【氮化镓简报】4-5月深空宇航与AI计算双向突破，家电加速渗透

2026年4-5月，氮化镓（GaN）领域在前沿探索、应用落地与产能扩充三线并行推进，多点突破。

前沿探索：北大实现万伏级增强型器件；英特尔实现最薄GaN芯片与数字电路单片集成；斯坦福/宾州州立突破自热限制。

应用落地：英飞凌抗辐射GaN获JANS认证，随阿尔忒弥斯2号完成载人首秀。

AI/计算：意法半导体/Navitas/Cyient布局AI服务器与计算市场。

消费电子：烟山科技8英寸MicroLED产线投产；美的/长虹/科沃斯加速家电应用。

产能扩充：AIXTRON向瑞萨供应MOCVD系统，向8英寸及低压市场迈进。

因篇幅限制，本期呈现内容为精选版本，完整版已整理为PDF，如您需获取完整版内容或有技术突破、项目进展、合作需求或行业活动需推广传播，欢迎添加产业小助手与我们联系。让我们携手推进宽禁带半导体产业高质量发展！

投稿/合作请联系：

周老师/17854177403

lianmeng@iawbs.com

目 录

政策资讯

技术前沿

企业动态与合作

【战略合作】

【企业产品及技术进展】

【项目建设/投融资信息】

政策资讯

本章提要

进入“十五五”（2026-2030年）规划周期，宽禁带半导体产业的政策驱动模式从“国家定调、地方跟进”转变为地方主动、深度竞争。各省市正通过增强政策密度和资金力度，将碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）以及氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石等宽禁带材料明确纳入各自的省级发展规划和产业扶持政策中，旨在抢占未来产业制高点。

湖北：规划与技术突破并举

湖北省在“十五五”规划纲要中，首次将“先进化合物半导体材料”列为独立重点发展方向，明确提及加快氮化镓、氧化镓、金刚石等技术创新及成果转化。

浙江：前瞻布局第四代半导体

浙江省将氧化镓、金刚石与碳化硅、氮化镓一并写入《浙江省“十五五”新型工业化规划》作为新一代半导体重点发展方向。

政策特征总结

目前氧化镓、金刚石等第四代超宽禁带半导体材料已正式进入各地方政策安排，可能重塑未来产业技术路线和格局。同时，各地根据自身基础选择不同路径精准化、差异化发展。

技术前沿

北京大学团队实现突破：超结结构赋能万伏级增强型氮化镓器件

北京大学魏进、沈波团队在氮化镓功率器件领域取得重大突破。他们提出了一种基于标准增强型p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管平台的新型超结结构，成功制造出性能卓越的超结氮化镓器件。其核心突破在于首次通过实验在氮化镓器件中证实了电荷平衡的存在，并利用该技术实现了击穿电压超过10千伏（外推值达11935伏）的增强型横向器件，这是科学文献中首次报道。该技术与现有制造工艺高度兼容，为氮化镓在超高压领域的应用铺平了道路。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/UaQodFDZAfBhkhZmKFYtdg

英特尔实现全球最薄氮化镓芯片与片上数字电路单片集成

英特尔晶圆代工中心在300毫米硅晶圆上成功制造了全球最薄（硅基底仅19微米）的氮化镓（GaN）芯片，并首次在同一芯片上单片集成了完整的数字控制电路。该技术通过创新的“研磨前隐形切割”工艺实现晶圆超薄化，所制造的GaN晶体管具备高频、高压、高效及耐高温等优越特性。这项突破意味着未来数据中心、5G/6G通信等领域的电源管理和射频系统能在更小空间内实现更高性能、更高效率的集成，并有望借助与现有硅基制造兼容的工艺降低成本，推动规模化生产。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/MB0iUwgP3e3WPUFVBBMTlQ

斯坦福 & 宾州州立团队：突破GaN HEMT自热限制

宾夕法尼亚州立大学、斯坦福大学等研究团队，针对封装GaN HEMT的热阻构成与热优化路径开展了系统研究。该研究通过结合微拉曼热测量、时域热反射以及三维电热耦合建模的方法，对采用CuMo封装基板的单指GaN-on-SiC HEMT进行系统分析，厘清了器件从结区到散热器之间的热阻网络，识别出主导器件升温的关键层与界面，解决了GaN HEMT热管理中“不知热阻核心来源、优化方向模糊”的问题。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/uw-2ecO7_jlN9v6yP-1IQA

沙特阿卜杜拉国王科技大学团队在富铝AlGaN欧姆接触领域取得突破性进展

沙特阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授团队在富铝AlGaN欧姆接触领域取得突破性进展。团队采用无金的Ti/Al/Ti金属叠层方案，直接在富铝AlGaN上制备了创纪录低比接触电阻率的欧姆接触，无需传统的组分渐变层。

研究克服了高Al组分下由于施主激活能高、载流子浓度低以及电子亲和势低导致接触势垒高的传统难题。在Al组分0.8样品的性能相较于传统的Ti/Al/Ti/Au接触提升了约两个数量级（最低达1.52×10⁻⁶ Ω·cm2），为下一代基于超宽禁带AlGaN的高功率电子器件和深紫外光电器件提供了一种有效且可行的低电阻接触解决方案。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/vAQgjVujrhI2eCvoGO2_SA

企业动态与合作

战略合作:

致能半导体牵头广东省重点领域研发计划专项，攻关1200V/10kW级高压GaN器件

由致能半导体牵头，联合国星半导体、汇川技术、中山大学、西安电子科技大学广州研究院等单位，共同承担了广东省“基于蓝宝石衬底的高压GaN功率器件关键技术与系统化应用研究”重点研发项目。该项目旨在攻关≥1200V/10kW级别的高压GaN器件，目标是实现“当年（2026年）送样、次年（2027年）量产”，主要瞄准AI服务器和新能源汽车两大新兴市场。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/byxZFpuSDmP1hNbbofsLxw

Atomera与Synopsys扩大战略协作，加速氮化镓半导体创新迭代

半导体公司Atomera与EDA软件巨头Synopsys深化战略合作，建立GaN器件的标准化仿真与设计流程。合作主要聚焦三个方向：建立高保真的GaN器件仿真模型与校准体系；优化从仿真验证到量产制造的流程，减少实物原型迭代；以及基于Atomera的实践反馈持续改进仿真工具。此举旨在应对5G/6G通信、新能源汽车、智能电网等高端市场对高性能、高耐压功率及射频芯片的迫切需求，通过材料创新与设计工具的结合，加速GaN技术的产业化，降低研发成本与周期，为下一代半导体发展提供支撑。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/3yWNPO93tloHirVp9XV0cw

瑞萨扩充GaN产能，向8英寸及低压市场迈进

瑞萨向AIXTRON采购多台Planetary G5+C MOCVD系统，用于GaN功率器件的大规模量产扩产。这次设备交付是瑞萨在收购Transphorm后，系统化构建其GaN制造能力的关键一步，旨在支持其在汽车、物联网、数据中心电源、快充及可再生能源等领域的应用需求。此次合作标志着瑞萨的GaN战略已从技术整合进入以8英寸和低压市场为目标的规模化制造阶段。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/ennuiqxy4wQVG_WfNWUgwA

企业产品及技术进展

英飞凌抗辐射GaN晶体管获JANS认证，随阿尔忒弥斯2号完成深空载人首秀

英飞凌的100V抗辐射GaN晶体管随NASA阿尔忒弥斯2号完成载人绕月飞行。该器件获得了JANS认证（宇航级最高可靠性等级），成为全球首款在此类任务中实战验证的GaN功率器件，标志着GaN正式进入宇航核心供应链。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/s7C5rSyJvIlYDEAi1cF7wQ

中科无线半导体发布国内首颗人形机器人关节GaN磁编码芯片

国内首颗面向人形机器人关节的氮化镓（GaN）磁编码芯片CT-21X系列发布。该芯片由中科无线半导体自主研发，利用GaN材料的耐高温、抗辐照等优势，旨在解决机器人关节传感器在高温环境下的性能瓶颈和进口依赖问题。芯片能在180°C高温下稳定工作，具有高精度、低延时、高带宽等特点，适用于人形机器人、工业伺服等高要求场景。这一进展标志着我国在宽禁带半导体和机器人核心部件领域取得关键突破，有望推动相关产业链的自主化发展。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/uXJSuFGK1SrGT0bvIKnW_A

意法半导体推出7款700V PowerGaN增强型HEMT，覆盖AI服务器至机器人中高功率场景

意法半导体最新发布7款700V PowerGaN HEMT晶体管。新产品覆盖6A至29A电流范围，导通电阻低至53mΩ，适用于AI服务器、机器人、工业电源和智能电网等中高功率应用场景。它们可直接替代现有MOSFET，支持更高频的电路设计，从而减小元件尺寸、提高功率密度。此次产品线扩展标志着氮化镓技术正从消费电子向工业与基础设施领域加速渗透。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/QbLR0lknsoKf6TxgqEE8pg

Cyient推出印度首款GaN功率IC系列，瞄准AI计算与电动出行市场

Cyient Semiconductors于2026年5月11日推出了印度本土首个商用650V氮化镓（GaN）功率集成电路系列。该系列包含七款产品，导通电阻在120mΩ至330mΩ之间，集成了驱动、控制等多种功能，旨在简化AI计算、电动出行、消费电子等应用场景的电源系统设计。此次发布基于Cyient与美国Navitas Semiconductor的技术授权合作，旨在加强印度市场的供应链韧性并推动本土化制造。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/l6DcQwP_vRq6BfcfJMUfpw

氮化镓在家电领域应用持续提速，美的、长虹、科沃斯采用GaN赋能家电

美的：新款油烟机搭载GaN感应芯片，实现节能高效、极速响应；

长虹：两款旗舰电视搭载GaN超薄电源，助力产品向轻薄化升级；

科沃斯：多款扫地机器人采用GaN瞬时升压充电技术，大幅提升补电效率。

氮化镓技术凭借其高效、节能、有助于实现设备小型化等优势，正在家电多个细分场景（如厨电、影音显示、清洁机器人）中加速渗透，从头部品牌的高端产品切入，未来市场潜力巨大。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/wsOXjjynRg0C9cxtZIJHnA

项目建设/投融资信息

烟山科技8英寸硅基氮化镓MicroLED IDM量产线，正式投产

5月22日，西湖烟山科技（杭州）有限公司全球首条8英寸硅基氮化镓MicroLED IDM量产线，于德清工厂正式通线投产。此举标志着我国MicroLED 技术正式从实验室验证迈入规模化量产新阶段，烟山科技成为全球首个实现该技术全链路量产的企业。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/7pFH7_KyZL2cRox3602WYw

安徽格恩半导体获总额10亿元人民币融资

本轮融资由股权融资和债权融资两部分构成，其中股权融资6亿元，债权融资4亿元。资金将重点用于安徽格恩半导体对氮化镓（GaN）基激光芯片等领域的技术研发投入、产能扩张。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/mYvxG9TdCzTu3xnXZ7_jqg

以上就是2026年4-5月宽禁带半导体-氮化镓专题