onsemi访谈：欧洲SiC设计周期比中国慢一倍，GaN和SiC是互补关系

PCIM Europe 2026期间，Power Electronics News与onsemi欧洲销售与运营副总裁Sam Francis进行了一场对话。话题覆盖SiC在中欧汽车市场的采用差距、GaN与SiC的互补定位、垂直GaN的应用方向等。

onsemi在PCIM上展示了从MOSFET、IGBT到SiC、GaN、垂直GaN的完整功率产品组合。Francis提到，onsemi从2015-2016年开始做功率器件，先从IGBT和MOSFET起步，后来扩展到SiC分立器件和功率模块，2021到2023年推动了全球电动汽车的SiC采用。现在同时向垂直GaN和横向GaN两个方向扩展。

SiC市场：中欧速度差一倍

onsemi近期的SiC设计中标来自蔚来和吉利，两家都是中国车企。被问到欧洲车企的节奏时，Francis的回答是：“速度？没有。创新？是的。”欧洲OEM的设计周期是24到36个月，中国OEM从概念到量产只要12到18个月。“创新是由中国驱动的。”onsemi几个月前发布了专门的中国战略，CEO Hassane亲自推动，目标是加大在中国的布局。

关于大众，Francis表示可以公开讨论——大众正在走向功率半导体‘100%垂直整合’的战略，这个战略会采用SiC用于其下一代电气化平台，会用SiC。但欧洲SiC的采用规模目前较小，因为电动汽车的普及速度没有达到预期。2022年大多数欧洲车企提出2030年全面电动化，现在已经推迟到2035年甚至更晚。onsemi的产品组合可以覆盖插电混动、增程式、纯电等不同车型。

垂直GaN：数据中心是第一个大批量应用

被问到垂直GaN的第一个大批量应用会在哪里时，Francis的回答是“所有应用的组合”。数据中心应用有很强的拉动力，大多数公司都在向数据中心方向转型。汽车方向的GaN应用目前体量还比较小，但“那个选项会来”。onsemi的战略是同时覆盖所有方向。

Francis明确表示，GaN和SiC是“互补的产品组合”。SiC在汽车、工业、数据中心和AI方面有很多应用，是当前需求的主要驱动力。GaN覆盖从40V到1200V的广泛范围，帮助onsemi维持市场所需的功率产品组合广度。两种技术各有分工。

信息来源： ELECTRONICS NEWS

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