenMOS系列高压超级结MOSFET及SiC MOSFET器件，已批量应用于英搏尔为吉利、长安、小鹏等主流车企提供的电源总成与电机控制器中。此外，双方的合作正从传统车载领域，加速向低空经济（eVTOL）与机器人关节模组等新兴电动化场景延伸。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/ZgG9gtmaeNaONJFUkShdhg

车规合作：安森美与吉利、蔚来深化900V平台合作

安森美与吉利、蔚来进一步深化战略合作，基于安森美的EliteSiC碳化硅技术，共同推动汽车平台从400V向下一代900V高压架构加速演进，提升系统能效，延长续航里程、缩短充电时间。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/zERk6uF8D-oaZdUsJgFU-g

https://mp.weixin.qq.com/s/y2NvZXhZf6RC0zIwwQxKaw

SST合作：新特电气与清华大学共建固态变压器联合研究中心，成功攻克两大核心技术

新特电气与清华大学合作，攻克了高频固态变压器（SST）与中频直流变压器（DCT）两大核心技术，实现了绿电直连效率提升12%（整机效率达98.3%）和数据中心供电可靠性跃升至99.99%的重大突破。该技术计划于2026年底实现小批量生产。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/3y8r4Yx1s7hqO0YdTyZLuQ

SST合作：基本半导体：成功签约SST与AIDC配电项目

基本半导体成功签约两大项目：

1、参与“SST直流供电技术全产业链研究平台”项目，旨在攻克SST直流供电在全产业链中的关键难题，服务于未来智能电网、轨道交通等场景。

2、参与“AIDC直流配电系统产业链”项目，联合多家单位构建从器件到系统的完整产业链，开发适用于人工智能数据中心的高效直流配电系统。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/240IOS4Xoj5NdZUFB17FUg

SST合作：英飞凌与为光能源共筑固态变压器（SST）高可靠新未来

英飞凌与西安为光能源正式达成深度合作，双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/9YldORmjw7XTuCG_bBP-IQ

企业产品及技术进展

设备：丞达精机自主研发推出SiC衬底激光剥离系统和ZM9730晶圆研磨减薄设备两大设备

SiC衬底激光剥离系统：该系统由丞达精机联合中国科学院宁波材料技术与工程研究所李琳院士团队共同研发，支持8英寸和12英寸的SiC晶锭，单片材料损耗小于80微米，具备高切割与定位精度。在量产能力上，其8英寸产线年产量可达2万片以上。

ZM9730晶圆研磨减薄设备：该设备适配8英寸和12英寸晶圆，能够同时完成晶圆背面减薄与平整化加工，覆盖封测全流程需求。其关键性能指标表现优异，加工后晶圆整体厚度变化（TTV）小于1.5微米，表面粗糙度（Ra）小于10纳米，核心性能对标国际先进设备，旨在实现进口替代，可广泛应用于先进封装、功率器件等场景。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/M-6WnY-BKK3XiNg_U70nsg

设备：中微精仪：已率先实现8英寸碳化硅激光剥离量产总损耗迈入40μm时代

中微精仪在碳化硅激光剥离技术上率先实现8英寸碳化硅量产的总损耗稳定降低到40微米以内，打破了行业长期以来60-80微米的损耗瓶颈。这一突破解决了碳化硅因硬度高、难以加工导致的效率低、耗材成本高等痛点，将损耗较主流水平降低30%以上，较传统线切割降低约80%，并能大幅提升晶锭出片量和加工效率。目前，该技术已获得头部企业验证。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/QoNMI5ANE0Kch5VSZRhGaQ

设备：创锐光谱：正式发布高速扫描电激发瞬态吸收光谱系统

创锐光谱公司发布新一代高速扫描电激发瞬态吸收光谱（ETA）系统。该系统基于自主研发皮秒级时间分辨时序卡，取代了行业通用的第三方时序模块，实现了电泵浦信号、探测光与采集信号的高精度同步，从硬件层面做到了技术自主可控。在采集架构上，新系统采用“单次电激发、多时间点连续探测”的创新模式，将采集效率提升了50倍，并将延时分辨率从大于10纳秒优化至优于100皮秒。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/vf4iwajDdJUONsdv8jxAmA

器件（AI）：泰科天润：发布成型高压SiC MOSFET矩阵化技术平台和产品系列，为固态变压器（SST）的国产化发展加速助力

泰科天润发布矩阵化的高压SiC MOSFET技术平台和产品系列，电压平台全面覆盖2000V、3300V、4500V、6500V。其中，2000V系列已形成完整的规格矩阵，适配固态变压器等场景；3300V 30mΩ产品实现了关键技术突破，性能领先；4500V低阻系列填补了国内外高端市场空白；6500V系列则为超高压应用进行了前瞻性技术储备。这些国产高可靠性器件旨在为固态变压器等高端电力电子装备提供核心支撑，推动其国产化发展并降低成本。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/Q1w2p0cCivLNpRhxmVp0qg

器件（AI）：Wolfspeed：发布两款3.3kV碳化硅功率模块系列，应对AI数据中心与能源转型电力瓶颈

5月21日，Wolfspeed推出了两款全新的3.3kV碳化硅功率模块系列，采用行业标准封装的高功率半桥带基板模块，以及可扩展的全桥无基板模块，旨在应对由人工智能数据中心及更广泛的能源转型所带来的电力瓶颈问题。此次新品包含两大核心品类，可提供带基板和不带基板的碳化硅功率模块供选择，均适配2kV及以上直流母线架构，支持24小时不间断工况运行，可助力工程师简化功率设计，采用两电平拓扑优化系统架构。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/Ms95dnLPuj0H07H8UPWrQg

器件（AI）：罗姆：750V SiC-MOSFET应用于AI服务器BBU

罗姆750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”已被应用于AI服务器电源的BBU中。其高耐压、高结温（175℃）的特性，使其能适应提升的电压和功率密度，在下一代800V架构中仍有应用前景。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/TJ4s9dx9ZPWrDJ-XucSeQg

器件（AI）：Microchip：3.3kV SiC模块加速固态变压器的部署

Microchip推出了3.3kV的HV-D3 mSiC功率模块。该产品将SiC MOSFET和肖特基二极管集成在标准封装内，旨在加速固态变压器在AI超大规模数据中心等高压应用中的部署。高电压设计可以减少串联器件数量，其先进的封装和基板技术有助于实现更高的功率密度。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/TJ4s9dx9ZPWrDJ-XucSeQg

器件（AI）：东芝：1200V沟槽栅SiC MOSFET出样，性能大幅提升

东芝开始交付1200V沟槽栅SiC MOSFET“TW007D120E”的测试样品，目标市场是下一代AI数据中心电源和可再生能源设备。与上一代产品相比，其单位面积导通电阻大幅降低约58%，采用了有利于散热的顶部冷却封装，旨在满足市场对更高效率和功率密度的需求。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/TJ4s9dx9ZPWrDJ-XucSeQg

器件（车规）：问界M9：全系首发华为智擎全800V高压双碳化硅动力平台

鸿蒙智行旗舰车型“全新一代问界M9”正式发布，升级后的问界M9搭载了140项新技术和超40项行业首创。其核心是全新搭载的华为智擎全800V高压双碳化硅动力平台，该平台集成自研碳化硅模组、智能油冷2.0和智能能量管理技术，实现了量产最高的93.5%电驱工况效率。动力方面，Ultimate版本首发华为智擎同轴分布式电机。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/hZZEfaxPWvHOS5B8NV4ShA

器件（车规）：博世：发布第三代碳化硅芯片，以技术迭代赋能全球电动化转型

博世发布了基于沟槽技术的第三代碳化硅芯片，已开始向全球汽车制造商提供样片。相比第二代产品，其比导通电阻降低约20%，短路耐受时间提升10%-20%，实现了性能与可靠性的同步优化，能更好地满足新能源汽车对高功率、高效率和高压平台（如1000V）的需求。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/A2kJD4XaxwK71UyvP9gADQ

器件（车规）：长安深蓝：新一代电驱采用SiC嵌入式模块

长安汽车旗下深蓝汽车宣布第一百万台电驱正式下线，同时发布新一代“原力超集电驱3.0”的1000V SiC嵌入式功率模块技术。相比行业主流方案，该技术显著提升了电流能力、工作电压和功率密度，同时降低了重量和体积。与深蓝上一代电驱技术相比，重量减轻20%、体积缩小30%，系统工况效率达到94.13%。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/ZgG9gtmaeNaONJFUkShdhg

封装：环旭电子SiC芯片预埋封装技术取得突破：基板整合陶瓷绝缘与无线键合工艺

5月27日，全球电子设计与制造服务领导厂商环旭电子（USI）宣布，其在新一代功率解决方案领域研发的先进功率半导体封装技术取得重大突破。环旭电子成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板之中，并创新采用单面铜裸露（SSC）模块封装技术，使得业界标准功率封装体得以整合陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/KJAsosAuqDU105Azw0FELg

产业布局及投融资信息

韩国投入5000亿韩元推进下一代功率半导体国产化，目标2030年自主率提升至20%

韩国为降低对进口功率半导体的高度依赖，正投入国家专项基金并系统性地推进下一代功率半导体国产化战略。核心内容包括：韩国政府计划投入5000亿韩元，并成立专门的推进小组，采取需求导向的路径，目标是在2030年前将技术和产能自主率从当前的约10%提升至20%。该战略以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为两大技术方向，计划在2026年启动8英寸晶圆厂基础设施建设，并在2027年实现1200V SiC MOSFET等关键器件的规模化量产。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/W_5MUgE-nTjTjA9-cm1PgA

日本功率半导体产业重组：电装放弃收购，罗姆拟与东芝、三菱电机合作

汽车零部件巨头电装（Denso）已放弃对罗姆（Rohm）的全面收购计划，随后，罗姆转而寻求与东芝（Toshiba）和三菱电机（Mitsubishi Electric）建立新的联盟。今年3月，三家公司签署谅解备忘录，计划将各自的功率半导体业务合并，成立一家合资公司，并由罗姆主导此次整合，以实现协同发展和增强竞争力。

报道指出，这些重组发生在全球电动汽车和能源转型加速的背景下，功率半导体作为关键战略资源，日本企业正试图通过调整合作模式来应对来自欧美及中国企业的竞争。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/Ser1nCcSoQNiTmx3p4qgQg

Wolfspeed全面升级SiC布局：12英寸晶圆、10kV MOSFET同步推进

Wolfspeed披露最新战略布局：一是已成功展示300毫米（12英寸）碳化硅晶圆技术，旨在推动SiC制造向更大尺寸、更高产能和更低成本方向发展；二是重点推进其第四代SiC MOSFET平台及10kV碳化硅MOSFET的商业化，后者主要面向智能电网、固态变压器等能源基础设施；三是强化大中华区战略，任命新总裁并致力于成为本地客户的首选战略合作伙伴，强调“在中国，为中国”的本土化方向。

信息来源：
https://yuanbao.tencent.com/chat/naQivTmsDa/0NixeqL81nE

项目建设信息:

晶驰机电：其SiC半导体材料装备研发生产项目正在建设中，总投资2亿元，预计2026年9月底完工并具备投产条件。该公司已实现8-12英寸碳化硅单晶炉的技术突破并批量交付。

博来纳润：苏州博来纳润电子材料有限公司纳米氧化硅、半导体CMP抛光液、抛光垫材料项目目前正设备安装中，计划5月试生产。该项目计划总投资11.78亿元，其中固定资产投资约10.39亿元。项目分两期实施，一期计划总投资4.54亿元，新供地约107亩，建成后将形成年产6000吨纳米氧化硅、14000吨半导体CMP抛光液和55万平方米CMP抛光垫材料的生产能力。

清连科技：5月，清连科技苏州工厂正式完成扩建，进一步完善办公协同、客户接待、应用验证与技术服务能力。该团队专注于高性能高可靠电子封装互连解决方案，核心业务涵盖高性能封装材料、封测设备、工艺开发及器件可靠性评价等方向，是业内较早开展纳米银/铜烧结互连技术研发与产业化应用的团队之一。

合泰智能：该公司签约了半导体设备制造项目，并引进了陈建明博士团队。研发重点是电阻法8英寸和12英寸碳化硅晶体生长设备。

科芯半导体：其碳化硅零部件及装备制造产业园项目预计于2026年6月交付，进入收尾阶段。项目一期建成后，将形成年产500台（套）碳化硅半导体配套设备器件及4万件/年碳化硅AR镜片基材的产能。

芯联集成：正在推进碳化硅MOS芯片制造二期项目建设，将新增1.5万/片月的6、8英寸兼容SiC MOS生产线。8英寸碳化硅产线量产进入产能爬坡阶段，部分产线产能利用率维持在90%以上。

SiCSem：与印度政府签署协议，将投资约14.66亿元人民币在奥里萨邦建设SiC制造和封装工厂。目标年产能为6万片SiC晶圆及约9600万个MOSFET和二极管，服务于电动汽车、可再生能源等领域。该公司是一家集成器件制造商（IDM），并已通过收购和合作布局了从技术到设备的全产业链。

矽芯微：其成都基地的晶圆中道加工fab厂已投产，首片8英寸晶圆成功下线。该厂总产能可达每月加工封装成品晶圆6万片（6-12英寸），支持硅基、SiC、GaN等多种材料，目前良率达标并已通过客户验证，订单饱满。

江丰同芯：其年产720万片半导体芯片先进封装用覆铜陶瓷基板项目已产出首片基板，进入投产验证阶段。该项目总投资5亿元，订单已趋于饱和，是江丰电子在第三代半导体产业布局的关键一环。

中瑞宏芯半导体：碳化硅芯片封测基地项目签约无锡，预计今年9月正式投产。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/xe0Kt2OdoxWJ6kZWSnwPzA

https://mp.weixin.qq.com/s/8Og11Zsd-NmsUXEemRFRRw

https://mp.weixin.qq.com/s/oLH6vQR6tLUF3yHZ7HHCDA

https://mp.weixin.qq.com/s/WmxrrsFIqhytuBPVvUa-wA

https://mp.weixin.qq.com/s/WmxrrsFIqhytuBPVvUa-wA

https://mp.weixin.qq.com/s/WmxrrsFIqhytuBPVvUa-wA

https://mp.weixin.qq.com/s/HAeNKvBgC-4rJznOaCkEpg

https://mp.weixin.qq.com/s/Ipmj5BLQTXcQdEf6z2pysQ

https://mp.weixin.qq.com/s/HAeNKvBgC-4rJznOaCkEpg

https://mp.weixin.qq.com/s/HAeNKvBgC-4rJznOaCkEpg

多家企业投融资信息:

中微精仪：完成数千万元天使轮融资，聚焦碳化硅晶锭激光剥离等核心业务。

矽赫微：完成新一轮融资，聚焦先进封装和SiC/GaN键合设备。

陕西立晶芯科：完成首轮融资，成功研发8英寸碳化硅单晶锭，并向12英寸衬底量产发起冲刺。

晶科电子：拟通过广州天泽间接收购广东芯聚能半导体有限公司，整体涉及总代价约2.56亿元，借助芯聚能在碳化硅领域的技术与产业化优势，拓宽自身在第三代半导体领域的业务边界。

有熠科技：完成千万级融资，加大在先进功率器件架构、材料应用及封装技术等方面的研发投入。

长晶科技：获广汽资本投资，SiC MOSFET与二极管已实现制造。

芯合半导体：已发布6吋/8吋SiC晶圆和9mΩ主驱级SiC MOSFET。

至信微：完成新一轮融资，在建SiC模块项目，规划年产能120万颗。

炽芯微电：获得新一轮融资，加码IGBT/SiC模块产线产能扩充及市场拓展。

Navitas：募资1.22亿美元加速AI电源战略：双线推进GaN与SiC在AI数据中心、电网基础设施、高性能计算和工业电气化四大高功率市场的“Navitas 2.0”战略转型。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/RbpQnYsd6Ai7MqOVFY7HKQ

https://mp.weixin.qq.com/s/accCvPN1nbwnFpOz_InVog

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以上就是2026年4-5月宽禁带半导体-碳化硅专题的关键进展，再次感谢您的关注与支持！未来，我们将持续深耕宽禁带半导体领域，不断探索与创新，力求为您提供最前沿、最全面的宽禁带半导体产业信息。