上海临港发布第四代半导体三年行动方案：氧化镓、金刚石、氮化铝

7月2日，中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会正式印发《第四代半导体未来产业集聚区建设行动方案（2026-2028年）》（沪自贸临管委〔2026〕48号）。方案聚焦以氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）为代表的超宽禁带半导体，以及以锑化铟（InSb）、锑化镓（GaSb）为代表的超窄禁带半导体，目标到2028年集聚企业不少于50家、产业规模力争突破50亿元。

政策背景：第四代半导体从实验室走向产业化

方案对“第四代半导体”的界定包括两个方向：超宽禁带半导体（氧化镓、金刚石、氮化铝）和超窄禁带半导体（锑化铟、锑化镓） 。第四代半导体是新一代信息技术的重要前沿方向，在高压功率、射频微波、深紫外光电、红外探测、量子传感、极端环境电子等领域具有重要应用价值。

方案提出，到2028年集聚区建设取得阶段性成效，形成材料、器件、工艺、装备、应用等产业链环节集聚，构建基础研究、技术攻关、概念验证、工程化验证、场景示范、规模化应用的全链条培育体系。最终目标是打造面向长三角的公共研发、中试验证服务高地，建设具有全国影响力的第四代半导体材料与专用器件先导区。

在空间布局上，方案依托临港新片区“滴水湖青创湾”和“东方芯港” 两大载体。近期以“滴水湖青创湾”及大学科技园为核心，重点布局概念验证平台、专业孵化器、公共技术服务平台，率先形成启动区。中远期向“东方芯港”拓展，深度融入集成电路全产业链布局体系，联动新能源汽车、航空航天、高端装备等产业协同发展。

八大重点工程：从材料到应用的全链条布局

方案明确了八大重点工程：核心基础材料攻坚工程、颠覆性器件引领工程、先进异构封装培育工程、创新平台支撑工程、场景牵引示范工程、专业人才集聚工程、政策引领护航工程、开放培育协同工程。

核心基础材料攻坚工程是重中之重。 在超宽禁带方向，全力推进氧化镓低成本、大尺寸晶圆量产，加强外延生长技术攻关，攻克同质外延和异质外延应用难点。金刚石方面，重点突破大面积、高质量、低缺陷金刚石晶体制备技术，提升在高导热衬底、高功率器件、量子传感等方向的应用适配能力，同时攻关量子金刚石NV色心控制，推动金刚石从热管理材料向功能半导体材料拓展。氮化铝方向，开发单晶生长技术。超窄禁带方向，加速锑化物特色工艺开发。

颠覆性器件引领工程聚焦高压功率器件、高频射频器件、深紫外光电器件、极端环境电子器件等方向。先进异构封装培育工程围绕高功率密度、高散热需求和高频信号完整性，重点推进器件与高导热衬底键合、高温封装、三维异构集成等先进封装技术研发。创新平台支撑工程加快构建以重点实验室、概念验证平台、公共技术服务平台为支撑的创新平台体系。场景牵引示范工程聚焦新能源汽车、高端装备、航空航天、绿色低碳等重点应用领域。

联盟解读

临港此次发布第四代半导体三年行动方案，标志着中国在超宽禁带半导体领域的政策布局从“鼓励探索”进入“有目标、有路径、有节奏”的实质性推进阶段。 氧化镓、金刚石、氮化铝等材料此前长期停留在实验室研究阶段，而方案中明确的“低成本、大尺寸晶圆量产”“高质量、低缺陷晶体制备”等目标，指向的是从实验室到工程化、再到规模化供给的完整路径。

金刚石被纳入第四代半导体产业政策，是本次方案中值得关注的一个信号。 金刚石长期被视为热管理材料，方案明确提出“推动金刚石从热管理材料向功能半导体材料拓展”。与此同时，氧化镓的低成本、大尺寸晶圆量产被列为优先方向，与当前国内多家机构在6英寸氧化镓单晶方面的突破形成呼应。

从更宽的产业周期来看，第四代半导体的产业化窗口正在打开。 以氧化镓、金刚石为代表的超宽禁带材料，在禁带宽度、热导率、击穿场强等关键指标上全面超越第三代半导体，有望在高压功率、射频微波、深紫外光电、量子传感等场景中逐步替代现有材料体系。临港方案中提出的八大工程和2028年50亿元产业规模目标，为这一进程设定了明确的时间表和路线图。

方案另一个值得关注的维度是“超窄禁带半导体”被同步纳入。 锑化铟、锑化镓等材料在红外探测、量子传感等方向有重要应用价值，方案将其与超宽禁带半导体并列，意味着临港在第四代半导体的布局上采取了“宽禁带+窄禁带”双向并进的策略

信息来源： 上海市人民政府

注：本文综合自网络公开信息，仅供行业交流与科普参考。如因信息更新或理解偏差存在不准确之处，欢迎联系我们指正。本文不对内容完整性或时效性作任何保证，也不构成任何投资或商业决策建议，不对任何后果承担责任。感谢您的理解与支持。