742GHz超高频率45纳米GaN HEMT问世，庆北大学突破射频器件性能天花板

在2026年6月22日举办的VLSI技术与电路研讨会上，韩国庆北大学研究团队对外发布了一项极具行业突破性的射频半导体研究成果，一款依托IVWorks reGaN工艺技术研发的45纳米氮化镓高电子迁移率晶体管器件正式亮相，该器件实现742GHz的超高截止频率，一举刷新同类型氮化镓射频器件的性能纪录，为下一代高频电子设备的迭代升级打开全新技术空间。

氮化镓HEMT凭借宽禁带半导体材料本身高击穿电压、高电子迁移速率、高频损耗低的先天优势，长期以来都是6G移动通信、高精度高频雷达、大功率X波段设备的核心芯片载体，过往受限于制造工艺与外延层优化方案，器件截止频率始终存在难以逾越的瓶颈，制约着超高频场景下信号传输、信号收发的效率与带宽上限，庆北大学团队本次联合IVWorks运用成熟的reGaN技术完成45纳米制程工艺适配，从外延材料结构、栅极精细化加工、器件散热设计多个维度完成系统性优化，大幅降低高频工作状态下的寄生参数，让器件在保持稳定功率输出能力的同时，突破至742GHz超高工作频段，大幅拓宽氮化镓器件可覆盖的频谱范围。

当前全球通信产业正加速推进6G技术预研，相比5G通信所使用的毫米波频段，6G将深度布局太赫兹波段，对射频前端芯片的工作频率、响应速度、信号保真度提出严苛要求，同时自动驾驶车载雷达、航天机载探测雷达、国防大功率X波段射频装备，都迫切需要更高频、小型化、高可靠性的半导体器件支撑，这款742GHz 45纳米GaN HEMT器件的落地验证，直接补齐了超高频应用场景底层芯片的关键技术短板，证明reGaN工艺搭配精细纳米制程能够充分释放氮化镓材料的高频潜力，也为全球化合物半导体厂商提供了可落地的工艺研发思路。

此次VLSI研讨会作为集成电路领域极具权威性的行业盛会，该项成果的公开展示也意味着超高频氮化镓器件正式进入产业界重点关注的技术赛道，后续围绕该器件的工艺改良、流片量产、系统集成相关研发工作将持续推进，随着相关制造技术不断成熟，未来基于该技术路线打造的射频芯片，将全面赋能新一代移动通信、高精度探测、大功率射频设备产业革新，推动太赫兹通信与高端雷达产业完成跨越式发展。

来源：雅时化合物半导体

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