SK Powertec与RootSemicon合作开发1200V SiC MOSFET

7月15日，韩国媒体报道，功率半导体设计企业RootSemicon与碳化硅专业晶圆制造商SK Powertec联合研发的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET已完成首轮工程流片，平均良率达到80%。对于大尺寸高压SiC MOSFET而言，在开发初期实现稳定良率并非易事。

两家公司于今年4月签署了《SiC MOSFET代工产品开发合同》并启动联合开发。5月完成了1200V 11mΩ大尺寸SiC MOSFET的首次流片，6月29日顺利完成首次晶圆下线。首轮工程流片随即取得平均80%的良率。大尺寸高压SiC MOSFET被认为是制造难度较高的产品类别，在初期开发阶段实现高良率被视为设计优化与工艺技术完善的重要标志。

“SK Powertec优秀的工艺技术能力，使我们在首轮工程流片中确保了80%的高良率，” RootSemicon表示。“我们将把此前依赖海外的SiC MOSFET生产基地转移至国内，实现真正意义上的半导体国产化，加速开拓全球市场。”

“与RootSemicon的紧密技术合作取得了成果，” SK Powertec表示。“在正式量产阶段，我们将全力支持最高品质和稳定供应，与RootSemicon共同引领全球功率半导体市场。”

此次合作使RootSemicon得以将此前完全依赖海外晶圆代工的生产据点转移至韩国国内的SK Powertec。此举被认为有助于缓解全球供应链不确定性，同时缩短产品交期、提升生产竞争力。SK Powertec也通过此次联合开发验证了其SiC晶圆代工工艺的竞争力。

该款1200V 11mΩ大尺寸SiC MOSFET主要面向电动汽车充电器等汽车电子市场。两家公司计划持续扩大车用SiC功率半导体产品线，推进量产合作。

韩国媒体将此次进展评价为SiC功率半导体国产化的重要里程碑。在此之前，RootSemicon的SiC MOSFET生产完全依赖海外晶圆代工厂。通过将生产基地转移至韩国国内，两家公司为韩国SiC功率半导体供应链的稳定化和产业竞争力的提升奠定了基础。

信息来源： 首尔新闻

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