《碳化硅单晶切割片》等三项团体标准正式发布

2026年7月7日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《碳化硅单晶切割片》、《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和(-1-1-1)C面的检测方法》三项团体标准。上述标准于2026年7月7日正式发布，并将于2026年7月14日起实施。

碳化硅（SiC）单晶切割片是碳化硅产业链中的重要产品形态，国内外已将其作为独立商品进行交易，但行业内长期缺乏针对切割片的专用标准。《碳化硅单晶切割片》标准规定了4H碳化硅单晶切割片的产品分类、技术要求、试验方法及检验规则等，为切割片的质量控制与交易提供科学依据，减少供需双方的质量分歧，规范行业经营秩序。

堆垛层错是碳化硅单晶中的典型宏观缺陷，会在外延过程中延伸至外延层，导致器件性能退化甚至失效。《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》标准建立了堆垛层错的规范化测试流程，为碳化硅单晶的品质判定和质量提升提供了统一的检测依据。

立方碳化硅（3C-SiC）具有更高的载流子迁移率和更低的界面态缺陷密度，是制备高性能场效应晶体管的重要材料。《立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和（-1-1-1）C面的检测方法》标准提出了采用原子力显微镜力-距离曲线技术对3C-SiC单晶片的(111)Si面和(-1-1-1)C面进行无损区分与表征，测试结果准确可靠，对3C-SiC单晶晶片的质量控制和产业化进程具有重要意义。

三项团体标准的发布，将为碳化硅单晶切割片的产品质量控制、堆垛层错缺陷检测以及立方碳化硅晶面识别提供权威技术依据，进一步提升碳化硅材料的品质一致性与产业链协同创新能力，对推动我国宽禁带半导体事业高质量发展具有积极作用。

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中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟将持续推进团体标准体系建设，紧密围绕产业发展需求，推动科技创新与标准融合。截至目前，联盟已发布团体标准31项，在研标准13项，欢迎产业链各相关单位积极参与标准研制工作，共同推动宽禁带半导体产业高质量发展。