荣耀发布360W氮化镓适配器，这家企业GaN技术助力高功率快充

近日，荣耀正式推出WIN 360W氮化镓适配器，在功率体积密度和功率重量密度方面实现新的突破。该产品采用氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）双半导体材料方案，在紧凑机身内实现最高360W持续稳定输出，为高性能游戏本、移动工作站等设备提供高效供电解决方案。

据了解，该适配器核心功率器件采用了珠海镓未来科技有限公司提供的氮化镓技术方案。凭借高效率、低损耗等特点，镓未来的GaN功率器件为产品实现大功率输出、小型化设计以及高可靠性运行提供了重要支撑。

近年来，随着消费电子设备性能不断提升，对电源适配器的功率密度、转换效率和便携性提出了更高要求。作为第三代半导体材料的重要代表，氮化镓具有高电子迁移率、高击穿电场和高频工作能力等优势，能够显著提升电源系统效率，并推动充电设备向更轻、更小、更高功率方向发展。

在技术方案上，荣耀WIN 360W氮化镓适配器采用镓未来GaNext系列两颗G1N65R070PD-H氮化镓开关管，应用于双向交错式PFC电路架构。该器件具备650V耐压能力，瞬态耐压可达800V，为360W大功率输出提供了充足的安全裕量。同时，其导通电阻低至70mΩ，能够有效降低导通损耗和开关损耗，在保证高效率运行的同时控制发热水平。

值得关注的是，镓未来采用的D-mode氮化镓技术兼容传统硅MOS驱动方式，相较于增强型氮化镓器件，可简化栅极驱动设计，降低系统开发复杂度，为电源设计优化提供更大的灵活性。此外，该器件采用XDFN8×8-8L封装设计，通过优化散热路径和高频走线布局，有助于提升EMI性能并进一步缩小系统体积。

得益于氮化镓器件的高频化优势，适配器能够采用更小尺寸的磁性元件和外围电路，实现整机尺寸仅85×85×33毫米，重量不足420克，在保证360W持续输出能力的同时兼顾便携性。

此次荣耀与镓未来的合作，也体现出消费电子头部品牌对国产氮化镓功率器件技术实力的认可。随着AI PC、高性能笔记本电脑以及新一代消费电子设备对高功率快充需求持续增长，氮化镓技术正在加速向更高功率等级应用延伸。对于镓未来而言，此次产品落地不仅展示了其GaN器件在高端消费电子领域的应用能力，也有望进一步推动其在快充、电源适配器及高效能源转换市场的布局拓展。

来源：DT半导体

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