英飞凌推出用于航天电源系统的辐射强化氮化镓驱动器

卫星电源系统越来越需要辐射强化组件，以便在极端环境条件下实现高效电力转换。英飞凌科技推出了RIC70115，这是一种用于氮化镓高迁移率晶体管（GaN HEMT）的辐射强化栅极驱动器，专为卫星及其它高可靠性空间应用开发。该器件支持硅（Si）和氮化镓功率半导体的高侧和低侧配置。
用于空间应用的氮化镓电力电子集成栅极驱动器

该RIC70115为卫星及其它航天系统中对长寿命、抗辐射性和高开关效率至关重要的功率转换架构设计。该驱动支持硅MOSFET和GaN HEMT，使得向基于GaN的性能架构过渡，同时保持与现有设计的兼容性。
驱动器配备独立的米勒端子，可在快速开关操作时抑制寄生性。这减少了导通开关损耗，同时保持了开关功率。差分输入（TDI）逻辑提升了对共模干扰以及电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）的抗拒能力，而这些干扰在卫星电力系统中很常见。
集成电源减少外部元件
集成低压调压器（LDO）可从5V或12V的电源电压产生4.8V的可调栅极驱动电压，并支持4.75V至15V的输入电压范围。电压调节器和保护功能的集成减少了外部元件数量，简化了电路设计，并能提升高周期功率转换应用中的长期可靠性。

卫星应用的抗辐射资质

RIC70115符合MIL-PRF-38535标准，运行温度范围为-55°C至125°C。 该器件具备最高100 krad（Si）的总电离剂量（TID），并已在单事件效应（SEE）方面被表征为线性能量传递（LET）高达81.9 MeV·cm2/mg。这些规范设计用于近地轨道（LEO）任务中的辐射环境，以及更为要求严格的空间应用。
此外，英飞凌介绍了评估板RIC70115EVAL1，支持卫星电力系统的开发和验证。
技术规格和竞争比较

辐射强化栅极驱动器是航天电子市场中高度专业化的细分领域，资格标准和抗辐射性是选拔标准的重要标准。与传统工业用氮化镓栅极驱动器相比，RIC70115结合了辐射鉴定、集成栅极驱动器电压控制以及对硅和氮化镓功率的支持半导体集成在单一器件中，符合航天应用条件。

瑞萨（前身为 Intersil）、德州仪器和Microchip等公司也提供类似的抗辐射栅极驱动器解决方案。然而，它们的功能范围、辐射抗性和整合度会根据任务需求有所不同。凭借MIL-PRF-38535的认证，具有100 krad（Si）的辐射抗性，SEE表征能力高达81.9 MeV·cm2/mg LET，以及集成的米勒端子和低压电源，英飞凌为需要减少外部电路和在辐射环境下具备合格操作能力的航天器功率转换系统奠定了RIC70115的领先地位。

来源：星辰工业电子简讯

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