前言

如果给2026年上半年的硬科技投资圈选一个关键词，“氮化镓”一定榜上有名。从年初到6月底，国内GaN赛道几乎以平均每月2起的节奏官宣融资，涉及衬底、外延、器件设计、IDM、测试设备、传感器等全链条环节。

梳理下来，13起事件中既有国元、池州产投等国资力量的大手笔布局，也有蓝海华腾、欧菲光、恒铭达等A股上市公司的直接入局。资本的流向清晰指向一个判断：氮化镓已从实验室走向量产线，从“可选项”变为“必争地”。下面，按时间线逐一复盘这半年的关键投资动作。

1月7日：全球半导体巨头领投VisIC Technologies

开年即有大动作。全球半导体领导者联合现代汽车、起亚战略参投，向以色列氮化镓功率半导体先锋VisIC Technologies注资2600万美元。VisIC专注D3GaN™技术用于电动汽车牵引逆变器，新资金将用于优化第三代750V芯片、开发第四代1350V技术，进一步巩固其在车规级GaN领域的领先地位。

1月8日：池州产投、九华恒创投资能讯半导体

国资力量入场。池州产投与九华恒创联手入股能讯半导体。作为国内首家实现氮化镓射频芯片规模商用的IDM企业，能讯半导体本轮融资是其时隔5年的新一轮股权注资，标志着GaN射频赛道再度受到资本关注。

1月21日：天鹰资本等1.1亿元投资铭镓半导体

天鹰资本、成都技转创投、中宏基金、国煜投资、洪泰基金联合出手，向铭镓半导体投入1.1亿元。该公司核心主营第四代氧化镓衬底，同时布局氮化镓相关材料研发，本轮融资将加速其多条产线建设。

1月25日：国元系5000万元领投安徽先导极星

国元股权（领投）、国元基金（领投）共同向安徽先导极星投资5000万元。该公司为先导科技集团旗下平台，聚焦GaN等化合物半导体射频器件，面向低轨卫星通信、6G基站等前沿场景，是国资在第三代半导体射频领域的重要布局。

2月6日：蓝海华腾投资镓创未来

A股上市公司蓝海华腾出手，投资氮化镓相关企业镓创未来，金额未披露。上市公司直接参股，意味着GaN功率器件已获得下游应用市场的高度关注。

2月13日：欧菲光等投资湖州镓奥科技

光学龙头欧菲光携手深圳市矢量科学仪器有限公司，入股湖州镓奥科技。该公司聚焦中大功率氮化镓功率芯片，产品应用于AI服务器电源、机器人电源等高增长场景，产业方直接入局印证了GaN在数据中心电源领域的商业化前景。

2月28日：蚌埠中城创投、国新国证投资合肥美镓传感

上半年收官之战。蚌埠中城创投与国新国证联合投资合肥美镓传感，金额未披露。该公司是全球少数拥有多款GaN传感器芯片产品的企业，本轮融资将加速其传感器产品的量产落地。

3月13日：济南产发集团等投资晶镓半导体

济南产发集团、合创资本、兴橙资本、源创多盈、历金私募基金、济南科投、北京芯启航半导体、山东省新动能绿色先行投资中心等多家机构联合投资晶镓半导体，金额超亿元。公司将重点投向氮化镓衬底产能扩张与技术升级，为宽禁带半导体材料国产化突破注入核心资本动力。

3月16日：首都科技发展集团等数千万元投资微崇半导体

首都科技发展集团与霄宇领先基金联合投资微崇半导体，金额数千万元。微崇专注于半导体量检测设备，其技术可用于GaN HEMT电学参数表征，是本次列表中少有的测试装备企业，补齐了国产GaN测试链的关键环节。

5月26日：多家机构联合投资镓未来

济南经发基金、橡栎投资、鹏辉能源、上海越联峰科技有限公司、國浩投資（中國）有限公司、海南赞谋企业管理咨询合伙企业（有限合伙）等机构联手，向氮化镓功率器件设计生产商镓未来注资。镓未来多款650V产品已量产，本轮融资将加速其产能扩张与市场拓展。

5月26日：恒铭达4900万元增资远山新材料

同一天，A股公司恒铭达向远山新材料增资4900万元。远山新材料具备GaN外延材料与芯片制造自主生产能力，产品覆盖100V-3300V多种规格，本轮增资将用于产线扩建与技术升级。

6月4日：安芙兰资本、池州产投投资安徽国镓芯科

安芙兰资本与池州产投共同投资安徽国镓芯科。该公司专注于氮化镓单晶衬底，池州基地满产后计划年产8万片4-6英寸衬底，是国产GaN衬底材料环节的重要补充。

6月18日：瑞士加速器Venture Kick向Minysa发放15万瑞士法郎无偿研发资助

海外前沿布局方面，瑞士国家级初创扶持项目 Venture Kick 向氮化镓初创 Minysa 提供 15 万瑞士法郎专项研发补贴（非股权融资）。Minysa 专注开发用于太空等高可靠性场景的 GaN 栅极驱动 ASIC，代表了 GaN 技术在航天级应用的前沿探索。

总结

总体来看，2026上半年的氮化镓赛道没有“降温”的迹象，相反，资金正在从“投概念”转向“投量产”，从“投单一环节”转向“投全产业链”。下半年是否会有更多上市公司并购、更大规模的Pre-IPO轮次出现，值得持续跟踪。

来源：功率之心

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