近日，杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）走中国特色道路，基于自研铸造法单晶生长与MOCVD外延工艺，已向头部客户交付全球第一片6英寸（100）面氧化镓同质外延片，并实现批量稳定供货。

技术实力领跑

在长晶环节，镓仁半导体依靠全球独创的铸造法长晶技术，稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合公司超薄衬底加工技术，将衬底出片量提升至原有3至4倍。此外，铸造法也进一步降低了贵金属铱的用量，使衬底单片成本较原来降低80%以上，显著降低下游器件厂商的材料成本。

在外延环节，镓仁半导体技术团队针对（100）面特点优化关键工艺参数，设计特色MOCVD外延工艺，成为全球首家且唯一一家商用6英寸氧化镓同质外延的供货厂商。公司出品的6英寸氧化镓同质外延片外延层厚度大于10 μm，膜厚方差小于1%，均匀性优异，极适合高性能器件的制备，使得器件厂商良率更有保障。

图1 6英寸氧化镓同质外延片

傅立叶红外反射图谱

图2 6英寸氧化镓同质外延片

膜厚测试点位分布及对应结果

图3 6英寸氧化镓同质外延片

高分辨XRD摇摆曲线及对应点位测试结果

图4 6英寸氧化镓同质外延片

载流子浓度分布云图

图5 6英寸氧化镓同质外延片

C-V测试点位分布及对应结果

产能稳定供应

此前，氧化镓同质外延片在全球范围内存在尺寸小、产能低、均一性差等痛点，很难满足产业化需求。镓仁半导体此次不仅实现了6英寸氧化镓同质外延片的全球首片交付，更是打通“单晶-衬底-外延”的全流程稳定量产能力，建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线，批次间品质稳定可控。目前海外多家企业和科研机构已陆续下单，多家合作客户已进行了长期稳定采购。

从装备设计、晶体生长到外延工艺，镓仁半导体始终坚持全链条自主可控，以自主创新的特色发展道路持续凸显氧化镓产业发展的中国“镓”速度，为构建国内氧化镓全产业链提供了源源不断的增长动能。

图6 6英寸氧化镓同质外延片已实现批量供货

（右下角为镓仁2英寸外延片对比样）

来源：镓仁半导体

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